【図1】本発明の半導体装置１００の上面を部分的に示す図である。

【図2】図１におけるａ−ａ断面の一例を示す図である。

【図3】ゲートトレンチ部４０およびダミートレンチ部３０の近傍を拡大した断面図である。

【図4】図１におけるａ−ａ断面の他の例を示す図である。

【図5】図１におけるａ−ａ断面の他の例を示す図である。

【図6】図１におけるａ−ａ断面の他の例を示す図である。

【図7】図６に示した蓄積領域１６の深さ方向におけるドーピング濃度分布の一例を示す図である。

【図8】図１におけるａ−ａ断面の他の例を示す図である。

【図9】図８に示したゲートトレンチ部４０およびダミートレンチ部３０の近傍を拡大した断面図である。

【図10】図１におけるａ−ａ断面の他の例を示す図である。

【図11】図１０に示したゲート隣接領域７２およびダミー隣接領域７４におけるドーピング濃度分布の一例を示す図である。

【図12】ゲート隣接領域７２およびダミー隣接領域７４におけるドーピング濃度分布の他の例を示す図である。

【図13】ダミートレンチ部３０に挟まれた蓄積領域１６の構造例を示す図である。

【図14】半導体装置１００の上面の他の例を部分的に示す図である。

【図15】図１４に示した半導体装置１００のｂ−ｂ断面の一例を示す図である。

【図16A】境界部９０のメサ部９４の一例を示す図である。

【図16B】境界部９０のメサ部９４の他の例を示す図である。

【図16C】境界部９０のメサ部９４の他の例を示す図である。

【図16D】境界部９０のメサ部９４の他の例を示す図である。

【図17】半導体装置１００のｂ−ｂ断面の他の例を示す図である。

【図18】半導体装置１００のｂ−ｂ断面の他の例を示す図である。

【図19A】境界部９０のメサ部９４の一例を示す図である。

【図19B】境界部９０のメサ部９４の他の例を示す図である。

【図19C】境界部９０のメサ部９４の他の例を示す図である。

【図19D】境界部９０のメサ部９４の他の例を示す図である。

【図19E】境界部９０のメサ部９４の他の例を示す図である。

【図19F】境界部９０のメサ部９４の他の例を示す図である。

【図20】半導体装置１００のｂ−ｂ断面の他の例を示す図である。

【図21A】トレンチ部の一例を示す図である。

【図21B】トレンチ部の他の例を示す図である。

【図21C】トレンチ部の他の例を示す図である。

【図21D】トレンチ部の他の例を示す図である。

【図22】本発明の半導体装置２００の一例を示す上面図である。

【図23】半導体装置２００のｃ−ｃ断面の一例を示す図である。

【図24】半導体装置２００のｃ−ｃ断面の他の例を示す図である。

【図25】本発明の半導体装置３００の一例を示す上面図である。

【図26】半導体装置３００のｄ−ｄ断面の一例を示す図である。

【図27】半導体装置３００のｄ−ｄ断面の他の例を示す図である。

【図28】半導体装置３００のｅ−ｅ断面の一例を示す図である。

【図29】本発明の半導体装置４００の一例を示す上面図である。

【図30】半導体装置４００のｆ−ｆ断面の一例を示す図である。

【図31】半導体装置４００のｆ−ｆ断面の他の例を示す図である。

【図32】半導体装置４００のｇ−ｇ断面の一例を示す図である。