特開2018-195357IP Force 特許公報全文掲載

ホーム > 特許ランキング > 富士電機株式会社 > 特開2018-195357

技術分野

メモリ装置およびセンサ装置に関する。 モニタセル（ダミーセルともいう）のデータを読出し、モニタセルの閾値電圧の変化に応じて、メインセルのデータを読み出すことが知られている（例えば、特許文献１および２参照）。また、モニタセルを用いず、メインセルのデータを読み出すことも知られている（例えば、特許文献３参照）。
［先行技術文献］
［特許文献］
［特許文献１］ 特開２００９−１４０５６４号公報
［特許文献２］ 特開２００６−１１４０７８号公報
［特許文献３］ 特開２００６−１４７０７３号公報

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】先行技術文献においては、モニタセルの閾値電圧とメインセルの閾値電圧との相対的な大小関係が考慮されていない。したがって、メインセルのデータを正しく読み出すために、未だ改善の余地がある。
【解決手段】複数のメモリセルを各々有するメインメモリおよびモニタメモリを備え、通常時におけるメインメモリの読出し閾値電圧である第１の閾値電圧よりも高い第２の閾値電圧でモニタメモリの複数のメモリセルを読み出した結果が予め定められた第１基準を満たさなかった場合に、第１の閾値電圧よりも低い第３の閾値電圧でメインメモリの複数のメモリセルを読み出すメモリ装置を提供する。
【選択図】図４

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

これらの先行技術文献においては、モニタセルの閾値電圧とメインセルの閾値電圧との相対的な大小関係が考慮されていない。したがって、メインセルのデータを正しく読み出すために、未だ改善の余地がある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の第１の態様においては、メモリ装置を提供する。メモリ装置は、複数のメモリセルを各々有するメインメモリおよびモニタメモリを備えてよい。メモリ装置は、第１の閾値電圧よりも高い第２の閾値電圧でモニタメモリの複数のメモリセルを読み出した結果が予め定められた第１基準を満たさなかった場合に、第１の閾値電圧よりも低い第３の閾値電圧でメインメモリの複数のメモリセルを読み出してよい。第１の閾値電圧は、通・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

知財ポータルサイト IP Force にログインして確認する (無料)

この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】第１実施形態におけるメモリ装置１００の回路構成を示す図である。

【図2】メインメモリ２０およびモニタメモリ３０を示す図である。

【図3】第１の閾値電圧（ＳＡ０）、第２の閾値電圧（ＳＡ１）、第３の閾値電圧（ＳＡ２）および第４の閾値電圧（ＳＡ３）を説明する図である。

【図4】メモリ装置１００におけるデータのリフレッシュを説明するフロー図である。

【図5】第１の閾値電圧（ＳＡ０）を説明する図である。

【図6】第１変形例におけるモニタメモリ３０のデータパターンを説明する図である。

【図7】第２実施形態におけるセンサ装置２００の回路構成を示す図である。

【図8】トリミング回路１１０の概要を説明する図である。

選択図 図4出願人が指定した本件の代表的な図

１０・・メモリセルアレイ、１２・・メモリセル、１４・・ワード線、１６・・データ線、２０・・メインメモリ、３０・・モニタメモリ、３２・・繰り返し領域、３４・・データ値０の領域、３６・・データ値１の領域、４０・・ワード線制御部、５０・・データ線制御部、６０・・制御部、７０・・データ入出力バッファ、８０・・データ入出力端子、９０・・ホスト、１００・・メモリ装置、１１０・・トリミング回路、１１２・・抵抗部、１１４・・スイッチ部、１１６・・電源部、１１８・・出力端、１１９・・制御部、１２０・・圧力センサ部、２００・・センサ装置

全ての図面はログインすると無料で閲覧できます。ログイン・ユーザー登録

［広告欄］

ログインすれば広告は減ります

ログインすれば広告は減ります

Copyright © Science Impact Inc. All Rights Reserved.