【図1】実施の形態１にかかる半導体モジュールを収容したパッケージの一例を示す斜視図である。

【図2】実施の形態１にかかる半導体モジュールを収容したパッケージの一例を示す平面図である。

【図3】図２の切断線Ａ−Ａ’における断面図である。

【図4】図２の切断線Ｂ−Ｂ’における断面図である。

【図5A】図３のベース板の断面形状を模式的に示す断面図である。

【図5B】図４のベース板の断面形状を模式的に示す断面図である。

【図5C】実施の形態１にかかる半導体モジュールの冷却フィンへの固定方法を模式的に示す断面図である。

【図6A】実施の形態２にかかる半導体モジュールの構造を示す断面図である。

【図6B】実施の形態２にかかる半導体モジュールの構造を示す断面図である。

【図7A】ベース板のスペーサーの高さの算出方法を説明する説明図である。

【図7B】ベース板のスペーサーの高さの算出方法を説明する説明図である。

【図8】実施の形態２にかかる半導体モジュールの冷却フィンへの固定方法を模式的に示す断面図である。

【図9A】図８のベース板のスペーサーの形成方法の一例を示す断面図である。

【図9B】図９Ａのスペーサーをベース板の裏面側から見たレイアウトを示す平面図である。

【図10A】図８のベース板のスペーサーの形成方法の一例を示す断面図である。

【図10B】図１０Ａのスペーサーをベース板の裏面側から見たレイアウトを示す平面図である。

【図11】図８のベース板のスペーサーの形成方法の一例を示す断面図である。

【図12】図８のベース板のスペーサーの形成方法の一例を示す断面図である。

【図13A】実施の形態３にかかる半導体モジュールをパッケージに収容する際に用いるスペーサーの形成方法の一例を示す断面図である。

【図13B】実施の形態３にかかる半導体モジュールの冷却フィンへの固定方法を模式的に示す断面図である。

【図14】従来の半導体モジュールの構造を示す断面図である。