半導体の微細加工に用いられる酸発生剤用の塩、該塩を含む酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】良好なラインエッジラフネス（ＬＥＲ）でレジストパターンを製造できる塩及び該塩を含有するレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。

［式（Ｉ）中、
Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子等を表す。
Ｒ^１及びＲ^２は、互いに独立に、水素原子、フッ素原子等を表す。
ｚは、０〜６のいずれかの整数を表す。
Ｘ^１は、＊−ＣＯ−Ｏ−、＊−Ｏ−ＣＯ−、＊−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−又は−Ｏ−を表す。
Ｌ^１は、単結合又は炭素数１〜３６の２価の炭化水素基等を表す。
Ｗ^１は、置換基を有していてもよい炭素数３〜２４の２価の環状炭化水素基等を表す。
Ｒ^３は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２４の炭化水素基等を表す。
Ｚ^＋は有機カチオンを表す。］
【選択図】なし

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