特開2018-204066電極形成方法及び半導体素子電極構造

発明の名称　電極形成方法及び半導体素子電極構造

出願人　公益財団法人福岡県産業・科学技術振興財団　（識別番号 391043332）

　　　　特許公開件数ランキング 14556 位（0件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 12424 位（0件）（共同出願を含む）

公報番号　特開-2018-204066

公報発行日　2018年12月27

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-A-2018-204066

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