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特開 2018-206872出願番号 特願 2017-108592
半導体装置
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所（識別番号 301021533）
2026年 特許公開件数ランキング 178位 236件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 146位 235件（※）
出願人 富士電機株式会社（識別番号 5234）
2026年 特許公開件数ランキング 45位 460件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 28位 523件（※）
公報発行日 2018年12月27
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-A-2018-206872 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】高チャネル移動度、およびトレンチ底の電界集中を緩和させ高耐圧を確保する。また、ゲート酸化膜の破壊を抑制する。【解決手段】ｎ+型炭化珪素基板１表面のｎ型炭化珪素エピタキシャル層２上の表面には、第１ｐ+型ベース領域３と、ｎ型炭化珪素エピタキシャル層２の内部に形成された第２ｐ+型ベース領域４と、ｎ型炭化珪素エピタキシャル層２の表面に形成されたｎ型領域５と、ｎ型領域５の表面に形成されたｐベース層６と、ｐベース層６の表面層に形成されたｎ+ソース領域７と、ｐ++コンタクト領域８と、ｐベース層６を貫通し、第２ｐ+型ベース領域４よりも浅い位置まで形成されたトレンチとを有する。トレンチのｐベース層６の位置における第１の側壁角度は主面に対し８０°〜９０°であり、ｐベース層６とｎ型領域５の境界よりも深い位置における第２の側壁角度は第１の側壁角度との角度差が１°〜２５°である。
【選択図】図１
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
特許文献１の技術では、トレンチ部の側壁角度を２段階にする構造が提案されているが、トレンチ底部（角部）に電界集中する構造であり、耐圧が低下した。 本発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、トレンチ側壁のチャネル部分の側壁角度は垂直に近づけ、チャネル下からトレンチ底付近の側壁角度を鈍化させるように形成させ、トレンチ底角の曲率を大きくすることで、高チャネル移動度と、トレンチ底の電界集中を緩和させ高耐圧を確保することができる、ワイドバンドギャップ半導体装置を提供することを目的とする。また、チャネル下からトレンチ底付近の側壁角度を鈍化させ、堆積酸化膜の薄化を抑制しゲート酸化膜が薄い個所での破壊を抑制することを目的とする。課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】図１は、実施の形態にかかる半導体装置の構成を示す断面図である。
【図2】図２は、実施の形態にかかる半導体装置の製造工程を示す断面図である。（その１）
【図3】図３は、実施の形態にかかる半導体装置の製造工程を示す断面図である。（その２）
【図4】図４は、実施の形態にかかる半導体装置の製造工程を示す断面図である。（その３）
【図5】図５は、実施の形態にかかる半導体装置の製造工程を示す断面図である。（その４）
【図6】図６は、実施の形態にかかる半導体装置の製造工程を示す断面図である。（その５）
【図7】図７は、実施の形態にかかる半導体装置の製造工程を示す断面図である。（その６）
選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図
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