特開 2018-82141 抵抗体を含む電子部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】特開2018-82141(P2018-82141A)

(43)【公開日】2018年5月24日

(54)【発明の名称】抵抗体を含む電子部品

(51)【国際特許分類】

   H01C 1/084 20060101AFI20180420BHJP

   H01C 7/00 20060101ALI20180420BHJP

【ＦＩ】

   H01C1/084

   H01C7/00 110

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

【全頁数】13

(21)【出願番号】特願2017-107087(P2017-107087)

(22)【出願日】2017年5月30日

(31)【優先権主張番号】10-2016-0151980

(32)【優先日】2016年11月15日

(33)【優先権主張国】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】110000877

【氏名又は名称】龍華国際特許業務法人

(72)【発明者】

【氏名】ソン、スン ウ

(72)【発明者】

【氏名】パク、ジ ヒュン

(72)【発明者】

【氏名】リ、ジョン ピル

(72)【発明者】

【氏名】リム、ジョン、ボン

【テーマコード（参考）】

5E028

5E033

【Ｆターム（参考）】

5E028AA10

5E028BA03

5E028BB01

5E028CA02

5E028EA01

5E028EB04

5E028EB05

5E028GA02

5E033AA05

5E033BB02

5E033BC01

5E033BD02

5E033BE01

5E033BE06

5E033BH02

(57)【要約】

【課題】
放熱性能を改善させることができる電子部品を提供する。
【解決手段】
抵抗体を含む電子部品を提供する。上記電子部品は、互いに対向する第１面及び第２面を有する絶縁基板を含む。上記絶縁基板の上記第１面に突出部を限定する陥没領域を形成し、上記突出部上に抵抗体を配置する。上記抵抗体は上記突出部と自己整列される。上記抵抗体は、第１部分、第２部分、及び上記第１部分と上記第２部分との間の中間部分を含む。上記抵抗体の上記第１部分と電気的に接続された第１外部電極、及び上記抵抗体の上記第２部分と電気的に接続された第２外部電極を配置する。
【選択図】図１Ａ

【特許請求の範囲】

【請求項1】

互いに対向する第１面及び第２面を有する絶縁基板と、
前記絶縁基板の前記第１面に形成され、突出部の外縁を画定する陥没領域と、
第１部分、第２部分、及び前記第１部分と前記第２部分との間の中間部分を含み、前記突出部上に配置され、前記突出部と自己整列される抵抗体と、
前記抵抗体の前記第１部分と電気的に接続された第１外部電極と、
前記抵抗体の前記第２部分と電気的に接続された第２外部電極と、を含む、電子部品。

【請求項2】

前記第１外部電極は、前記絶縁基板の前記第１面上に配置され、且つ前記抵抗体の前記第１部分と重なる部分から前記絶縁基板の側面を経て前記絶縁基板の前記第２面まで延長され、
前記第２外部電極は、前記絶縁基板の前記第１面上に配置され、且つ前記抵抗体の前記第２部分と重なる部分から前記絶縁基板の側面を経て前記絶縁基板の前記第２面まで延長される、請求項１に記載の電子部品。

【請求項3】

前記第１外部電極と前記抵抗体の前記第１部分との間に配置される第１内部電極と、
前記第２外部電極と前記抵抗体の前記第２部分との間に配置される第２内部電極と、をさらに含む、請求項１または請求項２に記載の電子部品。

【請求項4】

前記絶縁基板の前記第１面上に配置される保護絶縁層をさらに含み、
前記保護絶縁層は、前記第１外部電極及び前記第２外部電極の間に配置され、前記抵抗体の前記中間部分を覆う、請求項１から請求項３の何れか一項に記載の電子部品。

【請求項5】

前記陥没領域の深さは、前記絶縁基板の厚さの１０％〜４０％である、請求項１から請求項４の何れか一項に記載の電子部品。

【請求項6】

前記抵抗体の前記第１部分は、前記絶縁基板の第１面と垂直に整列された側面を有し、前記抵抗体の前記第２部分は、前記絶縁基板の第２側面と垂直に整列された側面を有し、前記絶縁基板の前記第１面及び前記第２側面は、互いに対向する、請求項１から請求項５の何れか一項に記載の電子部品。

【請求項7】

前記陥没領域によって外縁が画定されるダミー突出部と、
前記ダミー突出部上に配置され、前記ダミー突出部と自己整列されるダミー抵抗パターンと、をさらに含む、請求項１から請求項６の何れか一項に記載の電子部品。

【請求項8】

前記陥没領域は、第１陥没領域及び第２陥没領域を含み、
前記第２陥没領域は、前記第１陥没領域よりも前記絶縁基板の前記第１面から深く陥没される、請求項１から請求項７の何れか一項に記載の電子部品。

【請求項9】

パッドを含む回路基板をさらに含み、且つ前記第１外部電極及び前記第２外部電極は、前記回路基板の前記パッドと電気的に接続される、請求項１から請求項８の何れか一項に記載の電子部品。

【請求項10】

突出部を有する絶縁基板であって、前記突出部は陥没領域によって外縁が画定され、前記絶縁基板と一体的に（ｉｎｔｅｇｒａｌｌｙ）形成される、前記絶縁基板と、
連続的につながる第１部分、第２部分、及び前記第１部分と前記第２部分との間の中間部分を含み、前記突出部の側面と垂直に整列された側面を有する抵抗体と、
前記抵抗体の前記第１部分と重なる第１外部電極と、
前記抵抗体の前記第２部分と重なる第２外部電極と、
前記第１外部電極及び前記第２外部電極の間に配置され、前記抵抗体の前記中間部分及び前記陥没領域を覆う保護絶縁層と、を含む、電子部品。

【請求項11】

前記抵抗体の前記第１部分と前記第１外部電極との間に配置される第１内部電極と、
前記抵抗体の前記第２部分と前記第２外部電極との間に配置される第２内部電極と、をさらに含む、請求項１０に記載の電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、抵抗体を含む電子部品に関するものである。

【背景技術】

【0002】

抵抗体（ｒｅｓｉｓｔｏｒ）は、電子回路内で電流を調節し電圧を降下させる役割を果たす。最近、電子機器が次第に小型化及び精密化するにつれて、抵抗体を含む電子部品のサイズも小型化しつつある。電子機器の小型化及び高性能化に伴い、抵抗体に印加される電流量が増加し、抵抗体から発生する熱も増加している。このような抵抗体から発生する熱により抵抗体を含む小型化された電子部品の高電力化に限界が生じる。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

本発明の技術的思想が解決しようとする課題は、放熱性能を改善させることができる電子部品を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0004】

本発明の一様態による電子部品を提供する。かかる電子部品は、互いに対向する第１面及び第２面を有する絶縁基板を含む。上記絶縁基板の上記第１面に突出部の外縁を画定する陥没領域を形成し、上記突出部上に抵抗体を配置する。上記抵抗体は上記突出部と自己整列される。上記抵抗体は、第１部分、第２部分、及び上記第１部分と上記第２部分との間の中間部分を含む。上記抵抗体の上記第１部分と電気的に接続された第１外部電極、及び上記抵抗体の上記第２部分と電気的に接続された第２外部電極を配置する。

【0005】

いくつかの実施例において、上記第１外部電極は、上記絶縁基板の上記第１面上に配置され、且つ上記抵抗体の上記第１部分と重なる部分から上記絶縁基板の側面を経て上記絶縁基板の上記第２面まで延長され、上記第２外部電極は、上記絶縁基板の上記第１面上に配置され、且つ上記抵抗体の上記第２部分と重なる部分から上記絶縁基板の側面を経て上記絶縁基板の上記第２面まで延長されることができる。

【0006】

他の実施例において、上記第１外部電極と上記抵抗体の上記第１部分との間に配置される第１内部電極と、上記第２外部電極と上記抵抗体の上記第２部分との間に配置される第２内部電極と、をさらに含むことができる。

【0007】

さらに他の実施例において、上記絶縁基板の上記第１面上に配置される保護絶縁層をさらに含む。また、上記保護絶縁層は、上記第１及び第２外部電極の間に配置され、上記抵抗体の上記中間部分を覆うことができる。

【0008】

さらに他の実施例において、上記陥没領域の深さは、上記絶縁基板の厚さの１０％〜４０％であることができる。

【0009】

さらに他の実施例において、上記抵抗体の上記第１部分は、上記絶縁基板の第１側面と垂直に整列された側面を有し、上記抵抗体の上記第２部分は、上記絶縁基板の第２側面と垂直に整列された側面を有する。また、上記絶縁基板の上記第１及び第２側面は互いに対向することができる。

【0010】

さらに他の実施例において、上記陥没領域によって外縁が画定されるダミー突出部と、上記ダミー突出部上に配置され、上記ダミー突出部と自己整列されるダミー抵抗パターンと、をさらに含むことができる。

【0011】

さらに他の実施例において、上記陥没領域は、第１陥没領域及び第２陥没領域を含む。また、上記第２陥没領域は、上記第１陥没領域よりも上記絶縁基板の上記第１面から深く陥没させることができる。

【0012】

さらに他の実施例において、パッドを含む回路基板をさらに含む。また、上記第１及び第２外部電極は、上記回路基板の上記パッドと電気的に接続されることができる。

【0013】

本発明の他の様態による電子部品を提供する。かかる電子部品は、陥没領域によって外縁が画定される突出部を有する絶縁基板を含む。上記突出部は、上記絶縁基板と一体に（ｉｎｔｅｇｒａｌｌｙ）形成される。上記突出部の側面と垂直に整列された側面を有する抵抗体を配置する。上記抵抗体は、連続的につながる第１部分、第２部分、及び上記第１部分と上記第２部分との間の中間部分を含む。上記抵抗体の上記第１部分と重なる第１外部電極、及び上記抵抗体の上記第２部分と重なる第２外部電極を配置する。上記第１及び第２外部電極の間に保護絶縁層を配置する。上記保護絶縁層は、上記抵抗体の上記中央部分及び上記陥没領域を覆う。

【0014】

いくつかの実施例において、上記抵抗体の上記第１部分と上記第１外部電極との間に配置される第１内部電極と、上記抵抗体の上記第２部分と上記第２外部電極との間に配置される第２内部電極と、をさらに含むことができる。

【発明の効果】

【0015】

本発明の実施例によると、抵抗体を含む電子部品の放熱特性を改善させることができる。これにより、抵抗体を含む電子部品、例えば、チップ抵抗器の放熱特性を改善させることができるため、抵抗体の許容電力を向上させることができる。その結果、高電力の電子部品、例えば、高電力のチップ抵抗器を提供することができる。

【0016】

本発明の多様かつ有益な長所及び効果は、上述の内容に限定されず、本発明の具体的な実施例を説明する過程においてより容易に理解することができる。

【図面の簡単な説明】

【0017】

【図1A】本発明の一実施例による電子部品の一例を示した分解斜視図である。

【図1B】本発明の一実施例による電子部品の一例を示す断面図である。

【図2】本発明の一実施例による電子部品の変形例を示す断面図である。

【図3A】本発明の一実施例による電子部品の他の変形例を示した分解斜視図である。

【図3B】本発明の一実施例による電子部品の他の変形例を示した断面図である。

【図4A】本発明の一実施例による電子部品の形成方法の一例を示す断面図である。

【図4B】本発明の一実施例による電子部品の形成方法の一例を示す断面図である。

【図4C】本発明の一実施例による電子部品の形成方法の一例を示す断面図である。

【図4D】本発明の一実施例による電子部品の形成方法の一例を示す断面図である。

【図5】本発明の一実施例による電子部品を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0018】

本発明の利点及び特徴、並びにこれらを達成するための方法は添付の図面とともに詳細に後述する実施例を参照すると明確になる。しかし、本発明は以下で開示される実施例に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で実現されることができ、本実施例は本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に対して発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は請求範囲の範疇によって定義されるだけである。

【0019】

本明細書で用いられる用語は、実施例を説明するためのもので、本発明を制限するためのものではない。本明細書において、単数形は文言で特に言及しない限り、複数形も含む。明細書で用いられる「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）」及び／または「含んでいる（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」は、記載された構成要素、段階、動作、及び／または素子が、一つ以上の他の構成要素、段階、動作、及び／または素子の存在または追加を排除しない。

【0020】

一つの素子（ｅｌｅｍｅｎｔ）が他の素子と「接続される」とは、他の素子と直接に接続された場合、または中間に他の素子を介在する場合をすべて含む。一方、一つの素子が他の素子と「直接に接続される」とは、中間に他の素子を介在しない場合を示す。また、「及び／または」とは、言及された構成要素のそれぞれ及び一つ以上の任意の組み合わせを含む。

【0021】

空間的に相対的な用語である「下（ｂｅｌｏｗ）」、「下（ｂｅｎｅａｔｈ）」、「下部（ｌｏｗｅｒ）」、「上（ａｂｏｖｅ）」、「上部（ｕｐｐｅｒ）」などは、図面に示すように、一つの素子または構成要素と他の素子または構成要素との相関関係を容易に記述するために用いることができる。空間的に相対的な用語は、図面に示される方向に加えて使用時または動作時の素子の互いに異なる方向を含む用語として理解されなければならない。例えば、図面に示される素子を逆さまにする場合は、他の素子の「下（ｂｅｌｏｗ）」または「下（ｂｅｎｅａｔｈ）」と記述された素子は、他の素子の「上（ａｂｏｖｅ）」に配置されることができる。

【0022】

また、本明細書で記述される実施例は、本発明の理想的な例示図である斜視図及び／または断面図を参照して説明する。図面において、層及び領域の厚さ、または陥没領域の深さは、技術的内容を効果的に説明するために誇張されたものである。これにより、製造技術及び／または許容誤差などにより例示図の形態が変形されることがある。したがって、本発明の実施例は、図示された特定の形態に限定されるものではなく、製造工程に応じて生成される形態の変化も含むものである。例えば、直角に図示された領域は、ラウンド状であってもよく、所定の曲率を有する形状であってもよい。したがって、図面に例示された領域は、概略的な属性を有し、図面に例示された領域の形状は、素子の領域の特定の形態を例示するためのもので、発明の範疇を制限するためのものではない。

【0023】

明細書の全体にわたって同一の参照符号は同一の構成要素を指す。したがって、同一の参照符号または類似の参照符号は、該当する図面に記載または説明されなくても、他の図面を参照して説明することができる。また、参照符号が表示されなくても、他の図面を参照して説明することができる。

【0024】

本明細書において、「前面（ｆｒｏｎｔ ｓｉｄｅ）」及び「背面（ｂａｃｋ ｓｉｄｅ）」は、本発明の技術的思想を理解しやすく説明するために相対的な概念で使用されたものである。したがって、「前面」及び「背面」は、特定の方向、位置、または構成要素を指すものではなく、互いに互換されることができる。例えば、「前面」を「背面」と解釈することができ、「背面」を「前面」と解釈することもできる。したがって、「前面」を「第１面」と表現してもよく、「背面」を「第２面」と表現してもよい。また、「背面」を「第１面」と表現してもよく、「前面」を「第２面」と表現してもよい。しかし、一つの実施例内では「前面」と「背面」を混用しない。

【0025】

以下、図１Ａ及び図１Ｂを参照して、本発明の一実施例による電子部品の一例を説明し、図２を参照して、本発明の一実施例による電子部品の変形例を説明し、図３Ａ及び図３Ｂを参照して、本発明の一実施例による電子部品の他の変形例を説明する。

【0026】

図１Ａは、本発明の一実施例による電子部品の一例を説明するために、電子部品のいくつかの構成要素を分解して示す分解斜視図であり、図１Ｂは、図１Ａに示す分解されたいくつかの構成要素が結合された状態における断面を示した断面図である。また、図１Ｂは、図１ＡのＩ−Ｉ'線に沿って切断して得られた領域、及び図１ＡのＩＩ−ＩＩ'線に沿って切断して得られた領域を示した断面図である。図２は、本発明の一実施例による電子部品の変形例を説明するために、図１Ｂの断面図に対応する領域を示した断面図である。

【0027】

図３Ａは、本発明の一実施例による電子部品の他の変形例を説明するために、電子部品のいくつかの構成要素を分解して示す分解斜視図であり、図３Ｂは、図３Ａに示す分解されたいくつかの構成要素が結合された状態における断面を示した断面図である。また、図３Ｂは、図３ＡのＩ−Ｉ'線に沿って切断して得られた領域、及び図３ＡのＩＩ−ＩＩ'線に沿って切断して得られた領域を示した断面図である。

【0028】

まず、図１Ａ及び図１Ｂを参照して、本発明の一実施例による電子部品１の一例について説明する。

【0029】

図１Ａ及び図１Ｂを参照すると、本発明の一実施例による電子部品１は、陥没領域１２及び突出部１４を有する絶縁基板１０、抵抗体２２、電極４０ａ、４０ｂ、６０ａ、６０ｂ、及び保護絶縁層５０を含むことができる。

【0030】

上記絶縁基板１０は、互いに対向する第１面ＦＳ及び第２面ＢＳを有することができる。上記第１面ＦＳは、前面（ｆｒｏｎｔ ｓｉｄｅ）を指すことができ、上記第２面ＢＳは、背面（ｂａｃｋ ｓｉｄｅ）を指すことができる。上記絶縁基板１０は、熱伝導度に優れた物質で形成することができる。例えば、上記絶縁基板１０は、アルミナなどのような絶縁性のセラミックで形成することができる。

【0031】

上記絶縁基板１０の上記陥没領域１２は、上記絶縁基板１０の上記第１面ＦＳに形成することができ、上記突出部１４の外縁を画定することができる。上記突出部１４は、上記絶縁基板１０から上部に隆起する形状であることができる。これにより、上記突出部１４は、上記絶縁基板１０と一体に（ｉｎｔｅｇｒａｌｌｙ）形成されることができる。平面において、上記突出部１４は連続的につながることができる。

【0032】

上記陥没領域１２は、上記絶縁基板１０の上記第１面ＦＳから第１深さＤだけ陥没された領域であってもよい。上記第１深さＤは、上記絶縁基板１０の厚さＴの約１０％〜約４０％であることができる。上記絶縁基板１０の上記厚さＴとは、上記絶縁基板１０の上記第１面ＦＳと上記第２面ＢＳとの間の距離と定義することができる。

【0033】

上記抵抗体２２は、上記突出部１４上に配置することができる。上記抵抗体２２は、上記突出部１４と自己整列（例えば、面方向に沿った位置合わせなど）されることができる。上記抵抗体２２の側面は、上記突出部１４の側面と垂直に整列されることができる。上記抵抗体２２は、ＴａＮまたはＴｉＮなどの金属窒化物で形成することができる。

【0034】

上記抵抗体２２は、第１部分２２ａ、第２部分２２ｂ、及び上記第１部分２２ａと上記第２部分２２ｂとの間の中間部分２２ｃを含むことができる。上記抵抗体２２の上記第１部分２２ａ、上記中間部分２２ｃ、及び上記第２部分２２ｂは、連続的につながることができる。上記中間部分２２ｃは、需要者が所望する上記抵抗体２２の抵抗値に応じて様々な形状または長さ／幅を有するように変形することができる。

【0035】

上記抵抗体２２の上記第１部分２２ａは、上記絶縁基板１０の第１側面１０ｓ１と垂直に整列された側面２２ｓ１を有することができる。上記抵抗体２２の上記第２部分２２ｂは、上記絶縁基板１０の第２側面１０ｓ２と垂直に整列された側面２２ｓ２を有することができる。また、上記絶縁基板１０の上記第１及び第２側面１０ｓ１、１０ｓ２は、互いに対向することができる。

【0036】

上記電極４０ａ、４０ｂ、６０ａ、６０ｂは、内部電極４０ａ、４０ｂ及び外部電極６０ａ、６０ｂを含むことができる。

【0037】

上記内部電極４０ａ、４０ｂは、上記抵抗体２２の上記第１部分２２ａ上に配置される第１内部電極４０ａと、上記抵抗体２２の上記第２部分２２ｂ上に配置される第２内部電極４０ｂと、を含むことができる。上記第１及び第２内部電極４０ａ、４０ｂは、上記抵抗体２２とは異なる導電性物質で形成することができる。例えば、上記第１及び第２内部電極４０ａ、４０ｂは、Ｔｉ／Ｃｕ物質などの導電性物質で形成することができる。

【0038】

上記外部電極６０ａ、６０ｂは、上記抵抗体２２の上記第１部分２２ａと電気的に接続される第１外部電極６０ａと、上記抵抗体２２の上記第２部分２２ｂと電気的に接続される第２外部電極６０ｂと、を含むことができる。

【0039】

上記第１外部電極６０ａは、上記絶縁基板１０の上記第１面ＦＳ上に配置され、且つ上記抵抗体２２の上記第１部分２２ａと重なる部分から上記絶縁基板１０の側面を経て上記絶縁基板１０の上記第２面ＢＳまで延長されることができる。上記第２外部電極６０ｂは、上記絶縁基板１０の上記第１面ＦＳ上に配置され、且つ上記抵抗体２２の上記第２部分２２ｂと重なる部分から上記絶縁基板１０の側面を経て上記絶縁基板１０の上記第２面ＢＳまで延長されることができる。

【0040】

上記第１内部電極４０ａは、上記抵抗体２２の上記第１部分２２ａと上記第１外部電極６０ａとの間に介在することができる。これにより、上記第１外部電極６０ａは、上記第１内部電極４０ａを介して上記抵抗体２２の上記第１部分２２ａと電気的に接続されることができる。上記第２内部電極４０ｂは、上記抵抗体２２の上記第２部分２２ｂと上記第２外部電極６０ｂとの間に介在することができる。これにより、上記第２外部電極６０ｂは、上記第２内部電極４０ｂを介して上記抵抗体２２の上記第２部分２２ｂと電気的に接続されることができる。

【0041】

上記保護絶縁層５０は、上記絶縁基板１０の上記第１面ＦＳ上に配置することができる。上記保護絶縁層５０は、上記第１及び第２外部電極６０ａ、６０ｂの間に配置し、且つ上記抵抗体２２の上記中間部分２２ｃ及び上記陥没領域１２を覆うことができる。上記保護絶縁層５０は、シリコン酸化物、ガラス、及び／またはポリマーなどのような絶縁性物質で形成することができる。

【0042】

上記抵抗体２２を含む上記電子部品１が電子機器内で動作するとき、上記絶縁基板１０の表面積は、上記陥没領域１２の側壁、すなわち、上記突出部１４の側面の面積だけ増加することができるため、上記抵抗体２２から発生する熱を効果的に放出することができる。例えば、上記抵抗体２２から発生する熱は、上記絶縁基板１０内に伝達されることができ、上記絶縁基板１０の内部に伝達された熱は、上記絶縁基板１０の表面を介して外部に放出されることができる。

【0043】

一実施例によると、上記陥没領域１２及び上記突出部１４により、上記絶縁基板１０の表面積を増加させることができるため、上記抵抗体２２から発生する熱を上記絶縁基板１０を介して効率的に放出させることができる。これにより、上記抵抗体２２を含む電子部品１の放熱特性を改善させることができる。

【0044】

一実施例による電子部品１の放熱特性をさらに改善させるために、上記陥没領域１２を変形させることができる。以下、このような上記陥没領域１２の変形例について図２を参照して説明する。

【0045】

図２を参照して説明すると、陥没領域１２は、第１陥没領域１２ａ及び第２陥没領域１２ｂを含むことができる。上記第２陥没領域１２ｂは、上記絶縁基板１０の全体の表面積を増加させるために、上記第１陥没領域１２ａの底から上記絶縁基板１０の内部に陥没された領域であることができる。上記第２陥没領域１２ｂは、上記第１陥没領域１２ａよりも深く陥没された領域であることができる。上記突出部１４は、上記第１陥没領域１２ａによって外縁が画定されることができる。このように、上記第２陥没領域１２ｂを形成することにより、上記絶縁基板１０の表面積を増加させることができるため、上記抵抗体２２を含む電子部品１の放熱特性を改善させることができる。

【0046】

一方、本発明の技術的思想の一実施例による電子部品１は、ダミー突出部１６及びダミー抵抗パターン２４をさらに含むことができる。以下、上記ダミー突出部１６及び上記ダミー抵抗パターン２４について図３Ａ及び図３Ｂを参照して説明する。ここで、説明の便宜上、また、理解を助けるために、図１Ａ及び図１Ｂを参照して説明した構成要素を図３Ａ及び図３Ｂについての説明でも同様に用いる。

【0047】

図３Ａ及び図３Ｂを参照すると、上記ダミー突出部１６は、上記陥没領域１２によって外縁が画定されることができる。上記ダミー突出部１６は、上記突出部１４と同一の高さで形成することができる。上記ダミー抵抗パターン２４は、上記ダミー突出部１６上に配置することができる。上記ダミー抵抗パターン２４は、上記抵抗体２２と同一の厚さで形成し、同一の物質で形成することができる。

【0048】

上記ダミー突出部１６により、上記絶縁基板１０の表面積を増加させることができるため、上記抵抗体２２から発生する熱を上記絶縁基板１０を介して効率的に放出させることができる。また、上記ダミー突出部１６と直接に接触する上記ダミー抵抗パターン２４も熱を放出させる役割を果たすことができる。これにより、上記ダミー突出部１６及び上記ダミー抵抗パターン２４は、上記抵抗体２２を含む電子部品１の放熱特性を改善させることができる。

【0049】

次に、図１Ａ及び図１Ｂを参照して説明した本発明の技術的思想の一実施例による電子部品の形成方法の一例を説明する。このような電子部品の形成方法の一例は、図１Ａ及び図１Ｂとともに図４Ａ〜図４Ｄを参照して説明する。図４Ａ〜図４Ｄは、図１ＡのＩ−Ｉ'線に沿って切断して得られた領域を示す断面図である。

【0050】

図４Ａを参照すると、絶縁基板１０上に抵抗層２０を形成することができる。上記絶縁基板１０は、熱伝導度に優れたアルミナなどのような絶縁性のセラミックで形成することができる。上記抵抗層２０は、蒸着工程を用いて形成することができる。例えば、上記抵抗層２０は、スパッタリング蒸着工程を用いて形成することができる。上記抵抗層２０は、ＴｉＮまたはＴａＮなどのような金属窒化物で形成することができる。

【0051】

図４Ｂを参照すると、上記抵抗層（図４Ａの２０）上にフォトレジストパターン３０を形成することができる。上記フォトレジストパターン３０をエッチングマスクとして用いることにより、上記抵抗層（図４Ａの２０）をエッチングすることで抵抗体２２を形成することができる。上記抵抗体２２は、第１部分２２ａ、第２部分２２ｂ、及び上記第１部分２２ａと上記第２部分２２ｂとの間の中間部分２２ｃを含むように形成することができる。上記抵抗体２２の上記第１部分２２ａ、上記中間部分２２ｃ、及び上記第２部分２２ｂは、連続的につながるように形成することができる。上記中間部分２２ｃは、需要者が所望する上記抵抗体２２の抵抗値に応じて様々な形状または長さ／幅を有するように変形することができる。

【0052】

上記抵抗層（図４Ａの２０）は、ドライエッチング工程でエッチングすることができる。但し、本発明の技術的思想はこれに限定されない。例えば、上記抵抗層（図４Ａの２０）は、ウェットエッチング工程でエッチングすることもできる。

【0053】

図４Ｃを参照すると、上記フォトレジストパターン３０をエッチングマスクとして用いることにより、上記絶縁基板１０をエッチングすることで突出部１４の外縁を画定する陥没領域１２を形成することができる。上記陥没領域１２の深さＤは、上記絶縁基板１０の厚さＴの約１０％〜約４０％にすることができる。

【0054】

上記フォトレジストパターン３０をエッチングマスクとして用いることにより、上記抵抗層（図４Ａの２０）及び上記絶縁基板１０の順にエッチングすると、上記抵抗体２２及び上記突出部１４が上記フォトレジストパターン３０の下部に残存して形成できるようになる。これにより、上記突出部１４及び上記抵抗体２２は、同一の形状に形成されることができ、自己整列（例えば、面方向に沿った位置合わせなど）されることができる。

【0055】

図４Ｄを参照すると、上記フォトレジストパターン（図４Ｃの３０）を選択的に除去することができる。

【0056】

再び、図１Ａ及び図１Ｂを参照すると、上記抵抗体２２上に第１及び第２内部電極４０ａ、４０ｂを形成することができる。上記第１内部電極４０ａは、上記抵抗体２２の上記第１部分２２ａと接続されるように形成することができ、上記第２内部電極４０ｂは、上記抵抗体２２の上記第２部分２２ｂと接続されるように形成することができる。また、上記抵抗体２２の上記中間部分２２ｃを覆う保護絶縁層５０を形成することができる。上記保護絶縁層５０は、シリコン酸化物、ガラス、及び／またはポリマーなどのような絶縁性物質で形成することができる。なお、上記第１内部電極４０ａと接続される第１外部電極６０ａ、及び上記第２内部電極４０ｂと接続される第２外部電極６０ｂを形成することができる。

【0057】

次に、図５を参照して、本発明の一実施例による他の電子部品１００について説明する。図５は、本発明の一実施例による他の電子部品を示す断面図である。

【0058】

図５を参照すると、本発明の一実施例による他の電子部品１００は、パッド１２０を含む回路基板１１０上に実装された電子部品１を含むことができる。上記回路基板１１０はプリント回路基板であってもよい。

【0059】

上記回路基板１１０上に実装される上記電子部品１は、図１Ａ〜図３Ｂを用いて説明した本発明の一実施例による電子部品１の例のうちいずれか一つであってもよい。上記回路基板１１０は、上記絶縁基板１０の第２面と相対することができる。上記電子部品１の上記第１及び第２外部電極６０ａ、６０ｂは、上記回路基板１１０の上記パッド１２０と電気的に接続されることができる。上記電子部品１の上記第１及び第２外部電極６０ａ、６０ｂと上記回路基板１１０のパッド１２０とは半田１３０を介して物理的に接続されることができる。

【0060】

本発明の実施例によると、上記絶縁基板１０の上記陥没領域１２及び上記突出部１４により、上記絶縁基板１０の表面積を増加させることができる。このように表面積が増加した絶縁基板１０は、上記突出部１４上に形成される上記抵抗体２２から発生する熱を効果的に放出することができる。これにより、上記抵抗体２２を含む電子部品１の放熱特性を改善させることができる。上記抵抗体２２を含む電子部品１、例えば、チップ抵抗器の放熱特性を改善させることができるため、上記抵抗体２２の許容電力を向上させることができる。その結果、高電力の電子部品１、例えば、高電力のチップ抵抗器を提供することができる。

【0061】

以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、本発明の範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有するものには明らかである。

【符号の説明】

【0062】

１ 電子部品
１０ 絶縁基板
１２ 陥没領域
１４ 突出部
２０ 抵抗層
２２ 抵抗体（ｒｅｓｉｓｔｏｒ）
２２ａ 第１部分
２２ｂ 第２部分
２２ｃ 中間部分
３０ フォトレジストパターン
４０ａ 第１内部電極
４０ｂ 第２内部電極
６０ａ 第１外部電極
６０ｂ 第２外部電極
１１０ 回路基板
１２０ パッド

【図1A】

【図1B】

【図2】

【図3A】

【図3B】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図4D】

【図5】