特開 2019-114738 リードフレームの製造方法、リードフレーム、樹脂付きリードフレームおよび半導体装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】特開2019-114738(P2019-114738A)

(43)【公開日】2019年7月11日

(54)【発明の名称】リードフレームの製造方法、リードフレーム、樹脂付きリードフレームおよび半導体装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/50 20060101AFI20190621BHJP

   H01L 23/29 20060101ALI20190621BHJP

   H01L 23/31 20060101ALI20190621BHJP

   H01L 33/62 20100101ALI20190621BHJP

【ＦＩ】

   H01L23/50 A

   H01L23/50 D

   H01L23/50 Y

   H01L23/30 F

   H01L33/62

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

【全頁数】15

(21)【出願番号】特願2017-248932(P2017-248932)

(22)【出願日】2017年12月26日

(71)【出願人】

【識別番号】000144038

【氏名又は名称】株式会社三井ハイテック

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】特許業務法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】南 正貴

(72)【発明者】

【氏名】佐藤 隆博

(72)【発明者】

【氏名】籔 真寿

(72)【発明者】

【氏名】西村 権一

【テーマコード（参考）】

4M109

5F067

5F142

【Ｆターム（参考）】

4M109AA01

4M109BA01

4M109CA21

4M109EA02

4M109EA10

4M109EA12

4M109EE12

4M109GA01

5F067AB04

5F067BA02

5F067CC03

5F067CC07

5F067DA16

5F067DA17

5F067DC15

5F067DE04

5F142AA58

5F142BA02

5F142BA24

5F142CA02

5F142CC16

5F142CC26

5F142CD17

5F142CG03

5F142FA01

5F142FA44

(57)【要約】

【課題】半導体装置の信頼性を良好に維持すること。
【解決手段】リードフレームの製造方法は、めっき膜形成工程と、レジストパターン形成工程と、エッチング工程と、剥離工程と、洗浄工程とを含む。めっき膜形成工程は、リードフレームの基材である金属基板にめっき膜を形成する。レジストパターン形成工程は、めっき膜上にレジスト膜を形成して金属基板上に所定のレジストパターンを形成する。エッチング工程は、レジストパターンが形成された金属基板をエッチングする。剥離工程は、エッチングされた金属基板からレジストパターンを剥離する。洗浄工程は、レジストパターンが剥離された金属基板を洗浄液中に浸漬させながら洗浄する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

リードフレームの基材である金属基板にめっき膜を形成するめっき膜形成工程と、
前記めっき膜上にレジスト膜を形成して、前記金属基板上に所定のレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターンが形成された前記金属基板をエッチングするエッチング工程と、
エッチングされた前記金属基板から前記レジストパターンを剥離する剥離工程と、
前記レジストパターンが剥離された前記金属基板を洗浄液中に浸漬させながら洗浄する洗浄工程と、を含むこと
を特徴とするリードフレームの製造方法。

【請求項2】

前記洗浄工程は、前記洗浄液中に浸漬させながら前記金属基板に電界を印加して行われること
を特徴とする請求項１に記載のリードフレームの製造方法。

【請求項3】

前記剥離工程と前記洗浄工程との間に、前記金属基板を脱脂する脱脂工程をさらに含むこと
を特徴とする請求項２に記載のリードフレームの製造方法。

【請求項4】

前記脱脂工程は、脱脂液中に浸漬させながら前記金属基板に電界を印加して行われること
を特徴とする請求項３に記載のリードフレームの製造方法。

【請求項5】

半導体素子を搭載可能な搭載面を有するパッドを備え、
前記パッドは、裏面における周縁部にハーフエッチング加工された部位を有し、
前記パッドの前記搭載面全面および裏面の周縁部以外の部位にはめっき膜が形成され、前記パッドの裏面の周縁部におけるハーフエッチング加工された部位および側面には前記めっき膜が形成されないこと
を特徴とするリードフレーム。

【請求項6】

ボンディングワイヤを接合可能である別のパッドをさらに備え、
前記別のパッドは、裏面における周縁部にハーフエッチング加工された部位を有し、
前記別のパッドの前記ボンディングワイヤが接合される面全面および裏面の周縁部以外の部位には前記めっき膜が形成され、前記別のパッドの裏面の周縁部におけるハーフエッチング加工された部位および側面には前記めっき膜が形成されないこと
を特徴とする請求項５に記載のリードフレーム。

【請求項7】

複数の前記パッドを備える請求項５または６に記載のリードフレームと、
複数の前記パッドの間に形成される空隙に設けられ、複数の前記パッドを環状に囲む凸部が設けられる樹脂部と、
を備え、
前記樹脂部が、前記パッドの前記裏面の前記周縁部におけるハーフエッチング加工された部位および前記側面と直接密着して覆う抱え込み部を有すること
を特徴とする樹脂付きリードフレーム。

【請求項8】

請求項７に記載の樹脂付きリードフレームと、
前記樹脂付きリードフレームの前記パッドの搭載面に搭載されるＬＥＤ素子と、
前記樹脂付きリードフレームの前記搭載面側の面に形成され、前記ＬＥＤ素子を覆う透明樹脂部と、を備えること
を特徴とする半導体装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

開示の実施形態は、リードフレームの製造方法、リードフレーム、樹脂付きリードフレームおよび半導体装置に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、リードフレームの基材となる金属基板に対して、先にめっき膜を形成し、その後金属基板を所定の形状にエッチングして、リードフレームを製造する技術が知られている（たとえば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１１−１８１９６４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、上述のリードフレームの製造方法では、めっき膜上にレジストパターンを形成し、かかるレジストパターンを用いて金属基板を所定の形状にエッチングした後にレジストパターンを剥離することから、めっき膜上にレジストパターンの残渣が残る場合がある。これにより、かかるリードフレームを用いて半導体装置を製造する際に、めっき膜上に接合されるボンディングワイヤの接合強度が低下することから、半導体装置の信頼性に悪影響を与える恐れがあった。

【0005】

実施形態の一態様は、上記に鑑みてなされたものであって、半導体装置の信頼性を良好に維持することができるリードフレームの製造方法、リードフレーム、樹脂付きリードフレームおよび半導体装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

実施形態の一態様に係るリードフレームの製造方法は、めっき膜形成工程と、レジストパターン形成工程と、エッチング工程と、剥離工程と、洗浄工程とを含む。前記めっき膜形成工程は、リードフレームの基材である金属基板にめっき膜を形成する。前記レジストパターン形成工程は、前記めっき膜上にレジスト膜を形成して、前記金属基板上に所定のレジストパターンを形成する。前記エッチング工程は、前記レジストパターンが形成された前記金属基板をエッチングする。前記剥離工程は、エッチングされた前記金属基板から前記レジストパターンを剥離する。前記洗浄工程は、前記レジストパターンが剥離された前記金属基板を洗浄液中に浸漬させながら洗浄する。

【発明の効果】

【0007】

実施形態の一態様によれば、半導体装置の信頼性を良好に維持することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、実施形態に係るリードフレームの製造方法の概要を説明するための図である。

【図2】図２は、実施形態に係るリードフレームの模式図および拡大図である。

【図3】図３は、実施形態に係る樹脂付きリードフレームの模式図および拡大図である。

【図4】図４は、実施形態に係るリードフレームの製造方法の処理の流れを説明するための図である。

【図5】図５は、実施形態に係る脱脂処理を説明するための図である。

【図6】図６は、実施形態に係る洗浄処理を説明するための図である。

【図7】図７は、実施形態に係る樹脂付きリードフレームおよび半導体装置の製造方法の処理の流れを説明するための図である。

【図8】図８は、実施形態に係るリードフレームおよび樹脂付きリードフレームの製造方法の処理手順を示すフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、添付図面を参照して、本願の開示するリードフレームの製造方法、リードフレーム、樹脂付きリードフレームおよび半導体装置について説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。

【0010】

＜製造方法の概要＞
最初に、図１を参照しながら、実施形態に係るリードフレーム１における製造方法の概要について説明する。図１は、実施形態に係るリードフレーム１の製造方法の概要を説明するための図である。

【0011】

実施形態では、まず、リードフレーム１（図２参照）の基材である金属基板２０（図４の（ｄ）参照）のおもて面および裏面における所定の箇所に対して、めっき膜２４（図４の（ｄ）参照）を形成する（ステップＳ１）。

【0012】

つづいて、めっき膜２４が形成された金属基板２０に対してレジスト膜２１（図４の（ｅ）参照）を形成して露光および現像処理を行い、所定のレジストパターン２１ｂ（図４の（ｆ）参照）を形成する（ステップＳ２）。

【0013】

つづいて、レジストパターン２１ｂが形成された金属基板２０に対してエッチングを行い（ステップＳ３）、金属基板２０を所定の形状に加工する。そして、所定の形状に加工された金属基板２０から、レジストパターン２１ｂを剥離する（ステップＳ４）。

【0014】

しかしながら、かかる剥離処理を行った金属基板２０では、レジストパターン２１ｂの残渣がめっき膜２４の表面に残ってしまう。そして、かかるめっき膜２４表面の残渣により、半導体装置３（図７の（ｄ）参照）を製造する際に、めっき膜２４上に接合されるボンディングワイヤ２９（図７の（ｂ）参照）の接合強度が低下する恐れがある。

【0015】

そこで、実施形態では、剥離処理を行った金属基板２０に対して、所定の洗浄処理を行う（ステップＳ５）。これにより、めっき膜２４の表面に残った残渣を除去することができる。

【0016】

したがって、実施形態によれば、めっき膜２４上に接合されるボンディングワイヤ２９の接合強度が低下することを抑制することができることから、半導体装置３の信頼性を良好に維持することができる。

【0017】

＜リードフレームおよび樹脂付きリードフレームの概要＞
次に、図２および図３を参照しながら、実施形態に係るリードフレーム１および樹脂付きリードフレーム２の概要について説明する。図２は、実施形態に係るリードフレーム１の模式図および拡大図である。

【0018】

なお、実施形態ではＬＥＤ素子２８が搭載された半導体装置３の製造に用いられるリードフレーム１について示す。一方で、その他のタイプの半導体装置の製造に用いられるリードフレーム１に適用するようにしてもよい。

【0019】

リードフレーム１は、平面視で四角枠状の枠体１０を有しており、かかる枠体１０内に複数の単位リードフレーム１２がマトリックス状に並べられた単位リードフレーム形成領域１１が複数（実施形態では４つ）設けられる。そして、単位リードフレーム１２の外周部には、隣接する単位リードフレーム１２同士を接続する接続部１３が設けられる。

【0020】

単位リードフレーム１２は、接続部１３と、複数のパッド１４とを有する。パッド１４は、ＬＥＤ素子２８が搭載される第１パッド１４ａと、ボンディングワイヤ２９が接合される第２パッド１４ｂとを有する。

【0021】

そして、第１パッド１４ａは隣接する単位リードフレーム１２の第１パッド１４ａと接続部１３で接続され、第２パッド１４ｂは隣接する単位リードフレーム１２の第２パッド１４ｂと接続部１３で接続される。なお、図２には示していないが、第１パッド１４ａは隣接する単位リードフレーム１２の第２パッド１４ｂと接続部１３で接続されてもよい。

【0022】

実施形態に係るリードフレーム１は、銅や銅合金などで構成される金属基板２０にエッチング加工が施されて、枠体１０や単位リードフレーム形成領域１１、単位リードフレーム１２などが形成される。かかるエッチング加工には、両面をエッチング加工して開口部を形成するフルエッチング加工と、裏面側をエッチング加工して厚さを薄くするハーフエッチング加工とがある。

【0023】

なお、本願明細書の拡大平面図では、理解を容易にするため、ハーフエッチング加工が施されている部位には何らかのハッチングを施すこととし、同じ厚さでハーフエッチング加工されている部位には同じハッチングを施すこととする。

【0024】

図２に示すように、実施形態にかかるリードフレーム１では、接続部１３およびパッド１４の周縁部にハーフエッチング加工が施されている。

【0025】

図３は、実施形態に係る樹脂付きリードフレーム２の模式図および拡大図である。図３に示す樹脂付きリードフレーム２は、たとえば、ＬＥＤ素子２８（図７の（ｂ）参照）が搭載された半導体装置３（図７の（ｄ）参照）の製造に用いられるリードフレームである。

【0026】

なお、実施形態ではＬＥＤ素子２８が搭載された半導体装置３の製造に用いられる樹脂付きリードフレーム２について示す。一方で、その他のタイプの半導体装置の製造に用いられる樹脂付きリードフレーム２に適用するようにしてもよい。

【0027】

樹脂付きリードフレーム２は、単位リードフレーム１２内に形成される空隙に樹脂部１５が設けられる点が、上述のリードフレーム１と異なる。すなわち、樹脂付きリードフレーム２は、上述のリードフレーム１と、樹脂部１５とを備える。

【0028】

樹脂部１５は、単位リードフレーム１２内（たとえば、複数のパッド１４の間）に形成される空隙に設けられ、たとえば、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂、セラミック樹脂などの熱硬化性樹脂で構成される。なお、樹脂部１５は、たとえば、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイドなどの熱可塑性樹脂で構成してもよい。樹脂部１５は、接続部１３やパッド１４と一体で成型される。

【0029】

＜製造方法の詳細＞
つづいて、図４〜図７を参照しながら、実施形態に係るリードフレーム１、樹脂付きリードフレーム２および半導体装置３における製造方法の詳細について説明する。図４は、実施形態に係るリードフレーム１の製造方法の処理の流れを説明するための図であり、各処理を断面視した図である。

【0030】

最初に、図４の（ａ）に示すように、金属基板２０のおもて面および裏面全面にフォトレジストの機能を有するレジスト膜２１を形成した後、所定のパターン２２ａ、２３ａが形成されたガラスマスク２２、２３を位置合わせした状態でそれぞれおもて面および裏面にかぶせる。そして、かかるガラスマスク２２、２３を介して金属基板２０の両面を紫外光で露光する。

【0031】

そして、露光処理の後にガラスマスク２２、２３を外し、金属基板２０を現像液に浸漬して現像すると、図４の（ｂ）に示すように、紫外光の当たった部分、すなわちめっき膜２４を形成したい部分のレジスト膜２１のみが除去され、所定のレジストパターン２１ａが形成される。

【0032】

次に、レジストパターン２１ａが形成された金属基板２０をめっき槽に浸漬させることにより、図４の（ｃ）に示すように、金属基板２０における所定の箇所にめっき膜２４が形成される。かかるめっき膜２４は、たとえば、パラジウムめっきや銀めっきなどである。

【0033】

また、めっき膜２４は、少なくともＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ／ＡｇまたはＡｇを含む。なお、実施形態にかかるめっき膜形成処理は、電解めっき処理でもよいし、無電解めっき処理でもよい。

【0034】

次に、図４の（ｄ）に示すように、めっき膜２４が形成された金属基板２０からレジストパターン２１ａを剥離する。そして、図４の（ｅ）に示すように、めっき膜２４が形成された金属基板２０に対して、おもて面および裏面全体にふたたびレジスト膜２１を形成した後、所定のパターン２５ａ、２６ａが形成されたガラスマスク２５、２６を位置合わせした状態でそれぞれおもて面および裏面にかぶせる。そして、かかるガラスマスク２５、２６を介して金属基板２０の両面を紫外光で露光する。

【0035】

なお、図４の（ｅ）に示すように、露光処理の際、めっき膜２４の表面に形成されるレジスト膜２１には紫外線が照射されないように、所定のパターン２５ａ、２６ａが形成される。

【0036】

次に、露光処理の後にガラスマスク２５、２６を外し、金属基板２０を現像液に浸漬して現像すると、図４の（ｆ）に示すように、紫外光の当たった部分、すなわち金属基板２０をエッチングしたい部分のレジスト膜２１のみが除去され、所定のレジストパターン２１ｂが形成される。

【0037】

次に、レジストパターン２１ｂが形成された金属基板２０のおもて面および裏面に、図４の（ｇ）に示すように、噴射ノズル２７によりエッチング液を吹き付けてエッチング処理を行う。かかるエッチング処理により、金属基板２０においてめっき膜２４が形成されていない部分が溶解除去されて、金属基板２０が所定の形状に加工される。

【0038】

次に、図４の（ｈ）に示すように、エッチング処理された金属基板２０からレジストパターン２１ｂを剥離する。これにより、所定の形状に加工され（たとえば、第１パッド１４ａや第２パッド１４ｂが形成され）、おもて面および裏面にめっき膜２４が形成された金属基板２０が得られる。

【0039】

次に、かかる金属基板２０に対して脱脂処理を行う。図５は、実施形態に係る脱脂処理を説明するための図である。かかる脱脂処理が行われる脱脂処理装置４０は、たとえば、処理槽４１と、平板状の陰極４２と、直流電源４３とを備える。そして、処理槽４１の内部に脱脂液４４が充填されるとともに、かかる脱脂液４４に浸るように陰極４２が設置される。

【0040】

脱脂液４４は、たとえば、珪酸ナトリウムを主成分とする脱脂液であり、対象物の表面から有機物を除去することができる。

【0041】

また、脱脂処理が行われる金属基板２０は、脱脂液４４に浸り、陰極４２に向かい合うように設置される。そして、直流電源４３の正極側が金属基板２０に接続されるとともに、直流電源４３の負極側が陰極４２に接続されることにより、金属基板２０に電界が印加されて、脱脂処理が行われる。

【0042】

かかる脱脂処理によって、金属基板２０およびめっき膜２４の表面からレジストパターン２１ｂの残渣といった有機物の付着物を除去することができる。実施形態では、かかる脱脂処理を行うことにより、めっき膜２４に残るレジストパターン２１ｂの残渣を良好に除去することができる。

【0043】

なお、実施形態では、電界を印加しながら脱脂処理を行った例について示したが、電界を印加せずに脱脂処理を行ってもよい。一方で、電界を印加しながら脱脂処理を行うことにより、めっき膜２４に残るレジストパターン２１ｂの残渣をさらに良好に除去することができる。

【0044】

かかる脱脂処理につづいて、実施形態では金属基板２０に対して洗浄処理を行う。図６は、実施形態に係る洗浄処理を説明するための図である。かかる洗浄処理が行われる洗浄処理装置５０は、たとえば、処理槽５１と、平板状の陰極５２と、直流電源５３とを備える。そして、処理槽５１の内部に洗浄液５４が充填されるとともに、かかる洗浄液５４に浸るように陰極５２が設置される。

【0045】

洗浄液５４は、たとえば、グリコリル尿素を主成分とする洗浄液であり、対象物の表面を剥離して、かかる表面に付着する残渣などを除去することができる。

【0046】

また、洗浄処理が行われる金属基板２０は、洗浄液５４に浸り、陰極５２に向かい合うように設置される。そして、直流電源５３の正極側が金属基板２０に接続されるとともに、直流電源５３の負極側が陰極５２に接続されることにより、金属基板２０に電界が印加されて、洗浄処理が行われる。

【0047】

かかる洗浄処理によって、金属基板２０およびめっき膜２４の表面を剥離して、かかる表面に付着する残渣などを除去することができる。これにより、実施形態にかかるリードフレーム１が完成する。

【0048】

実施形態では、かかる洗浄処理を行うことにより、めっき膜２４に付着するレジストパターン２１ｂの残渣を除去することができる。したがって、実施形態によれば、めっき膜２４上に接合されるボンディングワイヤ２９の接合強度が低下することを抑制することができることから、リードフレーム１を用いた半導体装置３の信頼性を良好に維持することができる。

【0049】

なお、上述の実施形態では、金属基板２０に電界を印加しながら洗浄処理を行った例について示したが、金属基板２０に電界を印加せずに洗浄処理を行ってもよい。

【0050】

一方で、金属基板２０に電界を印加しながら洗浄処理を行うことにより、めっき膜２４に付着するレジストパターン２１ｂの残渣をさらに良好に除去することができる。したがって、実施形態によれば、リードフレーム１を用いた半導体装置３の信頼性をさらに良好に維持することができる。

【0051】

また、実施形態の洗浄処理では、めっき膜２４の表面からＣｕの残渣を除去することができる。これにより、めっき膜２４表面に付着するＣｕの残渣によって、めっき膜２４上に接合されるボンディングワイヤ２９の接合強度が低下することを抑制することができる。

【0052】

したがって、実施形態によれば、リードフレーム１を用いた半導体装置３の信頼性をさらに良好に維持することができる。なお、めっき膜２４の表面に存在するＣｕは、エッチングされたＣｕの残渣の他に、金属基板２０からめっき膜２４内を拡散してめっき膜２４の表面に析出した成分も含まれるが、実施形態ではかかる析出したＣｕも除去することができる。

【0053】

さらに、実施形態の洗浄処理では、めっき膜２４が形成されないパッド１４の裏面におけるハーフエッチング加工された周縁部やパッド１４の側面の表面から、Ｃｕ酸化膜を剥離して除去することができる。これにより、リードフレーム１に樹脂部１５を一体成型して樹脂付きリードフレーム２を製造する際に、パッド１４の裏面におけるハーフエッチング加工された周縁部やパッド１４の側面と樹脂部１５との密着性を向上させることができる。したがって、実施形態によれば、樹脂付きリードフレーム２の信頼性を向上させることができる。

【0054】

なお、実施形態では、脱脂処理の後に洗浄処理を行った例について示したが、脱脂処理と洗浄処理との間にさらに酸洗浄処理を行ってもよい。かかる酸洗浄処理により、金属基板２０の表面に形成されるＣｕ酸化膜をさらに効率よく除去することができることから、リードフレーム１に樹脂部１５を一体成型する際に、リードフレーム１と樹脂部１５との密着性をさらに向上させることができる。

【0055】

また、実施形態では、脱脂処理と洗浄処理とを連続して行ってもよいし、間隔をあけて行ってもよい。脱脂処理と洗浄処理とを連続して行うことにより、脱脂処理の後に金属基板２０やめっき膜２４の状態が経時変化することによる影響を低減させることができることから、洗浄処理を安定して実施することができる。

【0056】

次に、洗浄処理されて完成したリードフレーム１を所定の金型にセットして、熱硬化性樹脂でモールド処理することにより、図７の（ａ）に示すように、第１パッド１４ａと第２パッド１４ｂとの間に樹脂部１５が設けられた樹脂付きリードフレーム２が完成する。図７は、実施形態に係る樹脂付きリードフレーム２および半導体装置３の製造方法の処理の流れを説明するための図であり、各処理を断面視した図である。

【0057】

なお、熱硬化性樹脂で樹脂部１５を形成する際、かかる樹脂部１５には、パッド１４の搭載面１４ｃ側に第１パッド１４ａおよび第２パッド１４ｂを囲むように凸部１５ａが形成される。また、樹脂部１５には、第１パッド１４ａおよび第２パッド１４ｂの裏面の周縁部におけるハーフエッチング加工された部位および側面と直接密着して覆う抱え込み部１５ｂが形成される。なお、所定の金型にリードフレーム１を組み付ける際、かかる金型とリードフレーム１との間には、モールド充填性および離型性の向上を目的として、フィルムが挿間される。

【0058】

次に、図７の（ｂ）に示すように、第１パッド１４ａの搭載面１４ｃ上にＬＥＤ素子２８を搭載する。そして、ＬＥＤ素子２８の各電極と、第１パッド１４ａの搭載面１４ｃ側のめっき膜２４、および第２パッド１４ｂの搭載面１４ｃ側のめっき膜２４との間を、それぞれボンディングワイヤ２９により電気的に接続する。

【0059】

次に、ここまで作製した構造体を所定の金型にセットして、透明な熱硬化性樹脂でモールド処理することにより、図７の（ｃ）に示すように、樹脂付きリードフレーム２の搭載面１４ｃ側に透明樹脂部３０が形成される。かかる透明樹脂部３０は、ＬＥＤ素子２８およびボンディングワイヤ２９を封止するとともに、ＬＥＤ素子２８から出射される光を透過する。

【0060】

次に、隣接する単位リードフレーム１２同士の間に仮想的に設けられるダイシングラインＤＬに沿って回転刃物でダイシングする。これにより、図７の（ｄ）に示すように、個別の半導体装置３毎に分割されて、半導体装置３が完成する。

【0061】

実施形態では、めっき膜２４を形成した後に金属基板２０をエッチングして所定の形状に加工することから、パッド１４の裏面におけるハーフエッチング加工された周縁部やパッド１４の側面から金属基板２０の母材である銅や銅合金を露出させることができる。

【0062】

もし仮に、金属基板２０を所定の形状に加工してからめっき膜２４を形成した場合、パッド１４の裏面におけるハーフエッチング加工された周縁部やパッド１４の側面にもめっき膜２４が形成される。

【0063】

そして、パッド１４の裏面におけるハーフエッチング加工された周縁部やパッド１４の側面にめっき膜２４が形成された金属基板２０に対して樹脂部１５を一体成型しようとした場合、樹脂部１５を構成する熱硬化性樹脂とめっき膜２４との密着性が悪いことから、金属基板２０と樹脂部１５との間の密着性が低下する。したがって、樹脂付きリードフレーム２の信頼性が低下する恐れがある。

【0064】

一方で、実施形態では、パッド１４の裏面におけるハーフエッチング加工された周縁部やパッド１４の側面から金属基板２０の母材である銅や銅合金を露出させることができることから、金属基板２０と樹脂部１５とを直接密着させることができ、金属基板２０と樹脂部１５との間の密着性を向上させることができる。したがって、実施形態によれば、樹脂付きリードフレーム２の信頼性を良好に維持することができる。

【0065】

また、実施形態では、図７の（ｄ）などに示すように、第１パッド１４ａの搭載面１４ｃ側の全面、および第２パッド１４ｂのボンディングワイヤ２９が接合される面側の全面にめっき膜２４が形成される。これにより、ＬＥＤ素子２８から出射される光をかかる両方のめっき膜２４で反射させることができることから、半導体装置３の出射効率を向上させることができる。

【0066】

また、半導体装置３では、凸部１５ａがＬＥＤ素子２８を取り囲むように形成されていることから、凸部１５ａでＬＥＤ素子２８から出射される光を上方に反射させることができる。したがって、実施形態によれば、発光効率の高い半導体装置３を実現することができる。

【0067】

＜製造方法の処理手順＞
つづいて、図８を参照しながら、実施形態に係るリードフレーム１および樹脂付きリードフレーム２の製造方法の処理手順について説明する。図８は、実施形態に係るリードフレーム１および樹脂付きリードフレーム２の製造方法の処理手順を示すフローチャートである。

【0068】

まず、金属基板２０に対して、所定の位置にめっき膜２４を形成するためのレジストパターン２１ａを形成する第１レジストパターン形成処理が行われる（ステップＳ１１）。かかる第１レジストパターン形成処理は、たとえば、金属基板２０のおもて面および裏面にレジスト膜２１を形成し、ガラスマスク２２、２３を用いた露光処理と、露光されたレジスト膜２１を現像処理することにより行われる。

【0069】

次に、レジストパターン２１ａが形成された金属基板２０に対して、めっき膜２４を形成するめっき膜形成処理が行われる（ステップＳ１２）。かかるめっき膜形成処理は、たとえば、レジストパターン２１ａが形成された金属基板２０をめっき槽に浸漬させることにより行われる。

【0070】

次に、めっき膜２４が形成された金属基板２０に対して、レジストパターン２１ａを剥離する第１レジストパターン剥離処理が行われる（ステップＳ１３）。そして、レジストパターン２１ａが剥離された金属基板２０に対して、所定の形状に金属基板２０を加工するためのレジストパターン２１ｂを形成する第２レジストパターン形成処理が行われる（ステップＳ１４）。

【0071】

かかる第２レジストパターン形成処理は、たとえば、金属基板２０のおもて面および裏面にレジスト膜２１を形成し、ガラスマスク２５、２６を用いた露光処理と、露光されたレジスト膜２１を現像処理することにより行われる。

【0072】

次に、レジストパターン２１ｂが形成された金属基板２０に対してエッチング処理を行い（ステップＳ１５）、金属基板２０を所定の形状に加工する。かかるエッチング処理は、たとえば、噴射ノズル２７を用いてエッチング液を金属基板２０に吹き付けることにより行われる。そして、所定の形状に加工された金属基板２０に対して、レジストパターン２１ｂを剥離する第２レジストパターン剥離処理が行われる（ステップＳ１６）。

【0073】

次に、レジストパターン２１ｂが剥離された金属基板２０に対して、脱脂処理が行われる（ステップＳ１７）。かかる脱脂処理は、たとえば、金属基板２０を脱脂液４４に浸漬させながら、陰極４２および直流電源４３を用いて金属基板２０に電界を印加することにより行われる。

【0074】

次に、脱脂処理された金属基板２０に対して、洗浄処理が行われる（ステップＳ１８）。かかる洗浄処理は、たとえば、金属基板２０を洗浄液５４に浸漬させながら、陰極５２および直流電源５３を用いて金属基板２０に電界を印加することにより行われる。これにより、実施形態にかかるリードフレーム１が完成する。

【0075】

最後に、完成したリードフレーム１を所定の金型にセットして、熱硬化性樹脂でモールド処理を行う（ステップＳ１９）。これにより、第１パッド１４ａと第２パッド１４ｂとの間に樹脂部１５が形成され、樹脂付きリードフレーム２が完成する。

【0076】

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。たとえば、上述の実施形態では、樹脂付きリードフレーム２に適用されるリードフレーム１について示したが、実施形態にかかるリードフレーム１は樹脂付きリードフレーム２に適用される場合に限られない。

【0077】

また、上述の実施形態において、金属基板２０やめっき膜２４の表面を所定の粗化処理により粗化してもよい。これにより、金属基板２０と樹脂部１５との密着性や、めっき膜２４と透明樹脂部３０との密着性をさらに向上させることができる。

【0078】

さらに、上述の実施形態では、金属基板２０を銅や銅合金で構成した例について示したが、金属基板２０の材質は銅や銅合金に限られず、鉄ニッケル合金など他の材料を用いてもよい。

【0079】

以上のように、実施形態に係るリードフレーム１の製造方法は、めっき膜形成工程（ステップＳ１、Ｓ１２）と、レジストパターン形成工程（ステップＳ２、Ｓ１４）と、エッチング工程（ステップＳ３、Ｓ１５）と、剥離工程（ステップＳ４、Ｓ１６）と、洗浄工程（ステップＳ５、Ｓ１８）とを含む。めっき膜形成工程（ステップＳ１、Ｓ１２）は、リードフレーム１の基材である金属基板２０にめっき膜２４を形成する。レジストパターン形成工程（ステップＳ２、Ｓ１４）は、めっき膜２４上にレジスト膜２１を形成して、金属基板２０上に所定のレジストパターン２１ｂを形成する。エッチング工程（ステップＳ３、Ｓ１５）は、レジストパターン２１ｂが形成された金属基板２０をエッチングする。剥離工程（ステップＳ４、Ｓ１６）は、エッチングされた金属基板２０からレジストパターン２１ｂを剥離する。洗浄工程（ステップＳ５、Ｓ１８）は、レジストパターン２１ｂが剥離された金属基板２０を洗浄液５４中に浸漬させながら洗浄する。これにより、半導体装置３の信頼性を良好に維持することができる。

【0080】

また、実施形態に係るリードフレーム１の製造方法において、洗浄工程（ステップＳ５、Ｓ１８）は、洗浄液５４中に浸漬させながら金属基板２０に電界を印加して行われる。これにより、半導体装置３の信頼性をさらに良好に維持することができる。

【0081】

また、実施形態に係るリードフレーム１の製造方法は、剥離工程（ステップＳ４、Ｓ１６）と洗浄工程（ステップＳ５、Ｓ１８）との間に、金属基板２０を脱脂する脱脂工程（ステップＳ１７）をさらに含む。これにより、めっき膜２４に残るレジストパターン２１ｂの残渣を良好に除去することができる。

【0082】

また、実施形態に係るリードフレーム１の製造方法において、脱脂工程（ステップＳ１７）は、脱脂液４４中に浸漬させながら金属基板２０に電界を印加して行われる。これにより、めっき膜２４に残るレジストパターン２１ｂの残渣をさらに良好に除去することができる。

【0083】

また、実施形態に係るリードフレーム１は、半導体素子（ＬＥＤ素子２８）を搭載可能な搭載面１４ｃを有するパッド（第１パッド１４ａ）を備え、パッド（第１パッド１４ａ）は、裏面における周縁部にハーフエッチング加工された部位を有し、パッド（第１パッド１４ａ）の搭載面１４ｃ全面および裏面の周縁部以外の部位にはめっき膜２４が形成され、パッド（第１パッド１４ａ）の裏面の周縁部におけるハーフエッチング加工された部位および側面にはめっき膜２４が形成されない。これにより、信頼性が良好に維持された樹脂付きリードフレーム２を製造することができる。

【0084】

また、実施形態に係るリードフレーム１は、ボンディングワイヤ２９を接合可能である別のパッド（第２パッド１４ｂ）をさらに備え、かかる別のパッド（第２パッド１４ｂ）は、裏面における周縁部にハーフエッチング加工された部位を有し、別のパッド（第２パッド１４ｂ）のボンディングワイヤ２９が接合される面全面および裏面の周縁部以外の部位にはめっき膜２４が形成され、別のパッド（第２パッド１４ｂ）の裏面の周縁部におけるハーフエッチング加工された部位および側面にはめっき膜２４が形成されない。これにより、信頼性が良好に維持された樹脂付きリードフレーム２を製造することができる。

【0085】

また、実施形態に係る樹脂付きリードフレーム２は、複数のパッド１４を備える上述のリードフレーム１と、複数のパッド１４の間に形成される空隙に設けられ、複数のパッド１４を環状に囲む凸部１５ａが設けられる樹脂部１５と、を備え、樹脂部１５が、パッド１４の裏面の周縁部におけるハーフエッチング加工された部位および側面と直接密着して覆う抱え込み部１５ｂを有する。これにより、樹脂付きリードフレーム２の信頼性を良好に維持することができる。

【0086】

また、実施形態に係る半導体装置３は、上述の樹脂付きリードフレーム２と、樹脂付きリードフレーム２のパッド１４の搭載面１４ｃに搭載されるＬＥＤ素子２８と、樹脂付きリードフレーム２の搭載面１４ｃ側の面に形成され、ＬＥＤ素子２８を覆う透明樹脂部３０と、を備える。これにより、半導体装置３の信頼性を良好に維持することができる。

【0087】

さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。

【符号の説明】

【0088】

１ リードフレーム
２ 樹脂付きリードフレーム
３ 半導体装置
１２ 単位リードフレーム
１３ 接続部
１４ パッド
１４ａ 第１パッド
１４ｂ 第２パッド
１５ 樹脂部
１５ａ 凸部
１５ｂ 抱え込み部
２０ 金属基板
２１ レジスト膜
２１ａ、２１ｂ レジストパターン
２４ めっき膜
２８ ＬＥＤ素子
２９ ボンディングワイヤ
３０ 透明樹脂部
４０ 脱脂処理装置
４４ 脱脂液
５０ 洗浄処理装置
５４ 洗浄液

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】