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特開2019-12827窒化ガリウム系の半導体装置及びその製造方法
発明の名称 窒化ガリウム系の半導体装置及びその製造方法
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構 （識別番号 301023238）
特許公開件数ランキング 390 位（106件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 275 位（113件）（共同出願を含む）
出願人 富士電機株式会社 （識別番号 5234）
特許公開件数ランキング 52 位（470件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 36 位（531件）（共同出願を含む）
公報番号 特開-2019-12827
公報発行日 2019年1月24
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-A-2019-12827
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