特開 2019-133021 表示装置及び表示装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】特開2019-133021(P2019-133021A)

(43)【公開日】2019年8月8日

(54)【発明の名称】表示装置及び表示装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/30 20060101AFI20190712BHJP

   G02F 1/1368 20060101ALI20190712BHJP

   G02F 1/13 20060101ALI20190712BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20190712BHJP

【ＦＩ】

   G09F9/30 349C

   G02F1/1368

   G02F1/13 101

   G09F9/00 338

【審査請求】未請求

【請求項の数】18

【出願形態】ＯＬ

【全頁数】23

(21)【出願番号】特願2018-15421(P2018-15421)

(22)【出願日】2018年1月31日

(71)【出願人】

【識別番号】506087819

【氏名又は名称】パナソニック液晶ディスプレイ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000154

【氏名又は名称】特許業務法人はるか国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】新井 武

(72)【発明者】

【氏名】川崎 竜也

【テーマコード（参考）】

2H088

2H192

5C094

5G435

【Ｆターム（参考）】

2H088FA15

2H088FA30

2H088GA02

2H088JA11

2H088MA20

2H192AA24

2H192BB13

2H192BC31

2H192CB05

2H192CC04

2H192EA22

2H192EA43

2H192HB03

2H192HB75

5C094AA02

5C094BA03

5C094BA27

5C094BA31

5C094BA43

5C094CA19

5C094ED15

5C094FA01

5C094FA02

5C094FA04

5C094GB01

5G435AA01

5G435BB05

5G435BB06

5G435BB12

5G435CC09

5G435FF13

5G435KK05

(57)【要約】      （修正有）

【課題】輝点欠陥に起因した表示品質の低下を抑えた表示装置及び表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本開示の表示装置は、第１の透光性基板ＳＵＢ１と、前記第１の透光性基板と対向して表示面側に配置された第２の透光性基板ＳＵＢ２と、前記第１の透光性基板及び前記第２の透光性基板の少なくとも一方の内部において、平面視で、輝点欠陥部１３３と重畳し、可視光の透過量を減少させる第１の減光部１と、を含み、前記第１の減光部が、中央に配置された第１の領域と、前記第１の領域の周囲に配置された第２の領域と、を含む円形状を有し、前記第１の領域における可視光の透過率が、前記第２の領域における可視光の透過率よりも高い。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１の透光性基板と、
前記第１の透光性基板と対向して表示面側に配置された第２の透光性基板と、
前記第１の透光性基板及び前記第２の透光性基板の少なくとも一方の内部において、平面視で、輝点欠陥部と重畳し、可視光の透過量を減少させる第１の減光部と、を含み、
前記第１の減光部が、中央に配置された第１の領域と、前記第１の領域の周囲に配置された第２の領域と、を含む円形状を有し、
前記第１の領域における可視光の透過率が、前記第２の領域における可視光の透過率よりも高い、
表示装置。

【請求項2】

前記第２の領域が、スパイラル状の第１の低透過率領域を含み、
前記第１の低透過率領域の可視光の透過率が、前記第２の領域における他の領域の可視光の透過率よりも低い、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記第１の減光部が前記第２の透光性基板の内部に設けられ、
前記第２の透光性基板の内部に設けられた、可視光の透過量を減少させる第２の減光部を更に含み、
前記第２の減光部が、中央に配置された第３の領域と、前記第３の領域の周囲に配置された第４の領域と、を含む円形状を有し、
前記第３の領域における可視光の透過率が、前記第４の領域における可視光の透過率よりも高く、
平面視で、前記第１の領域と前記第４の領域とが重畳し、前記第２の領域と前記第３の領域とが重畳する、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項4】

前記第２の領域がスパイラル状の第１の低透過率領域を含み、
前記第４の領域がスパイラル状の第２の低透過率領域を含み、
前記第１の低透過率領域の可視光の透過率が、前記第２の領域における他の領域の可視光の透過率よりも低く、
前記第２の低透過率領域の可視光の透過率が、前記第４の領域における他の領域の可視光の透過率よりも低い、
請求項３に記載の表示装置。

【請求項5】

前記第１の減光部が前記第２の透光性基板の内部に設けられ、
前記第２の透光性基板の内部に設けられた、可視光の透過量を減少させる第２の減光部を更に含み、
前記第２の減光部が、中央に配置された第３の領域と、前記第３の領域の周囲に配置された第４の領域と、を含む円形状を有し、
前記第４の領域における可視光の透過率が、前記第３の領域における可視光の透過率よりも高く、
平面視で、前記第２の減光部が前記第１の減光部の少なくとも一部と重畳する、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項6】

前記第１の減光部が、前記第２の減光部よりも表示面側に配置され、
前記第１の減光部の径が、前記第２の減光部の径よりも大きい、
請求項５に記載の表示装置。

【請求項7】

前記第２の減光部が、前記第１の減光部よりも表示面側に配置され、
前記第２の減光部の径が、前記第１の減光部の径よりも大きい、
請求項５に記載の表示装置。

【請求項8】

前記第２の領域がスパイラル状の第１の低透過率領域を含み、
前記第３の領域がスパイラル状の第２の低透過率領域を含み、
前記第１の低透過率領域の可視光の透過率が、前記第２の領域における他の領域の可視光の透過率よりも低く、
前記第２の低透過率領域の可視光の透過率が、前記第３の領域における他の領域の可視光の透過率よりも低い、
請求項５に記載の表示装置。

【請求項9】

平面視で、前記第１の領域と前記第３の領域とが重畳する、
請求項５に記載の表示装置。

【請求項10】

前記第１の透光性基板と前記第２の透光性基板との間に配置され、前記輝点欠陥部を含む液晶層を更に含む、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項11】

第１の透光性基板と、前記第１の透光性基板と対向して表示面側に配置された第２の透光性基板と、を含む表示装置の製造方法であって、
前記表示装置の点灯検査を行って画素の輝点欠陥部を検出する検出工程と、
前記第１の透光性基板及び前記第２の透光性基板の少なくとも一方の内部に焦点を結ぶエネルギービームを照射する第１の照射工程を含み、
前記第１の照射工程において、前記エネルギービームを、スパイラル状に走査することにより、前記表示面側から見て前記輝点欠陥部を覆う円形状の第１の減光部を形成する、
表示装置の製造方法。

【請求項12】

前記第１の照射工程において、前記エネルギービームは、外周側から内周側へ走査する、
請求項１１に記載の表示装置の製造方法。

【請求項13】

前記第１の照射工程において、前記第２の透光性基板の内部に焦点を結ぶよう前記エネルギービームを照射し、
前記第２の透光性基板の内部に焦点を結ぶ前記エネルギービームをスパイラル状に走査しながら照射し、第２の減光部を形成する第２の照射工程を更に含み、
前記第１の照射工程における前記エネルギービームの焦点位置が、前記第２の照射工程における前記エネルギービームの焦点位置よりも表示面側であり、
平面視で、前記第１の減光部が前記第２の減光部の少なくとも一部と重畳する、
請求項１２に記載の表示装置の製造方法。

【請求項14】

前記第２の照射工程において、前記エネルギービームは、外周側から内周側へ走査し、
前記第１の照射工程における照射終了位置と前記第２の照射工程における照射終了位置とが、平面視で重畳しない、
請求項１３に記載の表示装置の製造方法。

【請求項15】

前記第２の照射工程において、前記エネルギービームは、内周側から外周側へ走査する、
請求項１３に記載の表示装置の製造方法。

【請求項16】

前記第１の照射工程における前記エネルギービームの焦点位置が、前記第２の照射工程における前記エネルギービームの焦点位置よりも表示面側であり、
前記第１の減光部の径が、前記第２の減光部の径よりも大きい、
請求項１５に記載の表示装置の製造方法。

【請求項17】

前記第２の照射工程における前記エネルギービームの焦点位置が、前記第１の照射工程における前記エネルギービームの焦点位置よりも表示面側であり、
前記第２の減光部の径が、前記第１の減光部の径よりも大きい、
請求項１５に記載の表示装置の製造方法。

【請求項18】

前記第１の照射工程は、
第１の照射強度で前記エネルギービームを照射する第１強度照射工程と、
前記第１強度照射工程の後で、前記第１の照射強度よりも弱い第２の照射強度で前記エネルギービームを照射する第２強度照射工程と、を含む、
請求項１１に記載の表示装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

各種表示装置のうち、例えば液晶表示装置は、画素電極と共通電極との間に発生する電界を、一対の基板に挟持される液晶層に印加して液晶を駆動させることにより、画素電極と共通電極との間の領域を透過する光の量を調整して画像表示を行う。

【0003】

従来、例えば液晶表示装置において、画素の表示輝度が所望の輝度よりも高くなる、所謂、輝点欠陥（画素欠陥ともいう。）の問題が知られている。輝点欠陥は、例えば、液晶表示装置の製造工程において一対の基板間に異物が混入し、この異物によって、液晶の配向が乱されたり、画素電極と共通電極とが短絡したりすることにより生じる。

【0004】

前記輝点欠陥を修正する方法が、例えば特許文献１に開示されている。特許文献１に記載の方法では、ガラス基板内部にレーザ光を照射して、平面的に見て、輝点欠陥が生じる領域を覆うように減光部を形成し、光の透過量を減少させている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０１７−１５１４１４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

しかしながら、輝点欠陥が生じる領域を覆うべく減光部を形成する際に、例えば、透光性基板にレーザ光を走査しながら照射することにより減光部を形成する場合、走査方向を折り返す領域などにおいて透光性基板に歪が発生し、この歪から光が漏れてしまう可能性があった。

【0007】

本発明は、前記実情に鑑みてなされたものであり、輝点欠陥に起因した表示品質の低下を抑えた表示装置及び表示装置の製造方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本開示に係る表示装置は、第１の透光性基板と、前記第１の透光性基板と対向して表示面側に配置された第２の透光性基板と、前記第１の透光性基板及び前記第２の透光性基板の少なくとも一方の内部において、平面視で、輝点欠陥部と重畳し、可視光の透過量を減少させる第１の減光部と、を含み、前記第１の減光部が、中央に配置された第１の領域と、前記第１の領域の周囲に配置された第２の領域と、を含む円形状を有し、前記第１の領域における可視光の透過率が、前記第２の領域における可視光の透過率よりも高い。

【0009】

本開示に係る表示装置の製造方法は、第１の透光性基板と、前記第１の透光性基板と対向して表示面側に配置された第２の透光性基板と、を含む表示装置の製造方法であって、前記表示装置の点灯検査を行って画素の輝点欠陥部を検出する検出工程と、前記第１の透光性基板及び前記第２の透光性基板の少なくとも一方の内部に焦点を結ぶエネルギービームを照射する第１の照射工程を含み、前記第１の照射工程において、前記エネルギービームを、スパイラル状に走査することにより、前記表示面側から見て前記輝点欠陥部を覆う円形状の第１の減光部を形成する。

【発明の効果】

【0010】

本開示に係る表示装置によれば、輝点欠陥に起因した表示品質の低下を抑えることができる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】図１は第１の実施形態に係る液晶表示装置の全体構成を示す図である。

【図2】図２は図１の液晶表示装置の表示パネルの一部の構成を示す平面図である。

【図3】図３は図２のＡ１−Ａ２線で切断した切断部の端面図である。

【図4】図４は図１の液晶表示装置での輝点欠陥の一例を模式的に示す断面図である。

【図5】図５は第１の実施形態に係る液晶表示装置における、減光部を有する画素の構成を示す断面図である。

【図6】図６は第１の実施形態に係る減光部の模式的な斜視図である。

【図7】図７は第１の実施形態の第１変形例に係る液晶表示装置における、減光部を有する画素の構成を示す断面図である。

【図8】図８は第１の実施形態の第１変形例に係る減光部の模式的な斜視図である。

【図9】図９は第１の実施形態の第２変形例に係る液晶表示装置における、減光部を有する画素の構成を示す断面図である。

【図10】図１０は第１の実施形態の第２変形例に係る減光部の模式的な斜視図である。

【図11】図１１は第１の実施形態の第３変形例に係る液晶表示装置における、減光部を有する画素の構成を示す断面図である。

【図12】図１２は第１の実施形態の第３変形例に係る減光部の模式的な斜視図である。

【図13】図１３は第１の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法における、輝点欠陥の修正方法を示すフロー図である。

【図14】図１４は輝点欠陥の修正方法を実施できる表示装置の製造装置のブロック図である。

【図15】図１５は第１の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法において使用可能な製造装置の構成を示す模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。以下の実施形態では、液晶表示装置を例に挙げるが、本発明に係る表示装置は、液晶表示装置に限定されるものではなく、例えば有機ＥＬ表示装置又はプラズマディスプレイパネル等であってもよい。

【0013】

［第１の実施形態］
以下、第１の実施形態について、図面を用いて説明する。

【0014】

［液晶表示装置］
図１は、本開示の第１の実施形態に係る液晶表示装置ＬＣＤの全体構成を示す平面図である。液晶表示装置ＬＣＤは、画像を表示する表示パネルＤＰと、表示パネルＤＰを駆動する表示パネル用駆動回路（データ線駆動回路３０、ゲート線駆動回路３１）と、表示パネル用駆動回路を制御する制御回路（図示せず）と、表示パネルＤＰに背面側から光を照射するバックライト光を照射するバックライト１３４とを含んでいる。

【0015】

図２は、表示パネルＤＰの一部の構成を示す平面図である。図３は、図２のＡ１−Ａ２線で切断した切断部の端面図である。なお、図２及び図３では、１つの画素Ｐを示している。

【0016】

表示パネルＤＰは、背面側に配置される薄膜トランジスタ基板ＳＵＢ１（以下、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１という。）と、表示面側に配置され、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１に対向するカラーフィルタ基板ＳＵＢ２（以下、ＣＦ基板ＳＵＢ２という。）と、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１及びＣＦ基板ＳＵＢ２の間に挟持される液晶層ＬＣと、を含んでいる。

【0017】

ＴＦＴ基板ＳＵＢ１には、列方向に延在する複数のデータ線ＤＬと、行方向に延在する複数のゲート線ＧＬとが形成され、複数のデータ線ＤＬと複数のゲート線ＧＬとのそれぞれの交差部近傍に薄膜トランジスタＴＦＴが形成されている。また、隣り合う２本のデータ線ＤＬと隣り合う２本のゲート線ＧＬとにより囲まれる矩形領域が、１つの画素Ｐとして規定される。画素Ｐは、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１において、マトリクス状に複数配置されている。

【0018】

画素Ｐには、スズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）等の透明（透光性）導電膜からなる画素電極ＰＩＴ（表示用電極）が形成されている。図２に示すように、画素電極ＰＩＴは、開口部３２（例えばスリット）を有し、ストライプ状に形成されている。薄膜トランジスタＴＦＴは、ゲート絶縁膜ＧＳＮ（図３参照）上に、非晶質シリコン（ａ-Ｓｉ）からなる半導体層ＳＥＭが形成され、半導体層ＳＥＭ上にドレイン電極ＤＭ及びソース電極ＳＭが形成されている（図２参照）。ドレイン電極ＤＭは、データ線ＤＬに電気的に接続されている。ソース電極ＳＭと画素電極ＰＩＴとは、コンタクトホールＣＯＮＴを介して互いに電気的に接続されている。

【0019】

画素Ｐを構成する各部の積層構造は、図３の構成に限定されるものではなく、周知の構成を適用することができる。例えば図３に示す構成では、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１において、第１のガラス基板ＧＢ１（第１の透光性基板）上にゲート線ＧＬ（図２参照）が形成され、ゲート線ＧＬを覆うようにゲート絶縁膜ＧＳＮが形成されている。また、ゲート絶縁膜ＧＳＮ上にデータ線ＤＬが形成され、データ線ＤＬを覆うように絶縁膜ＰＡＳが形成されている。また、絶縁膜ＰＡＳ上に共通電極ＣＩＴ（表示用電極）が形成され、共通電極ＣＩＴを覆うように上層絶縁膜ＵＰＡＳが形成されている。さらに、上層絶縁膜ＵＰＡＳ上に画素電極ＰＩＴが形成され、画素電極ＰＩＴを覆うように配向膜ＡＦが形成されている。第１のガラス基板ＧＢ１の背面側には、第１の偏光板ＰＯＬ１が形成されている。

【0020】

また、図３に示すＣＦ基板ＳＵＢ２において、第２のガラス基板ＧＢ２（第２の透光性基板）の下面側にブラックマトリクスＢＭ（遮光部）及びカラーフィルタＣＦ（例えば、赤色部、緑色部、青色部）（光透過部）が形成され、これらを覆うようにオーバコート層ＯＣが形成されている。第２のガラス基板ＧＢ２の表示面側には、第２の偏光板ＰＯＬ２が形成されている。よって、第２のガラス基板ＧＢ２は、第１のガラス基板ＧＢ１と対向して表示面側に位置しているとともに、液晶層ＬＣは、第１のガラス基板ＧＢ１と第２のガラス基板ＧＢ２との間に配置されている。

【0021】

図３に示す構成によれば、液晶表示装置ＬＣＤは、いわゆるＩＰＳ(In Plane Switching)方式の構成を有しているが、第１の実施形態に係る液晶表示装置ＬＣＤはこれに限定されない。

【0022】

次に、液晶表示装置ＬＣＤの駆動方法を簡単に説明する。ゲート線駆動回路３１から出力された走査用のゲート電圧がゲート線ＧＬに供給され、データ線駆動回路３０から出力された映像用のデータ電圧がデータ線ＤＬに供給される。ゲート線ＧＬにゲートオン電圧が供給されると、薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層ＳＥＭが低抵抗となり、データ線ＤＬに供給されたデータ電圧が、ソース電極ＳＭを介して画素電極ＰＩＴに供給される。また、共通電極駆動回路（図示せず）から出力された共通電圧が、共通電極ＣＩＴに供給される。これにより、画素電極ＰＩＴと共通電極ＣＩＴとの間に電界（駆動用電界）が発生し、該電界により液晶層ＬＣが駆動され、画像が表示される。

【0023】

ここで、液晶表示装置ＬＣＤは、その製造工程において、画素の表示輝度が所望の輝度よりも高くなる輝点欠陥（画素欠陥）が生じる場合がある。図４には、画素Ｐが輝点欠陥部１３３となる場合の一例を示している。図４では、液晶表示装置ＬＣＤの製造工程において、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１とＣＦ基板ＳＵＢ２との間に有機物や又は金属等の異物３３が混入した場合を例示している。図４に示す画素Ｐでは、異物（混入物）３３によって液晶の配向が乱されることにより、バックライト光３４の光漏れが生じて輝点欠陥がある輝点欠陥部１３３となる。

【0024】

第１の実施形態に係る液晶表示装置ＬＣＤでは、前記輝点欠陥を抑えるための構成を有している。具体的には、図５に示すように、ＣＦ基板ＳＵＢ２の第２のガラス基板ＧＢ２の内部に、バックライト光３４における可視光の透過量を減少させる第１の減光部１が形成されている。

【0025】

第１の減光部１は、平面視で輝点欠陥部１３３と重畳するよう配置されている。本実施形態においては、第１の減光部１が、第２のガラス基板ＧＢ２の表示面側から見た際に、異物３３による輝点欠陥部１３３を覆い隠すように形成されている。すなわち、第１の減光部１は、第１のガラス基板ＧＢ１及び第２のガラス基板ＧＢ２の少なくとも一方の内部において、表示面側から見て輝点欠陥部１３３を覆う。

【0026】

図６は、本実施形態に係る第１の減光部１の模式的な斜視図である。本実施形態においては、第１の減光部１は、円形状を有している。なお、円形状には、真円のみならず楕円等も含まれる。この円形状の第１の減光部１は、中央に配置された第１の領域１１と、この第１の領域１１の周囲に配置された第２の領域１２とを含んでいる。中央に配置された第１の領域１１の面積が、第２の領域１２の面積よりも小さい。

【0027】

本実施形態において、第１の領域１１における可視光の透過率は、第２の領域１２における可視光の透過率よりも高くなっている。更に、本実施形態における第１の減光部１は、スパイラル状の第１の低透過率領域１０を含み、このスパイラル状の第１の低透過率領域１０は、第２の領域１２に配置されている。第１の低透過率領域１０は、第２の領域１２における他の領域と比較して、可視光の透過率が低い。

【0028】

この図６に示すような第１の減光部１は、レーザ光をガラス基板ＧＢ内で焦点を持つよう照射すると共に、第１の減光部１の外周側から内周側へとレーザ光をスパイラル状に走査することにより形成することができる。この時、レーザ光の照射は、第１の減光部１の中心部である第１の領域１１において終了することになるため、この第１の領域１１において、若干の歪が生じる。そのため、第１の領域１１における可視光の透過率は、第２の領域１２における可視光の透過率と比べて、若干高くなっている。

【0029】

本開示のような構成とすることにより、歪が生じる領域の面積を抑えることができる。例えば第１の方向にレーザ光を走査した後に、レーザ光の走査方向を第１の方向に逆方向に折り返し、当該逆方向にレーザ光を走査することを繰り返すような場合、このレーザ光の走査に関する全ての折り返し領域において歪が発生してしまう。これに対し、本開示の構成とすることにより、歪が生じる領域を、第１の減光部の中央領域である第１の領域１１に集めることができる。その結果として、輝点欠陥に起因した表示品質の低下を抑制することが可能となる。

【0030】

[第１変形例]
図７は、本実施形態の第１変形例に係る液晶表示装置ＬＣＤにおいて、前記輝点欠陥を抑えるための他の構成を示す。

【0031】

第１変形例においては、第１の減光部１を形成する際の焦点位置よりも深い位置（背面側）に第２の減光部２を形成する。第２の減光部２は、平面的に配列されており、第２のガラス基板ＧＢ２の表示面側から見た際に、異物３３による輝点欠陥部１３３を覆い隠すように形成されている。すなわち、第１のガラス基板ＧＢ１及び第２のガラス基板ＧＢ２の少なくとも一方の内部において、表示面側から見て輝点欠陥部１３３を覆う第２の減光部２を配置している。第２の減光部２は、バックライト光３４における可視光の透過量を減少させる。

【0032】

図８は、本実施形態の第１変形例に係る第１の減光部１、及び第２の減光部２の模式的な斜視図である。図８に示す第１変形例においては、第１の減光部１、及び第２の減光部２は、それぞれ円形状を有している。なお、円形状には、真円のみならず楕円等も含まれる。この円形状の第１の減光部１は、中央に配置された第１の領域１１と、この第１の領域１１の周囲に配置された第２の領域１２とを含んでいる。同様に、円形状の第２の減光部２は、中央に配置された第３の領域２３Ａと、この第３の領域２３Ａの周囲に配置された第４の領域２４Ａとを含んでいる。この第１変形例においても、第１の減光部１において、中央に配置された第１の領域１１の面積が、第２の領域１２の面積よりも小さい。同様に、第２の減光部２において、中央に配置された第３の領域２３Ａの面積が、第４の領域２４Ａの面積よりも小さい。

【0033】

第１変形例において、第１の領域１１における可視光の透過率は、第２の領域１２における可視光の透過率よりも高くなっている。また、第３の領域２３Ａにおける可視光の透過率は、第４の領域２４Ａにおける可視光の透過率よりも高くなっている。更に、第１変形例における第１の減光部１は、スパイラル状の第１の低透過率領域１０を含み、このスパイラル状の第１の低透過率領域１０は、第２の領域１２に配置されている。同様に、第２の減光部２は、スパイラル状の第２の低透過率領域２０を含み、このスパイラル状の第２の低透過率領域２０は、第４の領域２４Ａに配置されている。第２の低透過率領域２０は、第４の領域２４Ａにおける他の領域と比較して、可視光の透過率が低い。

【0034】

図８に示すにように、第１変形例においては、第１の減光部１が、第２の減光部２よりも表示面側に配置されており、平面視で、第１の減光部１の中心軸が、第２の減光部２の中心軸と重畳しないように配置されている。より具体的には、平面視で、第１の減光部１の第１の領域１１と第２の減光部２の第３の領域２３Ａとが重畳せず、第１の減光部１の第１の領域１１が第２の減光部２の第４の領域２４Ａと重畳し、第２の減光部２の第３の領域２３Ａが第１の減光部１の第２の領域１２と重畳するように配置している。

【0035】

このような構成とすることにより、輝点欠陥に起因した表示品質の低下を更に抑制することが可能となる。即ち、第１の減光部１の第１の領域１１、及び第２の減光部２の第３の領域２３Ａは、それぞれ歪を含んでいる可能性があり、可視光の透過率が、第２の領域１２、第４の領域２４Ａに比べて高い。そのため、透過率が高い第１の領域１１と、第１の領域１１よりも透過率が低い第４の領域２４Ａとを、平面視で重畳させるとともに、透過率が高い第３の領域２３Ａと、第３の領域２３Ａよりも透過率が低い第２の領域１２とを、平面視で重畳させる。このような構成とすることにより、輝点欠陥部１３３に起因して発生した光が、第１の領域１１、第３の領域２３Ａから表示面側に抜け出てしまうのを抑制することが可能となる。

【0036】

[第２変形例]
図９は、本実施形態の第２変形例に係る液晶表示装置ＬＣＤにおいて、前記輝点欠陥を抑えるための他の構成を示す。

【0037】

第２変形例においては、第１の減光部１を形成する際の焦点位置よりも深い位置（背面側）に第２の減光部２Ｂを形成する。第２の減光部２Ｂは、平面的に配列されており、第２のガラス基板ＧＢ２の表示面側から見た際に、異物３３による輝点欠陥部１３３を覆い隠すように形成されている。すなわち、第１のガラス基板ＧＢ１及び第２のガラス基板ＧＢ２の少なくとも一方の内部において、表示面側から見て輝点欠陥部１３３を覆う第２の減光部２Ｂを配置している。第２の減光部２は、バックライト光３４における可視光の透過量を減少させる。

【0038】

図１０は、本実施形態の第１変形例に係る第１の減光部１、及び第２の減光部２Ｂの模式的な斜視図である。図１０に示す第２変形例においては、第１の減光部１、及び第２の減光部２Ｂは、それぞれ円形状を有している。なお、円形状には、真円のみならず楕円等も含まれる。この円形状の第１の減光部１は、中央に配置された第１の領域１１と、この第１の領域１１の周囲に配置された第２の領域１２とを含んでいる。また、円形状の第２の減光部２Ｂは、中央に配置された第３の領域２３Ｂと、この第３の領域２３Ｂの周囲に配置された第４の領域２４Ｂとを含んでいる。

【0039】

なお、この第２変形例においては、第２の減光部２Ｂの構成が、第１変形例と異なる。

【0040】

まず、第１の減光部１は、中央に配置された第１の領域１１の面積が、第２の領域１２の面積よりも小さい構成としているのに対し、第２の減光部２Ｂは、第３の領域２３Ｂの周囲に配置された第４の領域２４Ｂの面積が、第３の領域２３Ｂの面積よりも小さい構成としている。

【0041】

第１の減光部１において、第１の領域１１における可視光の透過率は、第２の領域１２における可視光の透過率よりも高くなっている。一方、この第２変形例においては、第２の減光部２Ｂにおいて、第４の領域２４Ｂにおける可視光の透過率は、第３の領域２３Ｂにおける可視光の透過率よりも高くなっている。また、第２変形例における第１の減光部１は、スパイラル状の第１の低透過率領域１０を含み、このスパイラル状の第１の低透過率領域１０は、第２の領域１２に配置されている。一方、第２の減光部２Ｂは、第３の領域２３Ｂにおいてスパイラル状の第２の低透過率領域２０Ｂを含む。第２の低透過率領域２０Ｂは、第３の領域２３Ｂにおける他の領域と比較して、可視光の透過率が低い。

【0042】

この図１０に示すような第２の減光部２Ｂは、レーザ光をガラス基板ＧＢ内で焦点を持つよう照射すると共に、第２の減光部２Ｂの内周側から外周側へとレーザ光をスパイラル状に走査することにより形成することができる。この時、レーザ光の照射は、第２の減光部２Ｂの外周部である第４の領域２４Ｂにおいて終了することになるため、この第４の領域２４Ｂにおいて、若干の歪が生じる。そのため、第４の領域２４Ｂにおける可視光の透過率は、第３の領域２３Ｂにおける可視光の透過率と比べて、若干高くなっている。

【0043】

図１０に示すにように、第２変形例においては、第１の減光部１が、第２の減光部２より表示面側に配置されており、平面視で、第１の減光部１の第１の領域１１が、第２の減光部２Ｂの第３の領域２３Ｂと重畳するように配置されている。また、平面視で、第１の減光部１の第２の領域１２が、第２の減光部２Ｂの第４の領域２４Ｂと重畳するように配置されている。

【0044】

このような構成とすることにより、輝点欠陥に起因した表示品質の低下を更に抑制することが可能となる。即ち、第１の減光部１の第１の領域１１、及び第２の減光部２Ｂの第４の領域２４Ｂは、それぞれ歪を含んでいる可能性があり、可視光の透過率が、第２の領域１２、第３の領域２３Ｂに比べて高くなってしまっている。そのため、透過率が高い第１の領域１１と、第１の領域１１よりも透過率が低い第３の領域２３Ｂとを、平面視で重畳させるとともに、透過率が高い第４の領域２４Ｂと、第４の領域２４Ｂよりも透過率を低い第２の領域１２とを、平面視で重畳させることにより、輝点欠陥部１３３に起因して発生した光が、第１の領域１１、第４の領域２４Ｂから表示面側に抜け出てしまうのを抑制することが可能となる。

【0045】

更に、第２変形例においては、図１０に示すように、表示面側に配置された第１の減光部１の径が、背面側に配置された第２の減光部２Ｂの径よりも大きい構成としている。このような構成とすることによって、平面視で第１の減光部１の第２の領域１２が、第２の減光部の第４の領域２４Ｂを覆う構成とすることができるため、第４の領域２４Ｂから漏れ出た光が、表示面側に抜けることを抑制することができる。

【0046】

[第３変形例]
図１１は、本実施形態の第３変形例に係る液晶表示装置ＬＣＤにおいて、前記輝点欠陥を抑えるための他の構成を示す。

【0047】

第３変形例においては、第１の減光部１を形成する際の焦点位置よりも表示面側に第２の減光部２Ｃを形成する。第２の減光部２Ｃは、平面的に配列されており、第２のガラス基板ＧＢ２の表示面側から見た際に、異物３３による輝点欠陥部１３３を覆い隠すように形成されている。すなわち、第１のガラス基板ＧＢ１及び第２のガラス基板ＧＢ２の少なくとも一方の内部において、表示面側から見て輝点欠陥部１３３を覆う第２の減光部２Ｃを配置している。

【0048】

図１２は、本実施形態の第１変形例に係る第１の減光部１、及び第２の減光部２Ｃの模式的な斜視図である。図１２に示す第３変形例においては、第１の減光部１、及び第２の減光部２Ｃは、それぞれ円形状を有している。なお、円形状には、真円のみならず楕円等も含まれる。この円形状の第１の減光部１は、中央に配置された第１の領域１１と、この第１の領域１１の周囲に配置された第２の領域１２とを含んでいる。また、円形状の第２の減光部２Ｃは、中央に配置された第３の領域２３Ｃと、この第３の領域２３Ｃの周囲に配置された第４の領域２４Ｃとを含んでいる。

【0049】

第１の減光部１は、中央に配置された第１の領域１１の面積が、第２の領域１２の面積よりも小さい構成としているのに対し、第２の減光部２Ｃは、第３の領域２３Ｃの周囲に配置された第４の領域２４Ｃの面積が、第３の領域２３Ｃの面積よりも小さい構成としている。

【0050】

第１の減光部１において、第１の領域１１における可視光の透過率は、第２の領域１２における可視光の透過率よりも高くなっている。一方、第２の減光部２Ｃにおいて、第４の領域２４Ｃにおける可視光の透過率は、第３の領域２３Ｃにおける可視光の透過率よりも高くなっている。また、第３変形例における第１の減光部１は、スパイラル状の第１の低透過率領域１０を含み、このスパイラル状の第１の低透過率領域１０は、第２の領域１２に配置されている。一方、第２の減光部２Ｃは、第３の領域２３Ｃにおいてスパイラル状の第２の低透過率領域２０Ｃを含む。第２の低透過率領域２０Ｃは、第３の領域２３Ｃにおける他の領域と比較して、可視光の透過率が低い。

【0051】

この図１２に示すような第２の減光部２Ｃは、レーザ光をガラス基板ＧＢ内で焦点を持つよう照射すると共に、第２の減光部２Ｃの内周側から外周側へとレーザ光をスパイラル状に走査することにより形成することができる。この時、レーザ光の照射は、第２の減光部２Ｃの外周部である第４の領域２４Ｃにおいて終了することになるため、この第４の領域２４Ｃにおいて、若干の歪が生じる。そのため、第４の領域２４Ｃにおける可視光の透過率は、第３の領域２３Ｃにおける可視光の透過率と比べて、若干高くなっている。

【0052】

図１２に示すにように、第３変形例においては、第２の減光部２Ｃが、第１の減光部１より表示面側に配置されており、平面視で、第２の減光部２Ｃの第３の領域２３Ｃが、第１の減光部１の第１の領域１１と重畳するように配置されている。

【0053】

このような構成とすることにより、輝点欠陥に起因した表示品質の低下を更に抑制することが可能となる。即ち、第１の減光部１の第１の領域１１は、歪を含んでいる可能性があり、可視光の透過率が、第２の領域１２に比べて高くなってしまっている。そのため、透過率が高い第１の領域１１と、第１の領域１１と比べて透過率が低い第３の領域２３Ｃとを、平面視で重畳させることにより、輝点欠陥部１３３に起因して発生した光が、第１の領域１１から表示面側に抜け出てしまうのを抑制することが可能となる。

【0054】

更に、第３変形例においては、図１２に示すように、表示面側に配置された第２の減光部２Ｃの径が、背面側に配置された第１の減光部１の径よりも大きい構成としている。更には、透過率を下げることができている第２の領域２３Ｃが、平面視で、第１の減光部１を覆う構成としている。そのため、第１の減光部１から漏れ出た光が、表示面側に抜けることを抑制することができる。

【0055】

［液晶表示装置の製造方法］
次に、液晶表示装置ＬＣＤの製造方法について説明する。当該製造方法は、第１のガラス基板ＧＢ１（第１の透光性基板）と、前記第１のガラス基板ＧＢ１と対向して表示面側に位置する第２のガラス基板ＧＢ２（第２の透光性基板）と、を備える表示装置の製造方法について説明する。

【0056】

本実施形態における表示装置の製造方法は、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１を準備する工程と、ＣＦ基板ＳＵＢ２を準備する工程と、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１及びＣＦ基板ＳＵＢ２を貼り合わせる工程と、液晶注入工程と、表示パネルＤＰの点灯検査を行って、画素の輝点欠陥部を検出する検出工程と、輝点欠陥を修正する工程とを含んでいる。

【0057】

前記各工程のうち、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１を準備する工程、ＣＦ基板ＳＵＢ２を準備する工程、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１及びＣＦ基板ＳＵＢ２を貼り合わせる工程、液晶注入工程、及び検出工程は、周知の方法を適用することができる。

【0058】

例えば、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１を準備する工程は、第１のガラス基板ＧＢ１上に、ゲート線ＧＬ、データ線ＤＬ、画素電極ＰＩＴ、共通電極ＣＩＴ、各種絶縁膜、及び第１の偏光板ＰＯＬ１を形成する工程を含む。ＴＦＴ基板ＳＵＢ１で規定される画素Ｐは、赤色に対応する赤色画素Ｐｒ、緑色に対応する緑色画素Ｐｇ、及び青色に対応する青色画素Ｐｂを含んでもよい。また、ＣＦ基板ＳＵＢ２の製造工程は、第２のガラス基板ＧＢ２上に、ブラックマトリクスＢＭ、カラーフィルタＣＦ、及び第２の偏光板ＰＯＬ２を形成する工程を含む。

【0059】

以下では、本実施形態における表示装置の製造方法のうちの検出工程及び輝点欠陥修正工程について説明する。

【0060】

図１３は、輝点欠陥の修正方法のフロー図を示す。図１４は、輝点欠陥の修正方法を実施できる表示装置の製造装置９５のブロック図を示す。

【0061】

表示装置の製造装置９５は、少なくとも、表示装置の点灯検査を行って画素の輝点欠陥を検出する検査装置に含まれる検査装置９０と、輝点欠陥修正装置６とを備えている。製造装置９５は、さらに、制御装置９３と演算部９１とを備えていても良い。制御装置９３は、検査装置９０と演算部９１と輝点欠陥修正装置６とをそれぞれ動作制御する。演算部９１は、後述するように所定の演算を行う。検査装置９０は、顕微鏡などからなる検査光学系を含む。

【0062】

先ず、検出工程では、検査装置９０により、輝点欠陥を検出する。例えば、検査装置９０は、表示パネルＤＰを全点灯又は１ラインごとに点灯させて、各画素の輝度を測定する（ステップＳ００１）。あるいは、表示パネルＤＰを黒表示状態とし、表示パネルＤＰの背面側からバックライト光３４を照射して、各画素の輝度を測定する方法としてもよい。

【0063】

次に、検査装置９０は、閾値を超える輝度が測定された画素を輝点欠陥部１３３（画素欠陥部）として検出する（ステップＳ００２）。検査装置９０は、輝点欠陥部１３３として検出した画素の位置情報を、後述の輝点欠陥修正装置６に出力する。輝点欠陥部１３３の検出は、作業者による目視で行ってもよい。

【0064】

上述したステップＳ００２にて輝点欠陥部１３３が検出された場合、輝点欠陥修正工程（ステップＳ０３０）に移行する。輝点欠陥部１３３が検出されないときは、このフローを終了する。

【0065】

図１５には、輝点欠陥修正工程（ステップＳ０３０）を行うための輝点欠陥修正装置６の概略構成を示している。輝点欠陥修正装置６は、超短パルスレーザ発振機構７と、高集光レンズ８などを含む照射光学系５２と、照射光学系５２によるレーザ光の照射位置を移動させる移動装置９２と、を含んでいる。

【0066】

輝点欠陥修正工程（ステップＳ０３０）において、本実施形態では、一例として、超短パルスレーザ発振機構７として、１５５２ｎｍのレーザ光の波長及びパルス幅８００ｆｓのレーザ光を用いている。

【0067】

輝点欠陥修正工程（ステップＳ０３０）は、ステップＳ００３〜ステップＳ００６の工程を含む。

【0068】

輝点欠陥修正工程（ステップＳ０３０）では、先ず、輝点欠陥修正装置６が、検査装置９０から、輝点欠陥の画素の位置情報及び形状情報（例えば、位置、大きさ、形状）を取得する（ステップＳ００３）。

【0069】

次に、取得した形状情報より、演算部９１において、超短パルスレーザ光４を照射して形成する第１の減光部１の形状及び位置情報（例えば、位置、大きさ、形状）を演算する（ステップＳ００４）。

【0070】

次に、制御装置９３での制御の下に、演算部９１で演算して取得した第１の減光部１の位置情報に基づいて、輝点欠陥修正装置６の高集光レンズ８などの光学系を位置合わせする。

【0071】

次に、制御装置９３での制御の下に、輝点欠陥修正装置６は、超短パルスレーザ光４の焦点Ｆの位置が、第２のガラス基板ＧＢ２の内部の所望の位置に合うように調整する。焦点Ｆの位置は、例えば、輝点欠陥の原因となる異物の大きさ、又は、測定された輝度値に基づいて調整される。例えば、図１４に示すように、第２のガラス基板ＧＢ２の内部において、異物３３の近傍側に超短パルスレーザ光４の焦点Ｆが合うように調整する。

【0072】

次に、制御装置９３での制御の下に、輝点欠陥修正装置６は、超短パルスレーザ発振機構７から超短パルスレーザ光４を出射させる。これにより、超短パルスレーザ発振機構７から出射された超短パルスレーザ光４は、高集光レンズ８により、第２のガラス基板ＧＢ２の内部の焦点Ｆに集光されて照射される。

【0073】

次に、制御装置９３での制御の下に、超短パルスレーザ光４の照射位置（第１の照射位置）を、移動装置９２により移動させつつ、超短パルスレーザ光４を連続的に照射する（第１の照射工程）ことにより、第１の減光部１を形成（ステップＳ００５）する。このステップＳ００５を経て、輝点欠陥修正工程（ステップＳ０３０）を完了する（ステップＳ００６）。

【0074】

第１の照射工程においては、第１のガラス基板ＧＢ１及び第２のガラス基板ＧＢ２の少なくとも一方の内部における第１の照射位置に焦点を結ぶ超短パルスレーザ光４を照射して、図５、６に示すように、表示面側からみて輝点欠陥部１３３を覆う第１の減光部１を形成する。第１の減光部１は、レーザ光をガラス基板ＧＢ内で焦点を持つよう照射すると共に、第１の減光部１の外周側から内周側へとレーザ光をスパイラル状に走査することにより形成することができる。この時、レーザ光の照射は、第１の減光部１の中心部である第１の領域１１において終了することになるため、この第１の領域１１において、若干の歪が生じる。そのため、第１の領域１１における可視光の透過率は、第２の領域１２における可視光の透過率と比べて、若干高くなっている。

【0075】

本開示のような製造方法とすることにより、歪が生じる領域の面積を最小限に抑えることができる。例えば第１の方向にレーザ光を走査した後に、レーザ光の走査方向を第１の方向に逆方向に折り返し、当該逆方向にレーザ光を走査することを繰り返すような場合、このレーザ光の走査に関する全ての折り返し領域において歪が発生してしまう。これに対し、本開示の製造方法とすることにより、歪が生じる領域を、第１の減光部の中央領域である第１の領域１１に集めることができる。その結果として、輝点欠陥に起因した表示品質の低下を抑制することが可能となる。

【0076】

なお、上述した第１の照射工程が、第１の照射強度で前記エネルギービームを照射する第１強度照射工程と、第１強度照射工程の後で、前記第１の照射強度よりも弱い第２の照射強度で前記エネルギービームを照射する第２強度照射工程と、を含む方法とすることが望ましい。即ち、第１の減光部１の外周側からレーザ光を照射し、第２の領域１２を形成するタイミングにおいては、ある程度の強度をもったレーザ光を照射することにより、第２の領域１２における透過率を下げることが有効である。一方、歪が生じやすい、レーザ光照射の終了位置である、第１の領域１１を照射するタイミングにおいては、レーザ光の照射強度を低くすることにより、歪が発生するのを抑制することができ、第１の領域１１において、輝点欠陥部からの光が漏れ出てしまうことを抑制することができる。

【0077】

[第１変形例]
第１変形例においては、上述したステップＳ００５において、第１の照射工程に加えて、制御装置９３の制御の下に、第１の減光部１を形成する際の焦点位置よりも深い位置（背面側）に超短パルスレーザ光４の焦点を合わせて、当該超短パルスレーザ光４を照射する第２の照射工程を含む。この第２の照射工程により、第２の減光部２を形成する。

【0078】

第２の照射工程においては、第１のガラス基板ＧＢ１及び第２のガラス基板ＧＢ２の少なくとも一方の内部における第１の照射位置に焦点を結ぶ超短パルスレーザ光４を照射して、図７、８に示すように、表示面側からみて輝点欠陥部１３３を覆う第２の減光部２を形成する。第２の減光部２は、レーザ光をガラス基板ＧＢ内で焦点を持つよう照射すると共に、第２の減光部２の外周側から内周側へとレーザ光をスパイラル状に走査することにより形成することができる。この時、レーザ光の照射は、第２の減光部２の中心部である第３の領域２３Ａにおいて終了することになるため、この第３の領域２３Ａにおいて、若干の歪が生じる。そのため、第３の領域２３Ａにおける可視光の透過率は、第４の領域２４Ａにおける可視光の透過率と比べて、若干高くなっている。

【0079】

図８に示すにように、第１変形例においては、第１の減光部１が、第２の減光部２よりも表示面側に配置されており、平面視で、第１の減光部１の中心軸が、第２の減光部２の中心軸と重畳しないように配置されている。より具体的には、平面視で、第１の減光部１の第１の領域１１と第２の減光部２の第３の領域２３Ａとが重畳せず、第１の減光部１の第１の領域１１が第２の減光部２の第４の領域２４Ａと重畳し、第２の減光部２の第３の領域２３Ａが第１の減光部１の第２の領域１２と重畳するように配置している。

【0080】

このように、第１の減光部１の中心軸と第２の減光部２の中心軸とが重畳されない構成とするためには、第１の照射工程におけるレーザ光の照射終了位置と、第２の照射工程におけるレーザ光の照射終了位置とが、平面視で重畳しない方法とすることにより実現することができる。例えば、先に第１の照射工程を行い、後に第２の照射工程を行う場合には、第１の照射工程により形成された第１の減光部１の第２の領域１２に平面視で重畳する位置で、第２の照射工程の照射を終了することにより、平面視で、第１の減光部１の第１の領域１１と第２の減光部２の第３の領域２３Ａとが重畳しない構成を実現することができる。また、先に第２の照射工程を行い、後に第１の照射工程を行う場合には、第２の照射工程により形成された第２の減光部２の第４の領域２４Ａに平面視で重畳する位置で、第１の照射工程の照射を終了することにより、平面視で、第１の減光部１の第１の領域１１と第２の減光部２の第３の領域２３Ａとが重畳しない構成を実現することができる。

【0081】

このような製造方法とすることにより、輝点欠陥に起因した表示品質の低下を更に抑制することが可能となる。即ち、第１の減光部１の第１の領域１１、及び第２の減光部２の第３の領域２３Ａは、それぞれ歪を含んでいる可能性があり、可視光の透過率が、第２の領域１２、第４の領域２４Ａに比べて高くなってしまっている。そのため、透過率が高い第１の領域１１と、第１の領域１１と比べて透過率が低い第４の領域２４Ａとを、平面視で重畳させるとともに、透過率が高い第３の領域２３Ａと、第３の領域２３Ａよりも透過率が低い第２の領域１２とを、平面視で重畳させることにより、輝点欠陥部１３３に起因して発生した光が、第１の領域１１、第３の領域２３Ａから表示面側に抜け出てしまうのを抑制することが可能となる。

【0082】

なお、上述した第１の照射工程、及び第２の照射工程が、第１の照射強度で前記エネルギービームを照射する第１強度照射工程と、第１強度照射工程の後で、前記第１の照射強度よりも弱い第２の照射強度で前記エネルギービームを照射する第２強度照射工程と、を含む方法とすることが望ましい。即ち、第１の減光部１、第２の減光部２の外周側からレーザ光を照射し、第２の領域１２、第４の領域２４Ａを形成するタイミングにおいては、ある程度の強度をもったレーザ光を照射することにより、第２の領域１２、第４の領域２４Ａにおける透過率を下げることが有効である。一方、歪が生じやすい、レーザ光照射の終了位置である、第１の領域１１、第３の領域２３Ａを照射するタイミングにおいては、レーザ光の照射強度を低くすることにより、歪が発生するのを抑制することができ、第１の領域１１、第３の領域２３Ａにおいて、輝点欠陥部からの光が漏れ出てしまうことを抑制することができる。

【0083】

[第２変形例]
第２変形例においては、上述したステップＳ００５において、第１の照射工程に加えて、制御装置９３の制御の下に、第１の減光部１を形成する際の焦点位置よりも深い位置（背面側）に超短パルスレーザ光４の焦点を合わせて、当該超短パルスレーザ光４を照射する第２の照射工程を含む。この第２の照射工程により、第２の減光部２Ｂを形成する。

【0084】

第２の照射工程においては、第１のガラス基板ＧＢ１及び第２のガラス基板ＧＢ２の少なくとも一方の内部における第１の照射位置に焦点を結ぶ超短パルスレーザ光４を照射して、図９、１０に示すように、表示面側からみて輝点欠陥部１３３を覆う第２の減光部２Ｂを形成する。第２の減光部２Ｂは、レーザ光をガラス基板ＧＢ内で焦点を持つよう照射すると共に、第２の減光部２Ｂの内周側から外周側へとレーザ光をスパイラル状に走査することにより形成することができる。この時、レーザ光の照射は、第２の減光部２Ｂの外周部である第４の領域２４Ｂにおいて終了することになるため、この第４の領域２４Ｂにおいて、若干の歪が生じる。そのため、第４の領域２４Ｂにおける可視光の透過率は、第３の領域２３Ｂにおける可視光の透過率と比べて、若干高くなっている。

【0085】

図１０に示すにように、第２変形例においては、第１の減光部１が、第２の減光部２Ｂよりも表示面側に配置されており、平面視で、第１の減光部１の第１の領域１１が、第２の減光部２Ｂの第３の領域２３Ｂと重畳するように配置されている。また、平面視で、第１の減光部１の第２の領域１２が、第２の減光部２Ｂの第４の領域２４Ｂと重畳するように配置されている。

【0086】

このように、第１の減光部１の第１の領域１１と第２の減光部２Ｂの第３の領域２３Ｂとが重畳される構成とするためには、例えば、先に第１の照射工程を行い、後に第２の照射工程を行う場合には、第１の照射工程により形成された第１の減光部１の第１の領域１１に平面視で重畳する位置で、第２の照射工程の照射を開始することにより、平面視で、第１の減光部１の第１の領域１１と第２の減光部２Ｂの第３の領域２３Ｂとを重畳させる構成を実現することができる。また、先に第２の照射工程を行い、後に第１の照射工程を行う場合には、第２の照射工程により形成された第２の減光部２Ｂの第４の領域２４Ｂに平面視で重畳する位置で、第１の照射工程の照射を開始することにより、平面視で、第１の減光部１の第２の領域１２が、第２の減光部２Ｂの第４の領域２４Ｂと重畳する構成を実現することができる。

【0087】

このような製造方法とすることにより、輝点欠陥に起因した表示品質の低下を更に抑制することが可能となる。即ち、第１の減光部１の第１の領域１１、及び第２の減光部２Ｂの第４の領域２４Ｂは、それぞれ歪を含んでいる可能性があり、可視光の透過率が、第２の領域１２、第３の領域２３Ｂに比べて高くなってしまっている。そのため、透過率が高い第１の領域１１と、第１の領域１１と比べて透過率が低い第３の領域２３Ｂとを、平面視で重畳させるとともに、透過率が高い第４の領域２４Ｂと、透過率が低い第２の領域１２とを、平面視で重畳させる。このような構成とすることにより、輝点欠陥部１３３に起因して発生した光が、第１の領域１１、第４の領域２４Ｂから表示面側に抜け出てしまうのを抑制することが可能となる。

【0088】

更に、第２変形例においては、図１０に示すように、表示面側に配置された第１の減光部１の径が、背面側に配置された第２の減光部２の径よりも大きい構成としている。このような構成とすることによって、平面視で第１の減光部１の第２の領域１２が、第２の減光部の第４の領域２４Ｂを覆う構成とすることができるため、第４の領域２４Ｂから漏れ出た光が、表示面側に抜けることを抑制することができる。

【0089】

表示面側に配置された第１の減光部１の径を、背面側に配置された第２の減光部２Ｂの径よりも大きい構成とするためには、例えば、先に第１の照射工程を行い、後に第２の照射工程を行う場合には、第１の照射工程により形成された第１の減光部１の外形よりも内周側において、第２の照射工程におけるスパイラル状のレーザ光照射を終了する。また、先に第２の照射工程を行い、後に第１の照射工程を行う場合には、第２の照射工程により形成された第２の減光部２Ｂの外形よりも外周側から、第１の照射工程におけるスパイラル状のレーザ光照射を開始する。

【0090】

なお、上述した第１の照射工程、及び第２の照射工程が、第１の照射強度で前記エネルギービームを照射する第１強度照射工程と、第１強度照射工程の後で、前記第１の照射強度よりも弱い第２の照射強度で前記エネルギービームを照射する第２強度照射工程と、を含む方法とすることが望ましい。即ち、第１の減光部１の外周側からのレーザ光を照射し、第２の領域１２を形成するタイミング、及び、第２の減光部２Ｂの内周側からレーザ光を照射し、第３の領域２３Ｂを形成するタイミングにおいては、ある程度の強度をもったレーザ光を照射することにより、第２の領域１２、第３の領域２３Ｂにおける透過率を下げることが有効である。一方、歪が生じやすい、レーザ光照射の終了位置である、第１の領域１１、第４の領域２４Ｂを照射するタイミングにおいては、レーザ光の照射強度を低くすることにより、歪が発生するのを抑制することができ、第１の領域１１、第４の領域２４Ｂにおいて、輝点欠陥部からの光が漏れ出てしまうことを抑制することができる。

【0091】

[第３変形例]
第３変形例においては、上述したステップＳ００５において、第１の照射工程に加えて、制御装置９３の制御の下に、第１の減光部１を形成する際の焦点位置よりも表示面側に超短パルスレーザ光４の焦点を合わせて、当該超短パルスレーザ光４を照射する第２の照射工程を含む。この第２の照射工程により、第２の減光部２Ｃを形成する。

【0092】

第２の照射工程においては、第１のガラス基板ＧＢ１及び第２のガラス基板ＧＢ２の少なくとも一方の内部における第１の照射位置に焦点を結ぶ超短パルスレーザ光４を照射して、図１１、１２に示すように、表示面側からみて輝点欠陥部１３３を覆う第２の減光部２Ｃを形成する。第２の減光部２Ｃは、レーザ光をガラス基板ＧＢ内で焦点を持つよう照射すると共に、第２の減光部２Ｃの内周側から外周側へとレーザ光をスパイラル状に走査することにより形成することができる。この時、レーザ光の照射は、第２の減光部２Ｃの外周部である第４の領域２４Ｃにおいて終了することになるため、この第４の領域２４Ｃにおいて、若干の歪が生じる。そのため、第４の領域２４Ｃにおける可視光の透過率は、第３の領域２３Ｃにおける可視光の透過率と比べて、若干高くなっている。

【0093】

図１２に示すにように、第３変形例においては、第２の減光部２Ｃが、第１の減光部１よりも表示面側に配置されており、平面視で、第１の減光部１の第１の領域１１が、第２の減光部２Ｃの第３の領域２３Ｃと重畳するように配置されている。

【0094】

このように、第１の減光部１の第１の領域１１と第２の減光部２Ｃの第３の領域２３Ｃとが重畳される構成とするためには、例えば、先に第１の照射工程を行い、後に第２の照射工程を行う場合には、第１の照射工程により形成された第１の減光部１の第１の領域１１に平面視で重畳する位置で、第２の照射工程の照射を開始することにより、平面視で、第１の減光部１の第１の領域１１と第２の減光部２Ｃの第３の領域２３Ｃとを重畳させる構成を実現することができる。

【0095】

このような製造方法とすることにより、輝点欠陥に起因した表示品質の低下を更に抑制することが可能となる。即ち、第１の減光部１の第１の領域１１は、歪を含んでいる可能性があり、可視光の透過率が、第２の領域１２、第３の領域２３Ｃに比べて高くなってしまっている。そのため、透過率が高い第１の領域１１と、第１の領域１１と比べて透過率が低い第３の領域２３Ｃとを、平面視で重畳させることにより、輝点欠陥部１３３に起因して発生した光が、第１の領域１１から表示面側に抜け出てしまうのを抑制することが可能となる。

【0096】

更に、第３変形例においては、図１２に示すように、表示面側に配置された第２の減光部２Ｃの径が、背面側に配置された第１の減光部１の径よりも大きい構成としている。更には、平面視で、第２の減光部２Ｃの第３の領域２３Ｃが、第１の減光部１を覆う構成としている。そのため、第１の減光部１から漏れ出た光が、表示面側に抜けることを抑制することができる。

【0097】

表示面側に配置された第２の減光部２Ｃの径を、背面側に配置された第１の減光部１の径よりも大きい構成とするためには、例えば、先に第１の照射工程を行い、後に第２の照射工程を行う場合には、第１の照射工程により形成された第１の減光部１の外形よりも外周側まで、第２の照射工程におけるスパイラル状のレーザ光照射を継続する。また、先に第２の照射工程を行い、後に第１の照射工程を行う場合には、第２の照射工程により形成された第２の減光部２Ｃの外形よりも内周側から、第１の照射工程におけるスパイラル状のレーザ光照射を開始する。

【0098】

なお、上述した第１の照射工程、及び第２の照射工程が、第１の照射強度で前記エネルギービームを照射する第１強度照射工程と、第１強度照射工程の後で、前記第１の照射強度よりも弱い第２の照射強度で前記エネルギービームを照射する第２強度照射工程と、を含む方法とすることが望ましい。即ち、第１の減光部１の外周側からのレーザ光を照射し、第２の領域１２を形成するタイミング、及び、第２の減光部２Ｃの内周側からレーザ光を照射し、第３の領域２３Ｃを形成するタイミングにおいては、ある程度の強度をもったレーザ光を照射することにより、第２の領域１２、第３の領域２３Ｃにおける透過率を下げることが有効である。一方、歪が生じやすい、レーザ光照射の終了位置である、第１の領域１１、第４の領域２４Ｃを照射するタイミングにおいては、レーザ光の照射強度を低くすることにより、歪が発生するのを抑制することができ、第１の領域１１、第４の領域２４Ｃにおいて、輝点欠陥部からの光が漏れ出てしまうことを抑制することができる。

【0099】

なお、上述の説明では、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１とＣＦ基板ＳＵＢ２との間に異物３３が混入した場合の輝点欠陥を示しているが、輝点欠陥の原因はこれに限定されない。例えば、薄膜トランジスタＴＦＴの不具合による光漏れ、又は、基板間に配置されるスペーサに起因した光漏れ等が起こり得る。本開示における液晶表示装置の製造方法に係る輝点欠陥修正方法は、これらの輝点欠陥にも適用することができる。

【0100】

また、輝点欠陥が生じ得る異物３３の混入位置は、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１とＣＦ基板ＳＵＢ２との間に限定されない。例えば、第１のガラス基板ＧＢ１と第１の偏光板ＰＯＬ１との間に異物が混入した場合も輝点欠陥が生じ得る。この場合は、第１の減光部１、第２の減光部２、２Ｂ、２Ｃが、第１のガラス基板ＧＢ１の内部における異物の近傍に形成されていてもよい。また、第２のガラス基板ＧＢ２と第２の偏光板ＰＯＬ２との間に異物が混入した場合も輝点欠陥が生じ得る。この場合は第１の減光部１、第２の減光部２、２Ｂ、２Ｃが、第２のガラス基板ＧＢ２の内部における異物の近傍に形成されていてもよい。このように、異物は、表示パネルＤＰの不特定の位置に混入し得る。そのため、１枚の表示パネルＤＰにおいて、輝点欠陥を生じさせる異物が、第１のガラス基板ＧＢ１及び第１の偏光板ＰＯＬ１の間（第１位置）と、第２のガラス基板ＧＢ２及び第２の偏光板ＰＯＬ２の間（第２位置）とに混入した場合、第１の減光部１が、第１位置の異物に対応して、第１のガラス基板ＧＢ１の内部における異物の近傍に形成され、第２の減光部２、２Ｂ、２Ｃが、第２位置の異物に対応して、第２のガラス基板ＧＢ２の内部における異物の近傍に形成されていてもよい。なお、この場合に、輝点欠陥修正工程の作業効率を考慮して、第１の減光部１、第２の減光部２、２Ｂ、２Ｃが、第２のガラス基板ＧＢ２の表示面側に形成されていてもよい。また、第１の減光部１、第２の減光部２、２Ｂ、２Ｃは、それぞれ透過率が異なるように形成されていてもよい。

【0101】

以上、本発明の複数の実施形態について説明したが、本発明は前記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で前記各実施形態から当業者が適宜変更した形態も本発明の技術的範囲に含まれる。

【0102】

また、前記様々な実施形態又は変形例のうちの任意の実施形態又は変形例を適宜組み合わせることにより、それぞれの有する効果を奏するようにすることができる。また、実施形態同士の組み合わせ又は実施例同士の組み合わせ又は実施形態と実施例との組み合わせが可能であると共に、異なる実施形態又は実施例の中の特徴同士の組み合わせも可能である。

【符号の説明】

【0103】

ＡＦ 配向膜、ＢＭ ブラックマトリクス、ＣＦ カラーフィルタ、ＣＩＴ 共通電極、ＣＯＮＴ コンタクトホール、ＤＬ データ線、ＤＭ ドレイン電極、ＤＰ 表示パネル、ＧＢ ガラス基板、ＧＢ１ 第１のガラス基板、ＧＢ２ 第２のガラス基板、ＧＳＮ ゲート絶縁膜、ＧＬ ゲート線、ＬＣ 液晶層、ＬＣＤ 液晶表示装置、ＯＣ オーバコート層、ＰＡＳ 絶縁膜、ＰＩＴ 画素電極、ＰＯＬ１ 第１の偏光板、ＰＯＬ２ 第２の偏光板、ＳＥＭ 半導体層、ＳＭ ソース電極、ＳＵＢ１ ＴＦＴ基板、ＳＵＢ２ ＣＦ基板、ＵＰＡＳ 上層絶縁膜、１ 第１の減光部、２ 第２の減光部、２Ｂ 第２の減光部、２Ｃ 第２の減光部、４ 超短パルスレーザ光、６ 輝点欠陥修正装置、７ 超短パルスレーザ発振機構、８ 高集光レンズ、１０ 第１の低透過率領域、１１ 第１の領域、１２ 第２の領域、２０ 第２の低透過率領域、２０Ｂ 第２の低透過率領域、２０Ｃ 第２の低透過率領域、２３Ａ 第３の領域、２３Ｂ 第３の領域、２３Ｃ 第３の領域、２４Ａ 第４の領域、２４Ｂ 第４の領域、２４Ｃ 第４の領域、３０ データ線駆動回路、３１ ゲート線駆動回路、３２ 開口部、３３ 異物、３４ バックライト光、５２ 照射光学系、９０ 検査装置、９１ 演算部、９２ 移動装置、９３ 制御装置、９５ 製造装置、１００ 紫外線又はガンマ線、１３３ 輝点欠陥部、１３４ バックライト、Ｆ 焦点。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】