特開 2019-159062 液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法及び電子機器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】特開2019-159062(P2019-159062A)

(43)【公開日】2019年9月19日

(54)【発明の名称】液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法及び電子機器

(51)【国際特許分類】

   G02F 1/13 20060101AFI20190823BHJP

   G02F 1/1333 20060101ALI20190823BHJP

【ＦＩ】

   G02F1/13 101

   G02F1/1333

【審査請求】未請求

【請求項の数】17

【出願形態】ＯＬ

【全頁数】17

(21)【出願番号】特願2018-44624(P2018-44624)

(22)【出願日】2018年3月12日

(71)【出願人】

【識別番号】506087819

【氏名又は名称】パナソニック液晶ディスプレイ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000154

【氏名又は名称】特許業務法人はるか国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】津田 和彦

【テーマコード（参考）】

2H088

2H189

【Ｆターム（参考）】

2H088FA04

2H088FA06

2H088FA07

2H088FA09

2H088FA10

2H088FA19

2H088HA01

2H088HA02

2H088HA05

2H088MA20

2H189CA18

2H189CA20

2H189CA28

2H189DA72

2H189EA04Y

2H189FA22

2H189FA25

2H189FA61

2H189FA70

2H189HA11

2H189HA16

2H189LA01

2H189LA04

(57)【要約】      （修正有）

【課題】エッチング工程を含む液晶表示装置の製造方法において、端子部が腐食されるリスクを低減する。
【解決手段】薄膜トランジスタ基板１００は、対向基板２００と平面視で重畳する重畳部と、端子部を含み対向基板２００と平面視で重畳しない非重畳部と、を含む液晶表示装置１の製造方法であって、平面視で端子部の外周を囲む環状の第１のシール部材を形成する工程と、平面視で重畳部の外縁に沿って配置された環状の第２のシール部材を形成する工程と、平面視で第１のシール部材、第２のシール部材が形成された領域を含む全体領域の外縁をウェットエッチングして、第１の基板と第２の基板から全体領域を分離させる工程と、エッチング工程後に、第１の基板と第２の基板とを非重畳部の外縁に沿って分断する工程と、分断工程後に、重畳部と非重畳部との境界に沿って第２の基板を切断して、第２の基板から対向基板２００を分離させる工程と、を含む。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

薄膜トランジスタアレイを含む薄膜トランジスタ基板と、前記薄膜トランジスタ基板と対向する対向基板と、を含み、前記薄膜トランジスタ基板は、前記対向基板と平面視で重畳する重畳部と、端子部を含み前記対向基板と平面視で重畳しない非重畳部と、を含む、液晶表示装置の製造方法であって、
前記薄膜トランジスタ基板を含む第１の基板を準備する第１の基板準備工程と、
前記対向基板を含む第２の基板を準備する第２の基板準備工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間において、平面視で、前記端子部の外周を囲む、環状の第１のシール部材を形成する第１シール部材形成工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間において、平面視で、前記重畳部の外縁に沿って配置された、環状の第２のシール部材を形成する第２のシール部材形成工程と、
平面視で、前記第１のシール部材が形成された領域と、前記第２のシール部材が形成された領域と、を含む全体領域の外縁をウェットエッチングして、前記第１の基板と前記第２の基板から、前記全体領域を分離させるエッチング工程と、
前記エッチング工程後に、前記第１の基板と前記第２の基板とを前記非重畳部の外縁の一部に沿って分断する分断工程と、
前記分断工程後に、前記重畳部と前記非重畳部との境界に沿って前記第２の基板を切断して、前記第２の基板から前記対向基板を分離させる端子出し工程と、
を含む、液晶表示装置の製造方法。

【請求項2】

前記分断工程において、前記非重畳部の外縁が、前記第１のシール部材の内周側に配置され、前記第１のシール部材の一部が、前記全体領域から除去される、
請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。

【請求項3】

前記第１のシール部材および前記第２のシール部材のそれぞれの一部は、前記重畳部と前記非重畳部の境界である第１の辺に沿って形成されている、
請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法。

【請求項4】

前記第１のシール部材と前記第２のシール部材とは、前記第１の辺に沿って統合されている、
請求項３に記載の液晶表示装置の製造方法。

【請求項5】

前記非重畳部は、略台形であり、
前記分断工程は、
前記非重畳部の外縁を構成し前記第１の辺に対向する第２の辺と、前記第１の辺と前記第２の辺と、を結ぶ前記非重畳部の外縁を構成する第１の脚、第２の脚と、において第１の基板を切断する工程と、
前記第１の辺、前記第２の辺、前記第１の脚、及び前記第２の脚と、平面視で重畳するように前記第２の基板を切断する工程と、を含む
請求項３に記載の液晶表示装置の製造方法。

【請求項6】

前記第１の基板を切断する工程、及び前記第２の基板を切断する工程において、
前記第２の辺が、平面視で前記第１のシール部材の内周側に配置され、
前記第１の脚、前記第２の脚が、前記第１のシール部材と平面視で交差する、
請求項５に記載の液晶表示装置の製造方法。

【請求項7】

前記エッチング工程の前に、
平面視で、前記全体領域の外縁に重畳するように前記第１の基板と前記第２の基板にレーザー光を照射するレーザー光照射工程を更に含む、
請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。

【請求項8】

前記対向基板は、前記重畳部と前記非重畳部の境界である第１の辺と平面視で重畳する第３の辺と、前記第３の辺と対向する第４の辺と、前記第４の辺と交差する第５の辺と、を含み、
前記レーザー光照射工程において、
前記第５の辺が、平面視で外方に湾曲するよう、前記レーザー光を照射する、
請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法。

【請求項9】

側面方向から見て、前記重畳部を湾曲させる湾曲工程を更に含む、
請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。

【請求項10】

前記湾曲工程において、
側面方向から見て、前記重畳部における最小曲率に比べて、前記非重畳部における平均曲率が小さい、
請求項９に記載の液晶表示装置の製造方法。

【請求項11】

薄膜トランジスタアレイを含む薄膜トランジスタ基板と、
前記薄膜トランジスタ基板と対向する対向基板と、
前記薄膜トランジスタ基板と前記対向基板との間に配置された液晶層と、を含み、
前記薄膜トランジスタ基板は、
前記対向基板と平面視で重畳する重畳部と、
端子部を含み前記対向基板と平面視で重畳しない非重畳部と、を含み、
平面視における前記非重畳部の外形は非矩形状である、
液晶表示装置。

【請求項12】

平面視における前記非重畳部の外形は台形である、
請求項１１に記載の液晶表示装置。

【請求項13】

前記非重畳部の外形における前記重畳部と隣接する第１の辺が、前記台形の二つの底辺の内、長い方の底辺である、
請求項１２に記載の液晶表示装置。

【請求項14】

前記対向基板は、前記第１の辺と平面視で重畳する第３の辺と、前記第３の辺と対向する第４の辺を含み、
前記第３の辺の断面と前記対向基板の表示面とが交差する端部の曲率と比べて、前記第４の辺の断面と前記対向基板の前記表示面とが交差する端部の曲率は小さい、
請求項１３に記載の液晶表示装置。

【請求項15】

前記対向基板は、前記第１の辺と平面視で重畳する第３の辺と、前記第３の辺と対向する第４の辺と、前記第４の辺とを交差する第５の辺を含み、
前記第５の辺が、平面視で外方に湾曲する、
請求項１３に記載の液晶表示装置。

【請求項16】

側面方向から見て、前記非重畳部における平均曲率は、前記重畳部における最小曲率に比べて、小さい、
請求項１１に記載の液晶表示装置。

【請求項17】

請求項１６に記載の液晶表示装置を含み、
前記重畳部において、前記対向基板の表示面側と前記薄膜トランジスタ基板の背面側とを挟持する保持部材を含む、
電子機器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法及び電子機器に関する。

【背景技術】

【0002】

従来の液晶表示装置の製造方法では、まず、カラーフィルタ基板と薄膜トランジスタ基板とを準備し、両基板の少なくとも一方の周縁に沿うように液晶シールを形成し、両基板を張り合わせる。次に、この液晶シールに囲まれる領域に液晶を滴下し液晶層を形成する。その後、両基板に対してレーザー光照射工程と、エッチング工程とを経て、両基板を分断して個片化する。その際に、レーザー光を照射する領域に平面視で重畳するように、両基板の間に耐エッチングシールを介在させることにより、エッチング工程において、エッチング液が両基板の間に浸入するのを抑制していた。その後、耐エッチングシールを剥離することにより、個片化を行っていた（特許文献１を参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１０−１２６３９８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上記従来の製造方法では、薄膜トランジスタ基板に載置されるドライバＩＣと接続される端子部が腐食されるリスクがあった。即ち、上記従来の製造方法では、レーザー光を平面視で耐エッチングシールに重畳するよう照射するため、耐エッチングシールがダメージを受け、耐エッチングシールと両基板との間に隙間が空いてしまう可能性があり、そこからエッチング液が浸入する可能性がある。そのため、エッチング工程において、端子部が腐食されてしまうリスクがあった。

【0005】

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、エッチング工程を含む液晶表示装置の製造方法において、端子部が腐食されるリスクを低減することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の液晶表示装置の製造方法は、薄膜トランジスタアレイを含む薄膜トランジスタ基板と、前記薄膜トランジスタ基板と対向する対向基板と、を含み、前記薄膜トランジスタ基板は、前記対向基板と平面視で重畳する重畳部と、端子部を含み前記対向基板と平面視で重畳しない非重畳部と、を含む、液晶表示装置の製造方法であって、前記薄膜トランジスタ基板を含む第１の基板を準備する第１の基板準備工程と、前記対向基板を含む第２の基板を準備する第２の基板準備工程と、前記第１の基板と前記第２の基板との間において、平面視で、前記端子部の外周を囲む、環状の第１のシール部材を形成する第１シール部材形成工程と、前記第１の基板と前記第２の基板との間において、平面視で、前記重畳部の外縁に沿って配置された、環状の第２のシール部材を形成する第２のシール部材形成工程と、平面視で、前記第１のシール部材が形成された領域と、前記第２のシール部材が形成された領域と、を含む全体領域の外縁をウェットエッチングして、前記第１の基板と前記第２の基板から、前記全体領域を分離させるエッチング工程と、前記エッチング工程後に、前記第１の基板と前記第２の基板とを前記非重畳部の外縁に沿って分断する分断工程と、前記分断工程後に、前記重畳部と前記非重畳部との境界に沿って前記第２の基板を切断して、前記第２の基板から前記対向基板を分離させる端子出し工程と、を含む、液晶表示装置の製造方法。

【0007】

本開示に係る液晶表示装置は、薄膜トランジスタアレイを含む薄膜トランジスタ基板と、前記薄膜トランジスタ基板と対向する対向基板と、前記薄膜トランジスタ基板と前記対向基板との間に配置された液晶層と、を含み、前記薄膜トランジスタ基板は、前記対向基板と平面視で重畳する重畳部と、端子部を含み前記対向基板と平面視で重畳しない非重畳部と、を含み、平面視における前記非重畳部の外形は非矩形状である。

【発明の効果】

【0008】

本開示に係る液晶表示装置の製造方法によれば、端子部が腐食されるリスクが低減された液晶表示装置を製造することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】図１は第１の実施形態に係る液晶表示装置の概略構成を示す模式的な平面図である。

【図2】図２は図１のII‐II線における断面を示す模式的な断面図である。

【図3】図３は図２のIII部を拡大する模式的な断面図である。

【図4】図４は図２のIV部を拡大する模式的な断面図である。

【図5】図５は図１のV部を拡大する模式的な平面図である。

【図6】図６は液晶表示装置を電子機器に搭載させた例を示す模式的な側面図である。

【図7】図７は表示パネル１０における表示領域の概略構成を示す等価回路図である。

【図8】図８は表示パネルの画素の具体的な構成を示す平面図である。

【図9】図９は図８のＣ−Ｃ線における断面を示す模式的な断面図である。

【図10】図１０は図８のＤ−Ｄ線における断面を示す模式的な断面図である。

【図11】図１１は第１の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を示すフローチャート図である。

【図12】図１２は第１の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を示す模式的な平面図である。

【図13】図１３は第１の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を示す模式的な平面図である。

【図14】図１４は第１の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を示す模式的な平面図である。

【図15】図１５は図１４のＥ−Ｅ線における断面を示す模式的な断面図である。

【図16】図１６は第１の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を示す模式的な平面図である。

【図17】図１７は第１の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を示す模式的な平面図である。

【図18】図１８は第１の実施形態に係る液晶表示装置の他の実施例を示す模式的な平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

［第１の実施形態］
以下、第１の実施形態について、図面を用いて説明する。

【0011】

［液晶表示装置］
本開示の第１の実施形態における液晶表示装置について、図面を用いて以下に説明する。図１は、第１の実施形態に係る液晶表示装置１の概略構成を示す模式的な平面図であり、図２は、図１のII‐II線における断面構造を示す模式的な断面図である。

【0012】

液晶表示装置１は、表示パネル１０と、駆動ドライバ（例えば、ソースドライバＩＣ２０、ゲートドライバＩＣ３０）と、制御回路（図示せず）と、バックライト装置（図示せず）とを含んで構成されている。表示パネル１０は、薄膜トランジスタアレイを含む薄膜トランジスタ基板１００と、薄膜トランジスタ基板１００と対向する対向基板２００と、両基板間に配置された液晶層３００と、を含んでいる。薄膜トランジスタ基板１００の第１の主面（表示面側）と、対向基板２００の第２の主面（背面側）の間には、液晶層３００の外周を囲うシール部材３１０が配置され、シール部材３１０が、薄膜トランジスタ基板１００と対向基板２００とを接着固定している。液晶層３００は、薄膜トランジスタ基板１００と対向基板２００とシール部材３１０とにより囲まれて配置されており、液晶層３００に含まれる液晶が、シール部材３１０の内周側に封入されている。

【0013】

薄膜トランジスタ基板１００は、対向基板２００と平面視で重畳する重畳部１４０と、対向基板２００と平面視で重畳しない非重畳部１６０と、を含む。非重畳部１６０における第１の主面（表示面側）には、駆動ドライバ２０、３０と電気的に接続される端子部４０が配置されている。本実施形態に係る液晶表示装置１では、非重畳部１６０が表示パネル１０の一辺（図１では左辺）側に配置されている。言い換えると、非重畳部１６０は、平面的に見て、対向基板２００から行方向（第１方向）にはみ出している。薄膜トランジスタ基板１００は、平面的に見て、非重畳部１６０の分だけ対向基板２００より面積が大きくなっている。

【0014】

ソースドライバＩＣ２０及びゲートドライバＩＣ３０は、非重畳部１６０において薄膜トランジスタ基板１００を構成するガラス基板上に直接搭載されている。すなわち、図１では、ＣＯＧ（Chip On Glass）方式の液晶表示装置１を例示している。ソースドライバＩＣ２０及びゲートドライバＩＣ３０は、表示パネル１０の一辺に沿って一列（図１では列方向）に並んで配置されている。尚、本実施形態では、ソースドライバＩＣ２０及びゲートドライバＩＣ３０を１個ずつ示しているが、それぞれの数は限定されない。また、本開示に係る液晶表示装置１は、ＣＯＧ方式に限定されず、例えばＣＯＦ（Chip On Film）方式又はＴＣＰ（Tape Carrier Package）方式の液晶表示装置１であってもよい。

【0015】

図１に示すように、非重畳部１６０の形状は平面視で非矩形状となっており、本実施形態においては、平面視で台形となっている。より具体的には、非重畳部１６０の外形における重畳部１４０と隣接する第１の辺１５１が、台形の二つの底辺の内、長い方の底辺となっている。非重畳部１６０の外縁を構成し、第１の辺１５１に対向する第２の辺１５２は、台形の二つの底辺の内、短い方の底辺となっている。この第１の辺１５１、第２の辺１５２に加え、この第１の辺１５１と第２の辺１５２とを結ぶ第１の脚１５３、第２の脚１５４と、により、台形状の非重畳部１６０の外形が構成されている。本第１の実施形態では、非重畳部１６０の形状が非矩形状である。特に、その一辺が、それに隣接する他辺（本実施形態では、底辺）に対して、９０度より小さい角度を有する特徴を有する。

【0016】

図１に示すように、本実施形態における対向基板２００は、第１の辺１５１と平面視で重畳する第３の辺２５３と、第３の辺２５３と対向する第４の辺２５４と、第４の辺２５４と交差する第５の辺２５５と、を含む。

【0017】

図３は、図２のIII部を拡大する模式図であり、対向基板２００における第３の辺２５３の断面２６３と、対向基板２００の表示面とが交差する端部を示す。また、図４は、図２のIV部を拡大する模式図であり、対向基板２００における第４の辺２５４の断面２６４と、対向基板２００の表示面とが交差する端部を示す。

【0018】

図３に示すように、対向基板２００における第３の辺２５３の断面２６３と、対向基板２００の表示面とは、ほぼ直角に交差している。一方、図４に示すように、対向基板２００における第４の辺２５４の断面２６４と、対向基板２００の表示面とが交差する端部は丸みを帯びた形状となっている。即ち、第３の辺２５３の断面２６３と対向基板２００の表示面とが交差する端部の曲率と比べて、第４の辺２５４の断面２６４と対向基板２００の表示面とが交差する端部の曲率は小さくなっている。

【0019】

図５は、図１のV部を拡大する模式図であり、第４の辺２５４と第５の辺２５５とが交差する端部を示す。図５に示すように、第４の辺２５４と第５の辺２５５とが交差する端部は丸みを帯びた形状となっている。

【0020】

なお、図１に示す例においては、第５の辺２５５を直線で示しているが、図１８に示すように、第５の辺が、平面視で外方に湾曲する構成とすることが望ましい。同様に、第５の辺２５５と対向する第６の辺２５６についても、平面視で外方に湾曲する構成とすることが望ましい。

【0021】

このように、第５の辺２５５、第６の辺２５６の少なくとも一方を、平面視で外方に湾曲する構成とすることにより、例えば、図６に示すように、側面方向から見て、液晶表示装置１を湾曲させる構成とするような場合において、応力が集中しやすい中央部分における対向基板２００、薄膜トランジスタ基板１００の割れの発生を抑制することができる。

【0022】

図６は、液晶表示装置１を電子機器に搭載させた例を示す模式的な側面図である。本実施形態においては、図６に示すように、電子機器が、重畳部１４０と平面視で重畳する位置において、対向基板２００の表示面側と薄膜トランジスタ基板１００の背面側とを挟持する第１の保持部材４０１、第２の保持部材４０２を有する構成としている。

【0023】

薄膜トランジスタ基板１００の形状を保持する第１の保持部材４０１の位置を重畳部１４０としている。これにより、側面方向から見て、非重畳部１６０における平均曲率は、重畳部１４０における最小曲率に比べて、小さい構成となっている。このような構成とすることにより、薄膜トランジスタ基板１００において、重畳部１４０と比較して、マイクロクラックが残存する可能性が高い非重畳部１６０において、当該マイクロクラックに起因する表示パネル１０の割れの発生を抑制することができる。なお、薄膜トランジスタ基板１００において、非重畳部１６０が、重畳部１４０と比較してマイクロクラックが残存する可能性が高い理由については、液晶表示装置１の製造方法にて後述する。

【0024】

薄膜トランジスタ基板１００の第２の主面（背面側）、及び対向基板２００の第１の主面（表示面側）には偏光板（図示せず）が形成されており、薄膜トランジスタ基板１００の背面側に設けられた偏光板のさらに背面側にはバックライト装置が配置されている。

【0025】

図７は、表示パネル１０における表示領域の概略構成を示す等価回路図である。表示パネル１０には、第１方向（例えば行方向）に延在する複数のデータ線１１と、第２方向（例えば列方向）に延在する複数のゲート線１２とが設けられている。各データ線１１と各ゲート線１２との各交差部には、薄膜トランジスタ１３（以下、ＴＦＴという。）が設けられている。各データ線１１は対応するソースドライバＩＣ２０（図１参照）に電気的に接続されており、各ゲート線１２は対応するゲートドライバＩＣ３０（図１参照）に電気的に接続されている。

【0026】

表示パネル１０には、各データ線１１と各ゲート線１２との各交差部に対応して、複数の画素１４がマトリクス状（行方向及び列方向）に配置されている。ＴＦＴ基板１００には、画素１４ごとに配置される複数の画素電極１５と、複数の画素１４に共通する共通電極１６と、が設けられている。

【0027】

各データ線１１には、対応するソースドライバＩＣ２０からデータ信号（データ電圧）が供給される。各ゲート線１２には、対応するゲートドライバＩＣ３０からゲート信号（ゲートオン電圧、ゲートオフ電圧）が供給される。共通電極１６には、コモンドライバ（図示せず）から共通配線１７を介して共通電圧Ｖｃｏｍが供給される。ゲート信号のオン電圧（ゲートオン電圧）がゲート線１２に供給されると、ゲート線１２に接続されたＴＦＴ１３がオンし、ＴＦＴ１３に接続されたデータ線１１を介して、データ電圧が画素電極１５に供給される。画素電極１５に供給されたデータ電圧と、共通電極１６に供給された共通電圧Ｖｃｏｍとの差により電界が生じる。この電界により液晶を駆動してバックライトの光の透過率を制御することによって画像表示を行う。なお、カラー表示を行う場合は、ストライプ状のカラーフィルタで形成された赤色、緑色、青色に対応するそれぞれの画素１４の画素電極１５に接続されたそれぞれのデータ線１１に、所望のデータ電圧を供給することにより実現される。

【0028】

図８は、表示パネル１０の画素１４の具体的な構成を示す平面図である。図９は図８のＣ−Ｃ断面図であり、図１０は図８のＤ−Ｄ断面図である。図８〜図１０を参照しつつ、画素１４の具体的な構成について説明する。

【0029】

図８において、表示パネル１０を平面的に見て、隣り合う２本のデータ線１１と、隣り合う２本のゲート線１２とで区画された領域が１つの画素１４に相当する。各画素１４には、ＴＦＴ１３が設けられている。ＴＦＴ１３は、絶縁膜１０２（図９及び図１０参照）上に形成された半導体層２１と、半導体層２１上に形成されたドレイン電極２２及びソース電極２３とを含んで構成されている。ドレイン電極２２はデータ線１１に電気的に接続されており、ソース電極２３はスルーホール２４を介して画素電極１５に電気的に接続されている。

【0030】

各画素１４には、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる画素電極１５が形成されている。画素電極１５は、複数の開口部（スリット）を有しており、ストライプ状に形成されている。開口部の形状は限定されない。各画素１４に共通して、表示領域の全体にＩＴＯ等の透明導電材料からなる１つの共通電極１６が形成されている。共通電極１６における、スルーホール２４及びＴＦＴ１３のソース電極２３に重なる領域には、画素電極１５とソース電極２３とを電気的に接続させるための開口部（図８の点線囲みに相当）が形成されている。

【0031】

図９及び図１０に示すように、表示パネル１０は、薄膜トランジスタ基板１００と、対向基板２００と、薄膜トランジスタ基板１００及び対向基板２００の間に挟持される液晶層３００と、を含んで構成されている。

【0032】

薄膜トランジスタ基板１００では、ガラス基板１０１上にゲート線１２（図５参照）が形成され、ゲート線１２を覆うように絶縁膜１０２が形成されている。絶縁膜１０２上にはデータ線１１（図６参照）が形成され、データ線１１を覆うように絶縁膜１０３が形成されている。絶縁膜１０３上には共通電極１６が形成され、共通電極１６を覆うように絶縁膜１０４が形成されている。絶縁膜１０４上には画素電極１５が形成され、画素電極１５を覆うように配向膜１０５が形成されている。ガラス基板１０１における背面側には偏光板１０６が設けられている。

【0033】

対向基板２００では、ガラス基板２０１上にブラックマトリクス２０３及び着色部２０２（例えば、赤色部、緑色部、青色部）が形成され、これらを覆うようにオーバコート層２０４が形成されている。オーバコート層２０４上には配向膜２０５が形成されている。ガラス基板２０１における表示面側（液晶層３００側とは反対側）の面（表面）には導電層２０６が設けられており、導電層２０６における表示面側（液晶層３００側とは反対側）の面（表面）には偏光板２０７が設けられている。

【0034】

液晶層３００には、液晶３０１が封入されている。液晶３０１は、誘電率異方性が負のネガ型液晶であってもよいし、誘電率異方性が正のポジ型液晶であってもよい。配向膜１０５、２０５は、ラビング配向処理が施された配向膜であってもよいし、光配向処理が施された光配向膜であってもよい。

【0035】

［液晶表示装置の製造方法］
以下、本実施形態に係る液晶表示装置１の製造方法について説明する。図１１は、本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を示すフローチャート図である。

【0036】

図１１に示すように、液晶表示装置１の製造方法は、第１の基板準備工程（Ｓ１）と、第２の基板準備工程（Ｓ２）と、シール部材形成工程（Ｓ３）と、液晶層形成工程（Ｓ４）と、基板貼り合わせ工程（Ｓ５）と、レーザー光照射工程（Ｓ６）と、エッチング工程（Ｓ７）と、分断工程（Ｓ８）と、端子出し工程（Ｓ９）を含む。

【0037】

第１の基板準備工程（Ｓ１）とは、薄膜トランジスタ基板１００を含む第１の基板１００Ａを準備する工程である。第２の基板準備工程（Ｓ２）とは、対向基板２００を含み、後述する基板貼り合わせ工程において第１の基板１００Ａの表示面側に配置され、第１の基板１００Ａと対向する第２の基板２００Ａを準備する工程である。第１の基板準備工程（Ｓ１）と第２の基板準備工程（Ｓ２）の前後関係は問わない。

【0038】

第１の基板準備工程（Ｓ１）と第２の基板準備工程（Ｓ２）を行った後に、シール部材形成工程（Ｓ３）を行う。図１２、１３は、本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を示す模式的な平面図である。以下、図１２、１３を用いて、シール部材形成工程（Ｓ３）について説明する。

【0039】

本実施形態においては、シール部材形成工程（Ｓ３）が、第１のシール部材形成工程と、第２のシール部材形成工程と、を含む。

【0040】

第１のシール部材形成工程では、第１の基板１００Ａと第２の基板２００Ａとの間に、端子部４０の外周を囲む、環状の第１のシール部材３１０Ａを形成する。第１のシール部材３１０Ａは、上述した非重畳部１６０に対応する位置に配置されている。なお、この図１２、１３に示す非重畳部１６０は、後述する分断工程（Ｓ８）の前の状態のため、図１、２に示した非重畳部１６０よりも面積が大きい構成となっている。この第１のシール部材３１０Ａは、図１を用いて説明した液晶表示装置１においては、そのほとんどが存在しなくなるシール部材であり、後述するエッチング工程（Ｓ７）において、端子部４０を保護するためのシール部材である。

【0041】

第２のシール部材形成工程では、平面視で、重畳部１４０の外縁に沿って配置された、環状の第２のシール部材３１０Ｂを形成する。この第２のシール部材３１０Ｂは、図１を用いて説明した液晶表示装置１において存在するシール部材３１０の大部分を構成し、液晶層の周囲を囲うシール部材である。

【0042】

第１のシール部材３１０Ａおよび第２シール部材３１０Ｂのそれぞれの一部は、重畳部１４０と非重畳部１６０の境界である第１の辺１５１に沿って形成されている。

【0043】

なお、図１３に示すように、第１のシール部材３１０Ａと第２のシール部材３１０Ｂとを、第１の辺１５１に沿って統合して形成してもよい。本実施形態においては、この図１３に示すように、第１のシール部材３１０Ａと第２のシール部材３１０Ｂとを、第１の辺１５１に沿って統合して形成した例を用いて、後の工程について説明していく。

【0044】

シール部材形成工程（Ｓ３）を行った後に、液晶層形成工程（Ｓ４）と、基板貼り合わせ工程（Ｓ５）とを行う。

【0045】

液晶層形成工程（Ｓ４）とは、環状の第２のシール部材３１０Ｂの内周側に液晶層３００を形成する工程であり、基板貼り合わせ工程（Ｓ５）とは、第１の基板１００Ａの第１の主面（表示面側）と第２の基板の第２の主面（背面側）とを、第１のシール部材３１０Ａ、第２のシール部材３１０Ｂを用いて貼り合わせる工程である。図１４は、本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を示す模式的な平面図である。図１５は、図１４のＥ−Ｅ線における断面を示す模式的な断面図である。以下、図１４、１５を用いて、液晶層形成工程（Ｓ４）と、基板貼り合わせ工程（Ｓ５）について説明する。

【0046】

液晶層形成工程（Ｓ４）と、基板貼り合わせ工程（Ｓ５）を行う第１の例としては、上述したシール部材形成工程（Ｓ３）において、第１の基板１００Ａの第１の主面（表示面側）に第２のシール部材３１０Ｂを形成し、次に、その第２のシール部材３１０Ｂの内周側に液晶を滴下して液晶層３００を形成し、その後、第１の基板１００Ａと第２の基板２００Ａとを貼り合わせ、その後、紫外線を照射して第２のシール部材３１０Ｂを硬化させる方法である。第２の例としては、上述したシール部材形成工程（Ｓ３）において、第２の基板２００Ａの第２の主面（背面側）に第２のシール部材３１０Ｂを形成し、次に、その第２のシール部材３１０Ｂの内周側に液晶を滴下して液晶層３００を形成し、その後、第１の基板１００Ａと第２の基板２００Ａとを貼り合わせ、その後、紫外線を照射して第２のシール部材３１０Ｂを硬化させる方法である。第３の例としては、先に第１の基板１００Ａと第２の基板２００Ａとを貼り合わせた後、液晶を第２のシール部材３１０Ｂに囲われた領域内に注入して液晶層３００を形成する方法である。従って、液晶層形成工程（Ｓ４）と、基板貼り合わせ工程（Ｓ５）の前後関係は問わない。

【0047】

液晶層形成工程（Ｓ４）と、基板貼り合わせ工程（Ｓ５）とを行った後に、レーザー光照射工程（Ｓ６）を行う。レーザー光照射工程（Ｓ６）とは、図１４に示した分断ラインＣ１において、第１の基板１００Ａ、第２の基板２００Ａにレーザー光を照射する工程である。分断ラインＣ１は、第１のシール部材３１０Ａが形成された領域と、第２のシール部材３１０Ｂが形成された領域と、を含む全体領域１７０の外縁と平面視で重畳する。ここで、全体領域１７０とは、平面視で第１のシール部材３１０Ａと第２のシール部材３１０Ｂとが形成された領域と、平面視で重畳する第１の基板１００Ａから第２の基板２００Ａまで全体を含む領域である。即ち、全体領域１７０は、分断ラインＣ１の内周側における第１の基板１００Ａから第２の基板２００Ａまでを含んでいる。

【0048】

この工程において、レーザー光が分断ラインＣ１を走査する。レーザー光は、第１の基板１００Ａ側と、第２の基板２００Ａ側の双方から照射してもよく、第１の基板１００Ａ側と、第２の基板２００Ａ側のいずれか一方側から照射してもよい。その際、レーザー光４の焦点が、第１の基板１００Ａ内、第２の基板２００Ａ内に位置するよう、レーザー光４の集光光学系を調整することにより、第１の基板１００Ａ内、第２の基板２００Ａ内に改質領域を形成することができる。

【0049】

このように、平面視で、全体領域１７０の外縁に重畳するようにレーザー光を照射するため、レーザー光は、全体領域１７０の内周側に配置された第１のシール部材３１０Ａ、第２のシール部材３１０Ｂには照射されない。そのため、第１のシール部材３１０Ａ、第２のシール部材３１０Ｂが、レーザー光照射工程（Ｓ６）においてダメージを受ける可能性は低い状態である。その結果、後述するエッチング工程（Ｓ７）において、端子部４０が腐食されてしまうリスクを低減することができる。

【0050】

ここで、レーザー光を走査する分断ラインＣ１としては、直角部を有さないことが望ましい。例えば、第４の辺２５４と第５の辺２５５とが交差する端部が、丸みを帯びた形状となるよう、分断ラインＣ１を設定することが望ましい。このような工程とすることにより、後述するエッチング工程（Ｓ７）において、第４の辺２５４と第５の辺２５５とが交差する端部において応力が集中するのを抑制することができ、その結果として、第２の基板２００Ａ、第１の基板１００Ａにおいて割れが発生するのを抑制することができる。このように、本実施形態においては、第４の辺２５４と第５の辺２５５とが交差する端部が丸みを帯びた形状としているため、第４の辺２５４と第５の辺２５５とが交差する端部の曲率が図５に示す通り、直角と比べて小さくなっている。

【0051】

また、レーザー光を走査する分断ラインＣ１としては、第５の辺が、平面視で外方に湾曲する構成とすることが望ましい。同様に、第５の辺２５５と対向する第６の辺２５６についても、平面視で外方に湾曲する構成とすることが望ましい。

【0052】

このように、第５の辺２５５、第６の辺２５６の少なくとも一方を、平面視で外方に湾曲する構成とすることにより、図６を用いて上述した通り、側面方向から見て、液晶表示装置１を湾曲させる構成とするような場合において、応力が集中しやすい中央部分における対向基板２００、薄膜トランジスタ基板１００の割れの発生を抑制することができる。

【0053】

レーザー光照射工程（Ｓ６）の後、エッチング工程（Ｓ７）を行う。エッチング工程（Ｓ７）とは、エッチング液を用いてエッチングすることにより、上述した分断ラインＣ１、即ち全体領域１７０の外縁に沿って第１の基板１００Ａと第２の基板２００Ａとを分断する工程である。例えば、互いに貼り合わされた第１の基板１００Ａと第２の基板２００Ａとを酸、又はアルカリのエッチング溶液に浸漬することにより、エッチングを行う。このエッチング工程においては、第１の基板１００Ａの第２の主面（背面側）、及び第２の基板２００Ａの第１の主面（表示面側）が薄くなる。その際、レーザー光照射工程（Ｓ７）において上述した改質領域は、他の部分よりもエッチングレートが速い。そのため、エッチング溶液によって、改質領域は他の部分より深くエッチングされ、図１４に示した分断ラインＣ１に溝が形成される。そして、更なるエッチングの進行により当該溝が深化され、溝が第１の基板１００Ａと第２の基板２００Ａとを貫通する。この工程により、図１６に示すように、第１の基板１００Ａ、第２の基板２００Ａから、全体領域１７０が分離される。

【0054】

このエッチング工程（Ｓ７）においても、第１のシール部材３１０Ａが残存しており、第１のシール部材３１０Ａが端子部４０を保護している。また、上述した通り、第１のシール部材３１０Ａは、レーザー光照射工程（Ｓ６）において、レーザー光の照射によるダメージを受けていないため、端子部４０をエッチング液から保護する役割を適切に果たすことができ、端子部４０が腐食されるリスクを低減することができる。

【0055】

なお、このエッチング工程（Ｓ７）において、分断ラインＣ１、及び第１の基板１００Ａ、第２の基板２００Ａの表面において生じていたマイクロクラックが除去される。そのため、後の端子出し工程（Ｓ８）や、搬送工程、その他、電子機器に搭載する工程等において、当該マイクロクラックに起因する表示パネル１０の割れの発生を抑制することができる。

【0056】

また、このエッチング工程（Ｓ７）により、第１の基板１００Ａ、第２の基板２００Ａの端部が丸みを帯びた形状となる。そのため、図２、４を用いて上述した通り、対向基板２００における第４の辺２５４の断面２６４と、対向基板２００の表示面とが交差する端部は丸みを帯びた形状となっている。

【0057】

エッチング工程（Ｓ７）の後、第１の基板１００Ａと第２の基板２００Ａとを非重畳部１６０の外縁に沿って分断する分断工程（Ｓ８）を行う。本実施形態においては、この分断工程（Ｓ８）において、非重畳部１６０の外縁を、第１のシール部材３１０Ａの内周側に配置することによって、第１のシール部材３１０Ａの一部を、全体領域１７０から除去する。

【0058】

より具体的には、図１６に示す分断ラインＣ３、Ｃ４、Ｃ５において、第１の基板１００Ａと第２の基板２００Ａの双方を切断する。分断ラインＣ３は、図１を用いて上述した第２の辺１５２に対応し、分断ラインＣ４は、第１の脚１５３に対応し、分断ラインＣ５は、第２の脚１５４に対応する。この第１の基板１００Ａと第２の基板２００Ａの双方の切断工程により、非重畳部１６０は台形状となる。

【0059】

また、分断ラインＣ３、Ｃ４、Ｃ５を第１のシール部材３１０Ａの内周側に設定している。具体的には、第２の辺１５２に対応する分断ラインＣ３が、平面視で、第１のシール部材３１０Ａの内周側に配置され、第１の脚１５３に対応する分断ラインＣ４、及び第２の脚１５４に対応する分断ラインＣ５が、分断ラインＣ２の端部において第１のシール部材３１０Ａと平面視で交差し、第１のシール部材３１０Ａの内周側で分断ラインＣ３と交差するように設定している。その結果、剥離剤等を用いて第１のシール部材３１０Ａの接着力を弱めたり、ピンセットで剥離する工程を経たりすることなく、第１のシール部材３１０Ａを表示パネル１０から除去することができる。したがって、分断ラインＣ４およびＣ５は、分断ラインＣ２に対して９０度より小さい角度を有することになる。その結果、非重畳部１６０は非矩形状、本実施形態では台形状となる。

【0060】

分断工程（Ｓ８）の後、端子出し工程（Ｓ９）を行う。端子出し工程（Ｓ９）とは、重畳部１４０と非重畳部１６０との境界に沿って第２の基板２００Ａを切断して、第２の基板２００Ａから、図１に示した対向基板２００を分離させる工程である。具体的には、図１６に示す分断ラインＣ２に沿って、第２の基板２００Ａのみを切断する。切断方法としては、例えばスクライビング工程とブレイク工程とを組み合わせることができる。

【0061】

そして、重畳部１４０と非重畳部１６０との境界（図１６に示す分断ラインＣ２）に沿って第２の基板２００Ａを切断して、第２の基板２００Ａから、対向基板２００を分離させる。これにより、図１７に示すように、薄膜トランジスタ基板１００の表示面側に配置された端子部４０を、対向基板２００から露出させることができる。なお、上述した分断工程（Ｓ８）において、既に非重畳部１６０の外縁よりも外側に配置された第１のシール部材３１０Ａの一部を除去しているため、非重畳部１６０と平面視で重畳する第２の基板２００Ａの一部を、容易に除去することが可能となっている。

【0062】

上述した製造方法により、端子部４０が腐食されているリスクが低減された液晶表示装置１を製造することができる。

【0063】

更に、当該液晶表示装置１を湾曲させた状態で、電子機器に搭載する例について説明する。図６は、液晶表示装置１を電子機器に内蔵させた例を示す模式的な側面図である。本実施形態においては、図６に示すように、電子機器が、図１に示した第３の辺２５３に平面視で重畳する位置において、対向基板２００の表示面側と薄膜トランジスタ基板１００の背面側とを挟持する第１の保持部材４０１と、図１に示した第４の辺２５４に平面視で重畳する位置において、対向基板２００の表示面側と薄膜トランジスタ基板１００の背面側とを挟持する第２の保持部材４０２と、を有する構成としている。

【0064】

エッチング工程（Ｓ７）において上述した通り、分断ラインＣ１、及び第１の基板１００Ａ、第２の基板２００Ａの表面において生じていたマイクロクラックが除去されている。しかし、当該エッチング工程（Ｓ７）後の端子出し工程において切断された薄膜トランジスタ基板１００の非重畳部１６０の各端辺は、マイクロクラックが残存する可能性がある。そのため、本実施形態においては、第１の保持部材４０１、第２の保持部材４０２の配置位置を、重畳部１４０と平面視で重畳する位置とすることにより、側面方向から見て、非重畳部１６０における平均曲率は、重畳部１４０における最小曲率に比べて、小さい構成としている。このような構成とすることにより、重畳部１４０と比較して、マイクロクラックが残存する可能性が高い非重畳部１６０において、当該マイクロクラックに起因する表示パネル１０の割れの発生を抑制することができる。

【0065】

上述の通り、第１の実施形態で説明した製造方法により製造された当該液晶表示装置１は、対向基板２００と、薄膜トランジスタ基板１００とを有する。対向基板２００または薄膜トランジスタ基板１００の少なくとも一方は、その外形の一部分の断面はエッチング工程Ｓ７において化学的にエッチングされて形成され、その外形の他の部分の断面は、分断工程Ｓ８または端子出し工程Ｓ８において化学的な分断ではなく、物理的な分断方法、例えば、スクラブ分断やレーザー分断などにより形成される。その結果、対向基板２００または薄膜トランジスタ基板１００の外形の断面のうち、化学的な分断により形成された部分は、マイクロクラックが少なく、外部からの圧力に対して相対的に強い構造になる。一方、対向基板２００または薄膜トランジスタ基板１００の外形の断面のうち、物理的な分断により形成された部分は、化学的な分断により形成された部分と比べて、マイクロクラックが多くなり、外部からの圧力に対して相対的に弱い構造になる。したがって、対向基板２００または薄膜トランジスタ基板１００の外形のうち、化学的な分断により形成された部分をなるべく多くし、物理的な分断により形成された部分をなるべく少なくすることが好ましい。

【0066】

以上、第１の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で上記実施形態から当業者が適宜変更した形態も本発明の技術的範囲に含まれることは言うまでもない。また、上述した製造工程は、特に条件を設定した場合は除いて、適宜その順序を変えてもよく、本実施形態において説明した順序に限定される必要はない。

【符号の説明】

【0067】

１ 液晶表示装置、１Ａ 液晶表示装置、４ レーザー光、１０ 表示パネル、１１ データ線、１２ ゲート線、１３ ＴＦＴ、１４ 画素、１５ 画素電極、１６ 共通電極、２０ ソースドライバＩＣ、２１ 半導体層、２２ ドレイン電極、２３ ソース電極、２４ スルーホール、３０ ゲートドライバＩＣ、４０ 端子部、１００ 薄膜トランジスタ基板、１００ｂ ドライバ搭載領域、１００Ａ 第１の基板、１０１ ガラス基板、１０２ 絶縁膜、１０３ 絶縁膜、１０４ 絶縁膜、１０５ 配向膜、１０６ 偏光板、１４０ 重畳部、１５１ 第１の辺、１５２ 第２の辺、１５３ 第１の脚、１５４ 第２の脚、１６０ 非重畳部、１７０ 全体領域、２００ 対向基板、２００Ａ 第２の基板、２０１ ガラス基板、２０２ 着色部、２０３ ブラックマトリクス、２０４ オーバコート層、２０５ 配向膜、２０６ 導電層、２０７ 偏光板、２５３ 第３の辺、２５４ 第４の辺、２５５ 第５の辺、２６３ 断面、２６４ 断面、３００ 液晶層、３１０ シール部材、３１０Ａ 第１のシール部材、３１０Ｂ 第２のシール部材、４０１ 第１の保持部材、４０２ 第２の保持部材。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】