特開 2019-160960 半導体発光装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】特開2019-160960(P2019-160960A)

(43)【公開日】2019年9月19日

(54)【発明の名称】半導体発光装置

(51)【国際特許分類】

   H01S 5/022 20060101AFI20190823BHJP

   H01S 5/183 20060101ALI20190823BHJP

   H01L 23/02 20060101ALI20190823BHJP

【ＦＩ】

   H01S5/022

   H01S5/183

   H01L23/02 F

   H01L23/02 G

【審査請求】未請求

【請求項の数】18

【出願形態】ＯＬ

【全頁数】29

(21)【出願番号】特願2018-44269(P2018-44269)

(22)【出願日】2018年3月12日

(71)【出願人】

【識別番号】000116024

【氏名又は名称】ローム株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100086380

【弁理士】

【氏名又は名称】吉田 稔

(74)【代理人】

【識別番号】100135389

【弁理士】

【氏名又は名称】臼井 尚

(72)【発明者】

【氏名】正木 貴章

【テーマコード（参考）】

5F173

【Ｆターム（参考）】

5F173MC21

5F173MD70

5F173ME04

5F173ME11

5F173ME22

(57)【要約】

【課題】 信頼性を向上させることが可能な半導体発光装置を提供すること。
【解決手段】 支持部材１と、透光性を有するカバー５と、支持部材１およびカバー５によって規定された収容空間７に収容され、カバーを透してｚ方向における一方側に光を発するＶＣＳＥＬ素子４と、を備える半導体発光装置Ａ１であって、収容空間７を外部に通じさせる通気部６を備える。
【選択図】 図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

支持部材と、
透光性を有するカバーと、
前記支持部材および前記カバーによって規定された収容空間に収容され、前記カバーを透して第１方向における一方側に光を発するＶＣＳＥＬ素子と、を備える半導体発光装置であって、
前記収容空間を外部に通じさせる通気部を備える、半導体発光装置。

【請求項2】

前記支持部材は、樹脂からなり前記第１方向視において前記ＶＣＳＥＬ素子を囲む内側面および前記第１方向一方側を向く第１面を有する支持部材第１部を含む、請求項１に記載の半導体発光装置。

【請求項3】

前記支持部材第１部は、前記第１面から凹み且つ前記内側面と外部とに到達する溝部を有し、
前記通気部は、前記溝部と前記カバーとによって構成されている、請求項２に記載の半導体発光装置。

【請求項4】

前記支持部材第１部は、前記第１面から凹み且つ前記溝部に隣り合う凹部を有する、請求項３に記載の半導体発光装置。

【請求項5】

前記支持部材第１部は、前記溝部を挟むように配置された一対の前記凹部を有する、請求項４に記載の半導体発光装置。

【請求項6】

前記支持部材は、前記第１方向と直角である第２方向一方側に位置する第１導通部材および前記第２方向他方側に位置する第２導通部材を含み、
前記第１導通部材には、前記ＶＣＳＥＬ素子が搭載されており、
前記第２導通部材は、前記ＶＣＳＥＬ素子に導通する、請求項３ないし５のいずれかに記載の半導体発光装置。

【請求項7】

前記溝部は、前記第２方向他方側において前記内側面に到達している、請求項６に記載の半導体発光装置。

【請求項8】

前記溝部は、前記第１方向視において前記第２方向に対して傾いている、請求項７に記載の半導体発光装置。

【請求項9】

前記溝部は、前記第１方向視において前記第２方向に沿っている、請求項７に記載の半導体発光装置。

【請求項10】

前記溝部は、前記内側面から前記第２方向に延びる第１部、前記第１部に繋がり且つ前記第２方向と交差する方向に延びる第２部および前記第２部に繋がり且つ前記第２方向に延びる第３部を有する、請求項７に記載の半導体発光装置。

【請求項11】

前記第１方向視において前記溝部が前記内側面に開口する第１開口領域は、前記溝部が外部に開口する第２開口領域よりも小さい、請求項７ないし１０のいずれかに記載の半導体発光装置。

【請求項12】

前記第１方向視において前記溝部が前記収容空間に開口する第１開口領域は、前記溝部が外部に開口する第２開口領域よりも大きい、請求項７ないし１０のいずれかに記載の半導体発光装置。

【請求項13】

前記第１方向視において前記溝部が前記収容空間に開口する第１開口領域は、前記溝部が外部に開口する第２開口領域と同じ大きさである、請求項７ないし１０のいずれかに記載の半導体発光装置。

【請求項14】

前記第１開口領域は、前記第２方向視において前記ＶＣＳＥＬ素子と重ならない、請求項１１ないし１３のいずれかに記載の半導体発光装置。

【請求項15】

前記溝部は、前記第１方向および前記第２方向に直角である第３方向から前記収容空間に通じている、請求項６に記載の半導体発光装置。

【請求項16】

前記溝部が前記内側面に開口する第１開口領域は、前記第２方向における位置が前記ＶＣＳＥＬ素子と重なり、
前記溝部が外部に開口する第２開口領域は、前記第２方向における位置が前記第２導通部材に重なる、請求項１５に記載の半導体発光装置。

【請求項17】

前記カバーは、前記支持部材第１部の前記第１面に対面する第２面および当該第２面から凹む溝部を有し、
前記通気部は、前記カバーの前記溝部と前記支持部材第１部とによって構成されている、請求項３に記載の半導体発光装置。

【請求項18】

前記カバーは、前記支持部材第１部の前記第１面に対面する第２面を有し、
前記支持部材の前記第１面と前記カバーの前記第２面とを接合する接合層を備え、
前記第２面は、前記第１方向視において互いに区画された第１領域および第２領域を有し、
前記第１領域は、前記第２領域よりも前記接合層との接合力が弱く且つ前記第１方向視において前記支持部材第１部の前記第１面と重なり、
前記カバーの前記第１領域と前記接合層との間に生じた隙間が、前記通気部を構成する、請求項３に記載の半導体発光装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、半導体発光装置に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、ＶＣＳＥＬ素子を用いた半導体発光装置が開示されている。この半導体発光装置においては、ＶＣＳＥＬ素子は、支持部材によって構成された収容空間に収容されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１３−０４５８４５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

半導体発光装置は、製造過程における破損等を抑制し、適切に動作することが求められる。

【0005】

本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、信頼性を向上させることが可能な半導体発光装置を提供することをその課題とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示によって提供される半導体発光装置は、支持部材と、透光性を有するカバーと、前記支持部材および前記カバーによって規定された収容空間に収容され、前記カバーを透して第１方向における一方側に光を発するＶＣＳＥＬ素子と、を備える半導体発光装置であって、前記収容空間を外部に通じさせる通気部を備える。

【発明の効果】

【0007】

本開示によれば、半導体発光装置の信頼性を向上させることができる。

【0008】

本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置を示す斜視図である。

【図2】本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置を示す要部平面図である。

【図3】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。

【図4】図２のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。

【図5】図２のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。

【図6】図２のＶＩ−ＶＩ線に沿う断面図である。

【図7】図２のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う断面図である。

【図8】本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置を示す要部拡大平面図である。

【図9】図８のＩＸ−ＩＸ線に沿う要部拡大断面図である。

【図10】本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置のＶＣＳＥＬ素子を示す拡大断面斜視図である。

【図11】本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置のＶＣＳＥＬ素子を示す要部拡大断面図である。

【図12】本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の第１変形例を示す要部拡大断面図である。

【図13】本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の第２変形例を示す要部拡大断面図である。

【図14】本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の第３変形例を示す要部拡大断面図である。

【図15】本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の第４変形例を示す要部拡大平面図である。

【図16】本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の第５変形例を示す要部拡大平面図である。

【図17】本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の第６変形例を示す要部拡大平面図である。

【図18】本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の第７変形例を示す要部拡大平面図である。

【図19】本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の第８変形例を示す要部拡大平面図である。

【図20】本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の第９変形例を示す要部拡大平面図である。

【図21】図２０のＸＸＩ−ＸＸＩ線に沿う要部拡大断面図である。

【図22】本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の第１０変形例を示す平面図である。

【図23】本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の第１１変形例を示す平面図である。

【図24】本開示の第２実施形態に係る半導体発光装置を示す要部拡大断面図である。

【図25】本開示の第２実施形態に係る半導体発光装置の第１変形例を示す要部拡大断面図である。

【図26】本開示の第３実施形態に係る半導体発光装置を示す平面図である。

【図27】図２６のＸＸＶＩＩ−ＸＸＶＩＩ線に沿う断面図である。

【図28】図２６のＸＸＶＩＩＩ−ＸＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。

【図29】本開示の第３実施形態に係る半導体発光装置を示す要部拡大断面図である。

【図30】本開示の第３実施形態に係る半導体発光装置を示す要部拡大断面図である。

【図31】本開示の第３実施形態に係る半導体発光装置が通気した状態を示す要部拡大断面図である。

【図32】本開示の第３実施形態に係る半導体発光装置が通気した状態を示す要部拡大断面図である。

【図33】本開示の第４実施形態に係る半導体発光装置を示す断面図である。

【図34】本開示の第５実施形態に係る半導体発光装置を示す断面図である。

【図35】本開示の第６実施形態に係る半導体発光装置を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。

【0011】

本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単にラベルとして用いたものであり、それらの対象物に順列を付することを意図していない。

【0012】

〔第１実施形態〕
図１〜図１１は、本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置を示している。本開示の半導体発光装置Ａ１は、支持部材１、ＶＣＳＥＬ素子４、カバー５、通気部６および収容空間７を備えている。

【0013】

図１は、半導体発光装置Ａ１を示す斜視図である。図２は、半導体発光装置Ａ１を示す要部平面図である。図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。図４は、図２のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。図５は、図２のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。図６は、図２のＶＩ−ＶＩ線に沿う断面図である。図７は、図２のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う断面図である。図８は、半導体発光装置Ａ１を示す要部拡大平面図である。図９は、図８のＩＸ−ＩＸ線に沿う要部拡大断面図である。図１０は、半導体発光装置Ａ１のＶＣＳＥＬ素子を示す拡大断面斜視図である。図１１は、半導体発光装置Ａ１のＶＣＳＥＬ素子を示す要部拡大断面図である。これらの図において、ｚ方向は、本開示の第１方向に相当し、ｘ方向は、本開示の第２方向に相当し、ｙ方向は、本開示の第３方向に相当する。なお、図２および図８においては、理解の便宜上、カバー５を省略している。

【0014】

半導体発光装置Ａ１の形状や大きさは特に限定されない。図示された例においては、半導体発光装置Ａ１は、直方体形状である。半導体発光装置Ａ１のｘ方向寸法は、たとえば１．６ｍｍ〜４．０ｍｍ程度であり、ｙ方向寸法は、たとえば０．６ｍｍ〜２．０ｍｍ程度であり、ｚ方向寸法は、たとえば０．３ｍｍ〜０．８ｍｍ程度である。

【0015】

支持部材１は、ＶＣＳＥＬ素子４を支持するものである。支持部材１の構成は特に限定されず、本実施形態においては、支持部材１は、支持部材第１部２、第１導通部材３Ａおよび第２導通部材３Ｂを有する。

【0016】

第１導通部材３Ａおよび第２導通部材３Ｂは、ｘ方向において互いに離間して配置されている。第１導通部材３Ａは、ｘ方向一方側に位置しており、第２導通部材３Ｂは、ｘ方向他方側に位置している。第１導通部材３Ａおよび第２導通部材３Ｂは、いずれも導電性材料からなり、たとえばＣｕ等の金属からなる。また、第１導通部材３Ａおよび第２導通部材３Ｂは、たとえばリードフレームを切断加工すること等によって形成してもよい。また、第１導通部材３Ａおよび第２導通部材３Ｂの適所には、Ａｇ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕ等のめっきを施してもよい。第１導通部材３Ａおよび第２導通部材３Ｂのｚ方向寸法は、たとえば０．１ｍｍ〜０．２ｍｍである。

【0017】

第１導通部材３Ａは、第１面３１Ａ、第２面３２Ａ、第１部３０１Ａ、第２部３０２Ａ、第３部３０３Ａ、第４部３０４Ａ、第５部３０５Ａ、第６部３０６Ａ、第７部３０７Ａおよび第８部３０８Ａを有する。第１導通部材３Ａには、ＶＣＳＥＬ素子４が搭載されている。

【0018】

第１面３１Ａは、ｚ方向一方側（図３における図中上側）を向く面であり、図示された例においては、ｚ方向に対して直角である平坦な面である。第２面３２Ａは、第１面３１Ａとは反対側のｚ方向他方側（図３における図中下側）を向く面であり、図示された例においては、ｚ方向に対して直角である平坦な面である。図示された例においては、第２面３２Ａは、ｚ方向視において第１面３１Ａよりも小さく、ｚ方向視において第１面３１Ａに内包されている。第２面３２Ａは、たとえば半導体発光装置Ａ１が回路基板等に実装される際に、はんだ等によって接合される部位として用いられる。

【0019】

第１部３０１Ａは、ｚ方向視において第１面３１Ａおよび第２面３２Ａの双方が重なる部位である。すなわち、第１部３０１Ａは、第１面３１Ａの一部と第２面３２Ａのすべてを含む部位である。第１部３０１Ａのｚ方向最大寸法は、第１導通部材３Ａのｚ方向最大寸法と同じである。図示された例においては、第１部３０１Ａのｚ方向寸法は、一定である。図示された例においては、第１部３０１Ａは、ｚ方向視において矩形状である。

【0020】

第２部３０２Ａは、第１部３０１Ａからｘ方向一方側（図２〜図４における図中左側）に延出している。第２部３０２Ａは、第１面３１Ａの一部を有しており、第２面３２Ａを有していない。第２部３０２Ａのｚ方向寸法は、第１部３０１Ａのｚ方向寸法よりも小である。図示された例においては、第２部３０２Ａのｙ方向寸法は、第１部３０１Ａのｙ方向寸法と同じか若干大きい。第２部３０２Ａは、第１部３０１Ａから第２導通部材３Ｂとは反対側に向かって延出しているといえる。

【0021】

第３部３０３Ａは、第１部３０１Ａからｘ方向他方側（図２〜図４における図中右側）に延出している。第３部３０３Ａは、第１面３１Ａの一部を有しており、第２面３２Ａを有していない。第３部３０３Ａのｚ方向寸法は、第１部３０１Ａのｚ方向寸法よりも小である。図示された例においては、第３部３０３Ａのｙ方向寸法は、第１部３０１Ａのｙ方向寸法と同じか若干大きい。第３部３０３Ａは、第１部３０１Ａから第２導通部材３Ｂに向かって延出しているといえる。

【0022】

第４部３０４Ａは、第１部３０１Ａからｙ方向一方側（図５および図６における図中左側）に延出している。第４部３０４Ａは、第１面３１Ａの一部を有しており、第２面３２Ａを有していない。第４部３０４Ａのｚ方向寸法は、第１部３０１Ａのｚ方向寸法よりも小である。図示された例においては、第４部３０４Ａのｘ方向寸法は、第１部３０１Ａのｘ方向寸法と同じか若干大きい。

【0023】

第５部３０５Ａは、第１部３０１Ａからｙ方向他方側（図５および図６における図中右側）に延出している。第５部３０５Ａは、第１面３１Ａの一部を有しており、第２面３２Ａを有していない。第５部３０５Ａのｚ方向寸法は、第１部３０１Ａのｚ方向寸法よりも小である。図示された例においては、第５部３０５Ａのｘ方向寸法は、第１部３０１Ａのｘ方向寸法と同じか若干大きい。

【0024】

第６部３０６Ａは、第２部３０２Ａからｘ方向一方側（図２〜図４における図中左側）に延出している。第６部３０６Ａは、第１面３１Ａの一部を有しており、第２面３２Ａを有していない。第６部３０６Ａのｚ方向寸法は、第１部３０１Ａのｚ方向寸法よりも小である。図示された例においては、第６部３０６Ａのｙ方向寸法は、第１部３０１Ａのｘ方向寸法よりも小さく、第２部３０２Ａのｘ方向寸法よりも小さい。

【0025】

第７部３０７Ａは、第４部３０４Ａからｙ方向一方側（図５および図６における図中左側）に延出している。第７部３０７Ａは、第１面３１Ａの一部を有しており、第２面３２Ａを有していない。第７部３０７Ａのｚ方向寸法は、第１部３０１Ａのｚ方向寸法よりも小である。図示された例においては、第７部３０７Ａのｘ方向寸法は、第１部３０１Ａのｘ方向寸法よりも小さく、第４部３０４Ａのｘ方向寸法よりも小さい。

【0026】

第８部３０８Ａは、第５部３０５Ａからｙ方向他方側（図５および図６における図中右側）に延出している。第８部３０８Ａは、第１面３１Ａの一部を有しており、第２面３２Ａを有していない。第８部３０８Ａのｚ方向寸法は、第１部３０１Ａのｚ方向寸法よりも小である。図示された例においては、第８部３０８Ａのｘ方向寸法は、第１部３０１Ａのｘ方向寸法よりも小さく、第５部３０５Ａのｘ方向寸法よりも小さい。

【0027】

第２導通部材３Ｂは、第１面３１Ｂ、第２面３２Ｂ、第１部３０１Ｂ、第２部３０２Ｂ、第３部３０３Ｂ、第４部３０４Ｂ、第５部３０５Ｂ、第６部３０６Ｂ、第７部３０７Ｂおよび第８部３０８Ｂを有する。第２導通部材３Ｂは、ＶＣＳＥＬ素子４と導通している。

【0028】

第１面３１Ｂは、ｚ方向一方側（図３における図中上側）を向く面であり、図示された例においては、ｚ方向に対して直角である平坦な面である。第２面３２Ｂは、第１面３１Ｂとは反対側のｚ方向他方側（図３における図中下側）を向く面であり、図示された例においては、ｚ方向に対して直角である平坦な面である。図示された例においては、第２面３２Ｂは、ｚ方向視において第１面３１Ｂよりも小さく、ｚ方向視において第１面３１Ｂに内包されている。また、図示された例においては、第１面３１Ｂは、ｚ方向視において第１面３１Ａよりも小さい。また、第２面３２Ｂは、ｚ方向視において第２面３２Ａよりも小さい。第２面３２Ｂは、たとえば半導体発光装置Ａ１が回路基板等に実装される際に、はんだ等によって接合される部位として用いられる。

【0029】

第１部３０１Ｂは、ｚ方向視において第１面３１Ｂおよび第２面３２Ｂの双方が重なる部位である。すなわち、第１部３０１Ｂは、第１面３１Ｂの一部と第２面３２Ｂのすべてを含む部位である。第１部３０１Ｂのｚ方向最大寸法は、第２導通部材３Ｂのｚ方向最大寸法と同じである。図示された例においては、第１部３０１Ｂのｚ方向寸法は、一定である。図示された例においては、第１部３０１Ｂは、ｚ方向視において矩形状である。また、図示された例においては、第１部３０１Ｂは、ｚ方向視において第１部３０１Ａよりも小さい。

【0030】

第２部３０２Ｂは、第１部３０１Ｂからｘ方向一方側他方側（図２〜図４における図中右側）に延出している。第２部３０２Ｂは、第１面３１Ｂの一部を有しており、第２面３２Ｂを有していない。第２部３０２Ｂのｚ方向寸法は、第１部３０１Ｂのｚ方向寸法よりも小である。図示された例においては、第２部３０２Ｂのｙ方向寸法は、第１部３０１Ｂのｙ方向寸法と同じか若干大きい。第２部３０２Ｂは、第１部３０１Ｂから第１導通部材３Ａとは反対側に向かって延出しているといえる。

【0031】

第３部３０３Ｂは、第１部３０１Ｂからｘ方向一方側（図２〜図４における図中左側）に延出している。第３部３０３Ｂは、第１面３１Ｂの一部を有しており、第２面３２Ｂを有していない。第３部３０３Ｂのｚ方向寸法は、第１部３０１Ｂのｚ方向寸法よりも小である。図示された例においては、第３部３０３Ｂのｙ方向寸法は、第１部３０１Ｂのｙ方向寸法と同じか若干大きい。第３部３０３Ｂは、第１部３０１Ｂから第１導通部材３Ａに向かって延出しているといえる。

【0032】

第４部３０４Ｂは、第１部３０１Ｂからｙ方向一方側（図７における図中左側）に延出している。第４部３０４Ｂは、第１面３１Ｂの一部を有しており、第２面３２Ｂを有していない。第４部３０４Ｂのｚ方向寸法は、第１部３０１Ｂのｚ方向寸法よりも小である。図示された例においては、第４部３０４Ｂのｘ方向寸法は、第１部３０１Ｂのｘ方向寸法と同じか若干大きい。

【0033】

第５部３０５Ｂは、第１部３０１Ｂからｙ方向他方側（図７における図中右側）に延出している。第５部３０５Ｂは、第１面３１Ｂの一部を有しており、第２面３２Ｂを有していない。第５部３０５Ｂのｚ方向寸法は、第１部３０１Ｂのｚ方向寸法よりも小である。図示された例においては、第５部３０５Ｂのｘ方向寸法は、第１部３０１Ｂのｘ方向寸法と同じか若干大きい。

【0034】

第６部３０６Ｂは、第２部３０２Ｂからｘ方向他方側（図２〜図４における図中右側）に延出している。第６部３０６Ｂは、第１面３１Ｂの一部を有しており、第２面３２Ｂを有していない。第６部３０６Ｂのｚ方向寸法は、第１部３０１Ｂのｚ方向寸法よりも小である。図示された例においては、第６部３０６Ｂのｙ方向寸法は、第１部３０１Ｂのｘ方向寸法よりも小さく、第２部３０２Ｂのｘ方向寸法よりも小さい。

【0035】

第７部３０７Ｂは、第４部３０４Ｂからｙ方向一方側（図２における図中下側）に延出している。第７部３０７Ｂは、第１面３１Ｂの一部を有しており、第２面３２Ｂを有していない。第７部３０７Ｂのｚ方向寸法は、第１部３０１Ｂのｚ方向寸法よりも小である。図示された例においては、第７部３０７Ｂのｘ方向寸法は、第１部３０１Ｂのｘ方向寸法よりも小さく、第４部３０４Ｂのｘ方向寸法よりも小さい。

【0036】

第８部３０８Ｂは、第５部３０５Ｂからｙ方向他方側（図２における図中上側）に延出している。第８部３０８Ｂは、第１面３１Ｂの一部を有しており、第２面３２Ｂを有していない。第８部３０８Ｂのｚ方向寸法は、第１部３０１Ｂのｚ方向寸法よりも小である。図示された例においては、第８部３０８Ｂのｘ方向寸法は、第１部３０１Ｂのｘ方向寸法よりも小さく、第５部３０５Ｂのｘ方向寸法よりも小さい。

【0037】

支持部材第１部２は、たとえばエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の絶縁材料からなり、本実施形態においては、第１導通部材３Ａおよび第２導通部材３Ｂの一部ずつを覆っている。図示された例においては、支持部材第１部２は、第１面２１、第２面２２、第３面２３、第４面２４、第５面２５、第６面２６、内側面２７、第８面２８および溝部２１１を有する。

【0038】

第１面２１は、ｚ方向一方側を向く面である。図示された例においては、第１面２１は、ｚ方向に対して直角な平坦な面である。また、図示された例においては、第１面２１は、ｚ方向視において矩形環状である。

【0039】

第２面２２は、第１面２１とは反対側のｚ方向他方側を向く面である。図示された例においては、第２面２２は、ｚ方向に対して直角な平坦な面である。また、図示された例においては、第２面２２からは、第１導通部材３Ａの第２面３２Ａと第２導通部材３Ｂの第２面３２Ｂとが露出している。第２面２２と第２面３２Ａおよび第２面３２Ｂとは、たとえば面一である。

【0040】

第３面２３は、ｘ方向一方側（図３における図中左側）を向く面であり、第１面２１と第２面２２とに繋がっている。図示された例においては、第３面２３は、ｘ方向に対して直角な面である。第３面２３からは、第１導通部材３Ａの第６部３０６Ａが露出している。

【0041】

第４面２４は、ｘ方向他方側（図３における図中右側）を向く面であり、第１面２１と第２面２２とに繋がっている。図示された例においては、第４面２４は、ｘ方向に対して直角な面である。第４面２４からは、第２導通部材３Ｂの第６部３０６Ｂが露出している。

【0042】

第５面２５は、ｙ方向一方側（図５における図中左側）を向く面であり、第１面２１と第２面２２とに繋がっている。図示された例においては、第５面２５は、ｙ方向に対して直角な面である。第５面２５からは、第１導通部材３Ａの第７部３０７Ａおよび第２導通部材３Ｂの第７部３０７Ｂが露出している。

【0043】

第６面２６は、ｙ方向他方側（図５における図中右側）を向く面であり、第１面２１と第２面２２とに繋がっている。図示された例においては、第６面２６は、ｙ方向に対して直角な面である。第６面２６からは、第１導通部材３Ａの第８部３０８Ａおよび第２導通部材３Ｂの第８部３０８Ｂが露出している。

【0044】

内側面２７は、図２に示すように、ｚ方向視において環状をなしており、第３面２３、第４面２４、第５面２５および第６面２６とは反対側の内側を向く面である。図示された例においては、内側面２７は、内側面第１部２７１、内側面第２部２７２、内側面第３部２７３および内側面第４部２７４を有している。内側面２７は、第１面３１Ａの一部および第２面３２Ａの一部をそれぞれ露出されている。

【0045】

内側面第１部２７１は、ｘ方向一方側に位置しており、ｘ方向他方側を向いている。図示された例においては、内側面第１部２７１は、ｚ方向に対して若干傾いた平坦な面である。

【0046】

内側面第２部２７２は、ｘ方向他方側に位置しており、ｘ方向一方側を向いている。図示された例においては、内側面第２部２７２は、ｚ方向に対して若干傾いた平坦な面である。

【0047】

内側面第３部２７３は、ｙ方向一方側に位置しており、ｙ方向他方側を向いている。図示された例においては、内側面第３部２７３は、ｚ方向に対して若干傾いた平坦な面である。

【0048】

内側面第４部２７４は、ｙ方向他方側に位置しており、ｙ方向一方側を向いている。図示された例においては、内側面第４部２７４は、ｚ方向に対して若干傾いた平坦な面である。

【0049】

本例においては、支持部材第１部２は、第１導通部材３Ａの第２部３０２Ａ、第３部３０３Ａ、第４部３０４Ａ、第５部３０５Ａ、第６部３０６Ａ、第７部３０７Ａおよび第８部３０８Ａと、第２導通部材３Ｂの第２部３０２Ｂ、第３部３０３Ｂ、第４部３０４Ｂ、第５部３０５Ｂ、第６部３０６Ｂ、第７部３０７Ｂおよび第８部３０８Ｂとをｚ方向他方側から覆っている。

【0050】

第８面２８は、ｚ方向視において内側面２７に囲まれた領域に位置し、ｚ方向一方側（図３における上側）を向く面である。図２および図３に示すように、本実施形態においては、第８面２８は、内側面第３部２７３および内側面第４部２７４に繋がっており、第１導通部材３Ａの第１面３１Ａ（第３部３０３Ａ）と第２導通部材３Ｂの第１面３１Ｂ（第３部３０３Ｂ）との間に位置している。図示された例においては、第８面２８は、第１面３１Ａおよび第１面３１Ｂと面一である平坦な面である。

【0051】

溝部２１１は、第１面２１から凹んでおり、内側面２７と支持部材第１部２の外部とに到達している。支持部材第１部２の外部としては、本実施形態においては、第３面２３、第４面２４、第５面２５および第６面２６が該当する。溝部２１１の具体的な形状や大きさおよび位置は特に限定されない。図示された例においては、溝部２１１は、ｙ方向他方側において内側面２７に到達している。より具体的には、溝部２１１は、内側面第２部２７２と第４面２４とに到達している。

【0052】

図示された例においては、溝部２１１は、ｘ方向に対して傾いた方向に延びている。すなわち、溝部２１１が内側面２７（内側面第２部２７２）に開口する領域である第１開口領域Ｓ１と、溝部２１１が外部（第４面２４）に開口する領域である第２開口領域Ｓ２とは、ｙ方向に互いにずれた位置関係である。

【0053】

図示された例においては、第１開口領域Ｓ１は、ｙ方向において内側面第４部２７４寄りに位置しており、より具体的には、内側面第４部２７４に隣接している。第２開口領域Ｓ２は、第１開口領域Ｓ１よりもｙ方向において内側面第４部２７４から離間した位置に設けられている。図示された例においては、第１開口領域Ｓ１と第２開口領域Ｓ２とのｙ方向寸法は同じである。

【0054】

図８および図９に示すように、図示された例においては、溝部２１１は、第１面２１１１、一対の第２面２１１２、第３面２１１３および第４面２１１４を有する。

【0055】

第１面２１１１は、溝部２１１のうちｚ方向最深部に位置する面である。図示された例においては、第１面２１１１は、ｚ方向に対して直角である平坦な面である。一対の第２面２１１２は、第１面２１１１と第１面２１とをそれぞれ繋いでいる。図示された例においては、一対の第２面２１１２は、ｚ方向に対して若干傾いているが、これに限定されるものではない。

【0056】

第３面２１１３は、第４面２４と一方の第２面２１１２との間に介在している。第３面２１１３は、ｚ方向視において凸形状の曲面である。なお、第４面２４と他方の第２面２１１２との間に、第３面２１１３と類似の曲面が介在してもよい。

【0057】

第４面２１１４は、内側面第２部２７２と他方の第２面２１１２との間に介在している。第４面２１１４は、ｚ方向視において凸形状の曲面である。なお、内側面第２部２７２と一方の第２面２１１２との間に、第４面２１１４と類似の曲面が介在してもよい。

【0058】

ＶＣＳＥＬ素子４は、半導体発光装置Ａ１における光源であり、所定の波長帯の光を発する。ＶＣＳＥＬ素子４は、第１導通部材３Ａの第１部３０１Ａにダイボンディングされており、第１導通部材３Ａの第１面３１Ａに搭載されている。

【0059】

図３に示すように、ＶＣＳＥＬ素子４は、平面視において第１電極４１と複数の発光領域４６０が設けられている。第１電極４１は、ｘ方向他方側寄り（第２導通部材３Ｂ寄り）に配置されている。複数の発光領域４６０は、ＶＣＳＥＬ素子４の平面視において第１電極４１を除く領域に離散配置されている。

【0060】

図１０および図１１に示すように、本例のＶＣＳＥＬ素子４は、第１電極４１、第２電極４２、第２基板４５１、第４半導体層４５２、活性層４５３、第５半導体層４５４、電流狭窄層４５５、絶縁層４５６および導電層４５７を備え、複数の発光領域４６０が形成されている。なお、同図に示す構成例は、ＶＣＳＥＬ素子４としてのＶＣＳＥＬ素子の一例であり、本構成に限定されるものではない。図１１は、１つの発光領域４６０を含む部分を拡大して示している。

【0061】

第２基板４５１は、は半導体よりなる。第２基板４５１を構成する半導体は、たとえば、ＧａＡｓである。第２基板４５１を構成する半導体は、ＧａＡｓ以外であってもよい。

【0062】

活性層４５３は、自然放出および誘導放出によって、たとえば、９８０ｎｍ帯（以下、「λａ」とする）の波長の光を放出する化合物半導体により構成されている。活性層４５３は、第４半導体層４５２と第５半導体層４５４との間に位置している。

【0063】

第４半導体層４５２は、典型的にはＤＢＲ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）層であり、第２基板４５１に形成されている。第４半導体層４５２は第１導電型を有する半導体よりなる。本例では第１導電型はｎ型である。第４半導体層４５２は、活性層４５３から発せられる光を効率よく反射させるためのＤＢＲとして構成されている。より具体的には、活性層４５３は、厚さλａ／４のＡｌＧａＡｓ層であってそれぞれ反射率が異なる２層からなるペアを、複数段重ね合わせることにより構成されている。

【0064】

第５半導体層４５４は、典型的にはＤＢＲ層であり、第２導電型を有する半導体よりなる。本例では第２導電型はｐ型である。本実施形態とは異なり、第１導電型がｐ型であり、第２導電型がｎ型であってもよい。第５半導体層４５４および第２基板４５１の間に、第４半導体層４５２が位置している。第５半導体層４５４は、活性層４５３から発せられる光を効率よく反射させるためのＤＢＲとして構成されている。より具体的には、第５半導体層４５４は、厚さλａ／４のＡｌＧａＡｓ層であってそれぞれ反射率が異なる２層からなるペアを、複数段重ね合わせることにより構成されている。

【0065】

電流狭窄層４５５は、第５半導体層４５４内に位置している。電流狭窄層４５５はたとえばＡｌを多く含み、酸化しやすい層からなる。電流狭窄層４５５は、この酸化しやすい層を酸化することにより形成される。電流狭窄層４５５は、酸化によって形成される必要は必ずしもなく、その他の方法（たとえばイオン注入）によって形成されてもよい。電流狭窄層４５５には開口４５５１が形成されている。開口４５５１を電流が流れる。

【0066】

絶縁層４５６は第５半導体層４５４に形成されている。絶縁層４５６は、たとえば、ＳｉＯ₂よりなる。絶縁層４５６には、開口４５６１が形成されている。

【0067】

導電層４５７は、絶縁層４５６に形成されている。導電層４５７は導電材料（たとえば金属）よりなる。導電層４５７は、絶縁層４５６の開口４５６１を通じて第５導電３５４に導通している。導電層４５７は、開口４５７１を有する。

【0068】

発光領域４６０は、活性層４５３からの光が直接または反射の後に出射される領域である。本例においては、発光領域４６０は、平面視円環形状であるが、その形状は特に限定されない。発光領域４６０は、上述した第５半導体層４５４、電流狭窄層４５５、絶縁層４５６および導電層４５７が積層され、電流狭窄層４５５の開口４５５１、絶縁層４５６の開口４５６１および導電層４５７の開口４５７１等が形成されることにより設けられている。発光領域４６０においては、活性層４５３からの光が、導電層４５７の開口４５７１を通じて出射される。

【0069】

第１電極４１は、たとえば金属からなり、第５半導体層４５４に導通している。第２電極４２は、第２基板４５１の裏面に形成されており、たとえば金属からなる。第２電極４２は、たとえばＡｇ等の金属を含むペーストまたははんだ等によって第１部３０１Ａ（第１面３１Ａ）にダイボンディングされている。これにより、第２電極４２は、第１導通部材３Ａと導通している。

【0070】

本実施形態においては、第１電極４１は、第１導電接合材４９を介して第２導通部材３Ｂと導通している。第１電極４１は、たとえばＡｕ等の金属からなり、第１電極４１と第２導通部材３Ｂの第１部３０１Ｂ（第１面３１Ｂ）にそれぞれボンディングされている。

【0071】

図示された例においては、図２に示すように、支持部材１のｘ方向における中心線ＣＬ１と、ＶＣＳＥＬ素子４のｘ方向における中心線ＣＬ２とは、互いにずれている。また、第１開口領域Ｓ１は、ｘ方向視においてＶＣＳＥＬ素子４と重ならない位置に設けられている。第２開口領域Ｓ２は、ｘ方向視においてＶＣＳＥＬ素子４と重なる位置に設けられており、図示された例においては、第２開口領域Ｓ２のすべてがＶＣＳＥＬ素子４が重なっている。

【0072】

カバー５は、ＶＣＳＥＬ素子４からの光を透過させる材質からなり、たとえば透明なガラスや樹脂等からなる。カバー５は、支持部材１に固定されており、本実施形態においては、支持部材第１部２の第１面２１に接合層５９を介して接合されている。接合層５９は、たとえば樹脂等を主成分とする接着剤である。

【0073】

カバー５の形状や大きさは特に限定されず、図示された例においては、カバー５は、ｚ方向視矩形状の板状である。カバー５は、第１面５１、第２面５２、第３面５３、第４面５４、第５面５５および第６面５６を有する。

【0074】

第１面５１は、ｚ方向一方側を向く面である。第２面５２は、ｚ方向において第１面５１とは反対側の他方側を向く面である。第３面５３は、ｘ方向一方側を向く面であり、図示された例においては、第３面２３と面一である。第４面５４は、ｘ方向他方側を向く面であり、第４面２４と面一である。第５面５５は、ｙ方向一方側を向く面であり、図示された例においては、第５面２５と面一である。第６面５６は、ｙ方向他方側を向く面であり、図示された例においては、第６面２６と面一である。

【0075】

図示された例においては、カバー５の第２面５２と支持部材第１部２の第１面２１とが、接合層５９によって接合されている。なお、図７に示すように、本例においては、接合層５９は、支持部材第１部２の溝部２１１を避けた位置に設けられている。

【0076】

収容空間７は、ＶＣＳＥＬ素子４を収容する空間である。本実施形態においては、収容空間７は、支持部材１およびカバー５によって囲まれた空間である。より具体的には、収容空間７は、支持部材第１部２の内側面２７および第８面２８、第１導通部材３Ａの第１面３１Ａ、第２導通部材３Ｂの第１面３１Ｂおよびカバー５の第２面５２によって囲まれた空間である。

【0077】

通気部６は、収容空間７を半導体発光装置Ａ１の外部に通じさせている。本実施形態においては、収容空間７は、支持部材第１部２の溝部２１１とカバー５の第２面５２とによって構成されている。図９によく表れているように、収容空間７は、第１面２１１１、一対の第２面２１１２および第２面５２によって囲まれている。また、図示された例においては、第２面５２と溝部２１１との間には接合層５９は、設けられていない。第１開口領域Ｓ１および第２開口領域Ｓ２は、それぞれ通気部６の開口領域となっている。すなわち、本例の通気部６は、内側面２７の内側面第２部２７２と第４面２４とに到達している。

【0078】

次に、半導体発光装置Ａ１の作用について説明する。

【0079】

本実施形態によれば、収容空間７は、通気部６を介して外部に通じている。半導体発光装置Ａ１がたとえば回路基板に実装される際に、リフロー炉等において加熱されると、収容空間７内の気体が膨張する。この膨張した気体を、通気部６を通じて外部へと導くことが可能である。これにより、収容空間７の内圧が不当に高くなることを回避し、たとえばカバー５が支持部材１から外れてしまうことを抑制することが可能である。したがって、半導体発光装置Ａ１の信頼性を高めることができる。

【0080】

本実施形態においては、支持部材第１部２に溝部２１１を設けることにより、通気部６が構成されている。支持部材第１部２は、たとえば樹脂からなり、たとえば金型成形される。このような支持部材第１部２には、より精度良く溝部２１１を形成することが可能である。したがって、所望の位置に、所望の形状および大きさの溝部２１１（通気部６）を設けることが可能である。

【0081】

図２に示すように、通気部６（溝部２１１）は、ｘ方向他方側から収容空間７に通じている。半導体発光装置Ａ１においては、ＶＣＳＥＬ素子４は、第１導通部材３Ａが位置するｘ方向一方側に配置されている。このため、ＶＣＳＥＬ素子４と通気部６との距離を拡大することが可能であり、通気部６から意図しない物体（たとえば洗浄液等）が仮に浸入したとしても、この物体がＶＣＳＥＬ素子４に到達することを抑制することができる。ＶＣＳＥＬ素子４の中心線ＣＬ２が支持部材１の中心線ＣＬ１よりもｘ方向一方側に位置することは、ＶＣＳＥＬ素子４の保護に好ましい。

【0082】

通気部６（溝部２１１）がｘ方向に対して傾いて設けられていることにより、意図しない物体が通気部６に浸入する経路を延長することが可能である。これは、ＶＣＳＥＬ素子４の保護に好ましい。

【0083】

第１開口領域Ｓ１がｘ方向視においてＶＣＳＥＬ素子４とずれていることにより、通気部６から浸入した意図しない物体がＶＣＳＥＬ素子４に到達することをより確実に抑制することができる。

【0084】

金属からなる第１導通部材３ＡにＶＣＳＥＬ素子４を搭載することにより、ＶＣＳＥＬ素子４からの熱を外部へとより効率よく放熱することができる。第１導通部材３Ａが、第２部３０２Ａ、第３部３０３Ａ、第４部３０４Ａ、第５部３０５Ａ、第６部３０６Ａ、第７部３０７Ａおよびを第８部３０８Ａを有することは、第１導通部材３Ａが支持部材第１部２からｚ方向他方側に外れることを防止するのに好ましい。また、第２導通部材３Ｂが、第２部３０２Ｂ、第３部３０３Ｂ、第４部３０４Ｂ、第５部３０５Ｂ、第６部３０６Ｂ、第７部３０７Ｂおよびを第８部３０８Ｂを有することは、第２導通部材３Ｂが支持部材第１部２からｚ方向他方側に外れることを防止するのに好ましい。

【0085】

図１２〜図３５は、本開示の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。

【0086】

〔第１実施形態 第１変形例〕
図１２は、本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の第１変形例を示す要部拡大断面図である。本例の半導体発光装置Ａ１１は、溝部２１１の断面形状が上述した実施形態と異なる。本例の溝部２１１は、第１面２１１１、一対の第２面２１１２および一対の第５面２１１５を有する。

【0087】

第１面２１１１は、溝部２１１のうちｚ方向最深部に位置する面である。図示された例においては、第１面２１１１は、ｚ方向に対して直角である平坦な面である。一対の第２面２１１２は、第１面２１１１に繋がっている。第２面２１１２は、たとえばｚ方向に対して傾いている。一対の第５面２１１５は、第１面２１１１と一対の第２面２１１２との間に介在している。第５面２１１５は、凹形状の曲面である。本例によっても、半導体発光装置Ａ１１の信頼性を向上させることができる。

【0088】

〔第１実施形態 第２変形例〕
図１３は、本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の第２変形例を示す要部拡大断面図である。本例の半導体発光装置Ａ１２は、溝部２１１の形状が上述した例と異なる。本例の溝部２１１は、第６面２１１６を有する。第６面２１１６は、ｙ方向両端が第１面２１に繋がっており、第１面２１からｚ方向他方側（図中下側）に凹む曲面である。本例によっても、半導体発光装置Ａ１２の信頼性を向上させることができる。

【0089】

〔第１実施形態 第３変形例〕
図１４は、本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の第３変形例を示す要部拡大断面図である。本例の半導体発光装置Ａ１３は、溝部２１１の形状が上述した例と異なる。本例の溝部２１１は、一対の第２面２１１２を有する。一対の第２面２１１２は、各々が第１面２１に繋がり、且つ互いに繋がっている。一対の第２面２１１２は、ｚ方向に対して傾いている。本例によっても、半導体発光装置Ａ１３の信頼性を向上させることができる。

【0090】

半導体発光装置Ａ１とその変形例である半導体発光装置Ａ１１〜半導体発光装置Ａ１３とに示すように、溝部２１１（通気部６）の断面形状は、特に限定されない。これらの断面形状は、以下の変形例および実施形態において適宜採用可能である。

【0091】

〔第１実施形態 第４変形例〕
図１５は、本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の第４変形例を示す要部拡大平面図である。本例の半導体発光装置Ａ１４は、溝部２１１のｚ方向視における形状が上述した例と異なる。本例の溝部２１１は、第１開口領域Ｓ１のｙ方向寸法が、第２開口領域Ｓ２のｙ方向寸法よりも大きい。また、溝部２１１のｙ方向寸法は、内側面第２部２７２から第４面２４に向かうほど小さくなっている。すなわち、溝部２１１は、ｚ方向視において第４面２４側（外部側）に小であるテーパ形状である。

【0092】

本例によっても、半導体発光装置Ａ１４の信頼性を高めることができる。また、第２開口領域Ｓ２のｙ方向寸法を縮小することにより、意図しない物体の浸入をより抑制することができる。

【0093】

〔第１実施形態 第５変形例〕
図１６は、本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の第５変形例を示す要部拡大平面図である。本例の半導体発光装置Ａ１５は、溝部２１１のｚ方向視における形状が上述した例と異なる。本例の溝部２１１は、第１開口領域Ｓ１のｙ方向寸法が、第２開口領域Ｓ２のｙ方向寸法よりも小さい。また、溝部２１１のｙ方向寸法は、内側面第２部２７２から第４面２４に向かうほど大きくなっている。すなわち、溝部２１１は、ｚ方向視において第４面２４（外部側）に大であるテーパ形状である。

【0094】

本例によっても、半導体発光装置Ａ１５の信頼性を高めることができる。また、第１開口領域Ｓ１のｙ方向寸法を縮小することにより、仮に意図しない物体が第４面２４側（外部側）から溝部２１１（通気部６）に浸入しても、第１開口領域Ｓ１において通気部６に浸入することを抑制することができる。

【0095】

〔第１実施形態 第６変形例〕
図１７は、本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の第６変形例を示す要部拡大平面図である。本例の半導体発光装置Ａ１６は、溝部２１１のｚ方向視形状が上述した例と異なる。本例の溝部２１１は、ｘ方向に沿った形状であり、ｘ方向に平行である。また、溝部２１１は、内側面第４部２７４に隣接して設けられている。本例によっても、半導体発光装置Ａ１６の信頼性を高めることができる。

【0096】

〔第１実施形態 第７変形例〕
図１８は、本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の第７変形例を示す要部拡大平面図である。本例の半導体発光装置Ａ１７は、溝部２１１のｚ方向視形状が上述した例と異なる。本例の溝部２１１は、第１部２１１ａ、第２部２１１ｂおよび第３部２１１ｃを有する。第１部２１１ａは、内側面第２部２７２に繋がっており、ｘ方向に延びる形状である。第３部２１１ｃは、第４面２４に繋がっており、ｘ方向に延びる形状である。第２部２１１ｂは、第１部２１１ａおよび第３部２１１ｃに繋がっており、ｘ方向に対して交差する方向に延びており、たとえばｙ方向に沿って延びている。このような溝部２１１は、ｚ方向においていわゆるクランク形状とされている。

【0097】

本例によっても半導体発光装置Ａ１７の信頼性を高めることができる。また、溝部２１１をクランク形状とすることにより、意図しないと物体の浸入を、たとえば第２部２１１ｂにおいてより確実に抑制することができる。

【0098】

〔第１実施形態 第８変形例〕
図１９は、本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の第８変形例を示す要部拡大平面図である。本例の半導体発光装置Ａ１８は、溝部２１１のｙ方向における位置が上述した実施形態と異なっている。本例の溝部２１１は、ｙ方向において内側面第４部２７４および内側面第３部２７３のいずれからも離れた位置に設けられている。本例によっても半導体発光装置Ａ１８の信頼性を高めることができる。

【0099】

半導体発光装置Ａ１とその変形例である半導体発光装置Ａ１４〜半導体発光装置Ａ１８とに示すように、溝部２１１（通気部６）のｚ方向視形状および位置等は、特に限定されない。これらの形状および位置等は、上述および以下の変形例および実施形態において適宜採用可能である。

【0100】

〔第１実施形態 第９変形例〕
図２０は、本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の第９変形例を示す要部拡大平面図であり、図２１は、図２０のＸＸＩ−ＸＸＩ線に沿う要部拡大断面図である。本例の半導体発光装置Ａ１９は、支持部材第１部２が、凹部２１２を有する。本例の溝部２１１は、上述した半導体発光装置Ａ１の溝部２１１と類似の構成であるが、上述した例のいずれの溝部２１１を採用してもよい。

【0101】

凹部２１２は、第１面２１から凹んでおり、溝部２１１に隣接している。また、図示された凹部２１２は、内側面第２部２７２および第４面２４に到達しているが、いずれか一方のみに到達していてもよいし、いずれにも到達していなくてもよい。図２１に示すように、本例の凹部２１２は、断面形状が円弧形状であるが、その形状や大きさは特に限定されない。図示された例においては、支持部材第１部２は、一対の凹部２１２を有する。一対の凹部２１２は、溝部２１１を挟んでｙ方向両側に配置されている。

【0102】

本例によっても、半導体発光装置Ａ１９の信頼性を高めることができる。また、図２１に示すように、支持部材第１部２にカバー５を固定する際に、第１面２１と第２面５２との間に接合層５９を形成するための接着剤を塗布した場合、この接着剤が押圧によって広がりうる。本例においては、溝部２１１に向けて広がってくる接着剤を凹部２１２に滞留させることが可能である。したがって、溝部２１１に接合層５９が意図せず重なってしまうことを抑制可能であり、通気部６をより確実に形成することができる。

【0103】

〔第１実施形態 第１０変形例〕
図２２は、本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の第１０変形例を示す平面図である。本例の半導体発光装置Ａ１ａは、溝部２１１の位置が上述した例と異なっている。本例においては、溝部２１１は、内側面第４部２７４と第６面２６とに繋がっている。即ち、溝部２１１は、ｙ方向に通気させる構成である。溝部２１１は、ｘ方向において他方側に位置している。溝部２１１のｘ方向における位置は、第２導通部材３Ｂと重なっている。

【0104】

本例によっても半導体発光装置Ａ１ａの信頼性を高めることができる。また、通気部６から意図せず浸入した物体が、ＶＣＳＥＬ素子４に向かうことを抑制することができる。

【0105】

〔第１実施形態 第１１変形例〕
図２３は、本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の第１１変形例を示す平面図である。本例の半導体発光装置Ａ１ｂは、半導体発光装置Ａ１ａと同様に、溝部２１１が内側面第４部２７４と第６面２６とに繋がっている。本例においては、第１開口領域Ｓ１と第２開口領域Ｓ２とのｘ方向位置が異なっている。第１開口領域Ｓ１は、第２開口領域Ｓ２よりもｘ方向他方側（第４面２４側）に位置している。溝部２１１は、ｚ方向視においてｘ方向に対して傾いた方向に延びている。第１開口領域Ｓ１のｘ方向における位置（ｘ方向において占める範囲）は、第２導通部材３Ｂのｘ方向位置と重なっている。第２開口領域Ｓ２のｘ方向位置は、ＶＣＳＥＬ素子４のｘ方向位置と重なっている。

【0106】

本例によっても半導体発光装置Ａ１ｂの信頼性を高めることができる。また、通気部６に意図せず進入した物体がＶＣＳＥＬ素子４に向かうことをより確実に抑制することができる。

【0107】

なお、図示された例に限定されず、溝部２１１は、内側面第３部２７３と第５面２５とに繋がっていてもよい。

【0108】

〔第２実施形態〕
図２４は、本開示の第２実施形態に係る半導体発光装置を示す要部拡大断面図である。本実施形態の半導体発光装置Ａ２は、カバー５に溝部５１１が形成されている。溝部５１１は、第２面５２からｚ方向一方側に凹んでおり第１面２１とともに、通気部６を構成する部位である。すなわち、溝部５１１は、収容空間７と半導体発光装置Ａ１の外部とに繋がっている。

【0109】

溝部５１１の平面視における形状や大きさおよび位置は、上述した溝部２１１と同様であってもよい。図示された例においては、溝部５１１は、第１面５１１１および一対の第２面５１１２を有しているが、溝部５１１の断面形状は、上述した例の溝部２１１を同様であってもよい。第１面５１１１は、溝部５１１の最深部に位置する面である。一対の第２面５１１２は、第２面５２と第１面５１１１とに繋がっており、たとえばｚ方向に対して傾いている。

【0110】

本実施形態によっても、半導体発光装置Ａ２の信頼性を高めることができる。また、本実施形態から理解されるように、収容空間７を外部に通じさせる通気部６の具体的構成は何ら限定されない。

【0111】

〔第２実施形態 第１変形例〕
図２５は、本開示の第２実施形態に係る半導体発光装置の第１変形例を示す要部拡大断面図である。本例の半導体発光装置Ａ２１においては、通気部６が、支持部材第１部２の溝部２１１とカバー５の溝部５１１とによって構成されている。このように、通気部６を構成する具体的構造としては、溝部２１１や溝部５１１のような凹んだ溝状の部位を適宜組み合わせた構造を採用してもよい。

【0112】

〔第３実施形態〕
図２６〜図３２は、本開示の第３実施形態に係る半導体発光装置を示している。本実施形態の半導体発光装置Ａ３は、通気部６の構成が上述した実施形態と異なっている。

【0113】

本実施形態においては、支持部材第１部２およびカバー５には、上述した実施形態の溝部２１１や溝部５１１は、形成されていない。本実施形態のカバー５は、第２面５２が第１領域５２１および第２領域５２２を有する。

【0114】

第１領域５２１および第２領域５２２は、ｚ方向視において互いに区画されている。図２６においては、理解の便宜上、第２領域５２２にハッチングを付している。第１領域５２１は、第２領域５２２よりも接合層５９との接合力が弱い領域である。また第１領域５２１は、ｚ方向視において支持部材第１部２の第１面２１に重なっており、且つ内側面２７と外部とに到達している。図示された例においては、第１領域５２１は、内側面第２部２７２と第４面２４とに到達している。また第１領域５２１は、ｚ方向視において収容空間７の一部と重なる。

【0115】

本実施形態においては、図２９および図３０に模式的に示すように、第１領域５２１と第２領域５２２との表面粗さが互いに異なることにより、接合層５９との接合力が相違している。たとえば、第１領域５２１の表面粗さ（Ｒａ）が、０．０１μｍ〜０．１μｍ程度であるのに対し、第２領域５２２の表面粗さ（Ｒａ）が、１．０μｍ〜２０μｍ程度と、第１領域５２１よりも粗い。なお、カバー５の厚さは、たとえば０．２ｍｍ〜０．５ｍｍ程度であり、接合層５９の厚さは、たとえば１５μｍ〜４０μｍ程度である。このような第２領域５２２を形成する手法としては、たとえばサンドブラスト処理等の機械的処理や薬液による化学的処理等が挙げられる。相対的に表面粗さが平滑である第１領域５２１は、第２領域５２２よりも接合層５９の接合力が弱くなる。また、第２面５２の一部に、接合層５９との接合力を低下させる化学的処理や機械的処理を施すことにより、第１領域５２１を形成してもよい。このような処理の一例としては、剥離剤等の薬剤を第２面５２の一部に塗布する化学的処理が挙げられる。

【0116】

本実施形態においては、第２面５２の第１領域５２１と接合層５９とに挟まれた部位が、通気部６を構成している。ただし、半導体発光装置Ａ３が通常の搬送や保管および使用されている状態においては、第１領域５２１においても、接合層５９によってカバー５と支持部材第１部２とが接合されており、通気部６は、収容空間７を外部に通じさせる明瞭な孔等とはなっていない。

【0117】

図３１および図３２は、たとえばリフロー炉を用いた半導体発光装置Ａ３の実装工程において収容空間７の内圧が高まった状態を模式的に示している。収容空間７の内圧が上昇すると、接合層５９からカバー５を剥離させる力が作用する。この力によって、相対的に接合力が弱い箇所として設定された第１領域５２１の接合箇所に、局所的な剥離が生じる。これにより、通気部６が隙間の形態となり、収容空間７と外部とを通じさせる。なお、図３１および図３２においては、理解の便宜上、通気部６が明瞭な隙間である形態を示しているが、実際の通気部６は、収容空間７の気体を外部に逃がしうるものであればよい。第１領域５２１と接合層５９とがわずかに剥離することによって、収容空間７の気体を外部に導くことができる。この通気により、収容空間７の内圧が低下すると、第１領域５２１と接合層５９とは、再び当接した状態となる。

【0118】

このような実施形態によっても、半導体発光装置Ａ３の信頼性を向上させることができる。また、第１領域５２１を用いた通気部６は、通常の使用等の状態においては、塞がった形態である。このため、水分等の意図しない物体の浸入をより確実に抑制することができる。また、図３１および図３２を参照して説明した通気が実現された後は、通気部６は、再び塞がった状態となりうる。これにより、これ以降の使用等においても、意図しない物体の浸入を抑制することができる。

【0119】

〔第４実施形態〕
図３３は、本開示の第４実施形態に係る半導体発光装置を示す断面図である。本実施形態においては、カバー５に孔５８が形成されている。孔５８は、第１面５１と第２面５２とに繋がっており、カバー５をｚ方向に貫通している。本実施形態においては、孔５８によって通気部６が構成されている。

【0120】

このような実施形態によっても半導体発光装置Ａ４の信頼性を高めることができる。

【0121】

〔第５実施形態〕
図３４は、本開示の第５実施形態に係る半導体発光装置を示す断面図である。本実施形態の半導体発光装置Ａ５は、支持部材１の構成が上述した実施形態と異なる。

【0122】

本実施形態においては、支持部材１は、支持部材第１部２、基材３Ｃおよび導電層３Ｄを有する。基材３Ｃおよび導電層３Ｄは、一般的に配線基板と称される場合がある構成である。

【0123】

基材３Ｃは、ガラスエポキシ樹脂やセラミックス等の絶縁材料からなる板状部材である。基材３Ｃは、第１面３１Ｃおよび第２面３２Ｃを有する。第１面３１Ｃは、ｚ方向一方側を向く面である。第２面３２Ｃは、ｚ方向他方側を向く面である。

【0124】

導電層３Ｄは、たとえばＣｕ、Ｐｄ、Ａｕ等の金属めっきからなる層である。導電層３Ｄは、第１導電部３１Ｄ、第２導電部３２Ｄおよび第３導電部３３Ｄを有する。

【0125】

第１導電部３１Ｄは、基材３Ｃの第１面３１Ｃに形成された部位である。図示された例においては、第１導電部３１Ｄは、第１部３１１Ｄおよび第２部３１２Ｄを有する。第１部３１１Ｄおよび第２部３１２Ｄは、ｘ方向において互いに離間している。第１部３１１Ｄには、ＶＣＳＥＬ素子４が搭載されている。第２部３１２Ｄには、第１導電接合材４９がボンディングされており、ＶＣＳＥＬ素子４と導通している。

【0126】

第２導電部３２Ｄは、基材３Ｃの第２面３２Ｃに形成された部位である。図示された例においては、第２導電部３２Ｄは、第１部３２１Ｄおよび第２部３２２Ｄを有する。第１部３２１Ｄおよび第２部３２２Ｄは、ｘ方向において互いに離間している。第１部３２１Ｄは、ｚ方向視において第１部３１１Ｄと重なり、第２部３２２Ｄは、ｚ方向視において第２部３１２Ｄと重なる。

【0127】

第３導電部３３Ｄは、第１導電部３１Ｄと第２導電部３２Ｄとを導通させる部位である。図示された例においては、第３導電部３３Ｄは、第１部３３１Ｄおよび第２部３３２Ｄを有する。第１部３３１Ｄは、第１導電部３１Ｄの第１部３１１Ｄと第２導電部３２Ｄの第１部３２１Ｄとに繋がっている。第２部３３２Ｄは、第１導電部３１Ｄの第２部３１２Ｄと第２導電部３２Ｄの第２部３２２Ｄとに繋がっている。

【0128】

本実施形態の支持部材第１部２は、基材３Ｃの第１面３１Ｃに固定されている。支持部材第１部２の材質等は、たとえば上述した実施形態の支持部材第１部２と同様である。図示された例においては、支持部材第１部２に溝部２１１が形成されることにより通気部６が構成されているが、これは通気部６の一構成例であり、上述した実施形態の通気部６を適宜採用することができる。

【0129】

本実施形態によっても、半導体発光装置Ａ５の信頼性を向上させることができる。また、本実施形態から理解されるように、支持部材１の具体的構成は特に限定されず、種々の構成を採用することができる。

【0130】

〔第６実施形態〕
図３５は、本開示の第６実施形態に係る半導体発光装置を示す断面図である。本実施形態の半導体発光装置Ａ６は、通気部６が設けられている位置が上述した実施形態と異なる。本実施形態においては、通気部６（溝部２１１）は、ｘ方向一方側から収容空間７に通じている。図示された例においては、溝部２１１は、内側面第１部２７１および第３面２３に到達している。

【0131】

本実施形態によっても、半導体発光装置Ａ６の信頼性を向上させることができる。ただし、通気部６による内圧上昇の抑制効果を奏しつつ、意図しない物体の浸入によるＶＣＳＥＬ素子４の不具合を抑制する観点からは、上述した実施形態のように、通気部６がｘ方向他方側から収容空間７に通じる構成が好ましい。

【0132】

本開示に係る半導体発光装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係る半導体発光装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

【0133】

〔付記１〕
支持部材と、
透光性を有するカバーと、
前記支持部材および前記カバーによって規定された収容空間に収容され、前記カバーを透して第１方向における一方側に光を発するＶＣＳＥＬ素子と、を備える半導体発光装置であって、
前記収容空間を外部に通じさせる通気部を備える、半導体発光装置。
〔付記２〕
前記支持部材は、樹脂からなり前記第１方向視において前記ＶＣＳＥＬ素子を囲む内側面および前記第１方向一方側を向く第１面を有する支持部材第１部を含む、付記１に記載の半導体発光装置。
〔付記３〕
前記支持部材第１部は、前記第１面から凹み且つ前記内側面と外部とに到達する溝部を有し、
前記通気部は、前記溝部と前記カバーとによって構成されている、付記２に記載の半導体発光装置。
〔付記４〕
前記支持部材第１部は、前記第１面から凹み且つ前記溝部に隣り合う凹部を有する、付記３に記載の半導体発光装置。
〔付記５〕
前記支持部材第１部は、前記溝部を挟むように配置された一対の前記凹部を有する、付記４に記載の半導体発光装置。
〔付記６〕
前記支持部材は、前記第１方向と直角である第２方向一方側に位置する第１導通部材および前記第２方向他方側に位置する第２導通部材を含み、
前記第１導通部材には、前記ＶＣＳＥＬ素子が搭載されており、
前記第２導通部材は、前記ＶＣＳＥＬ素子に導通する、付記３ないし５のいずれかに記載の半導体発光装置。
〔付記７〕
前記溝部は、前記第２方向他方側において前記内側面に到達している、付記６に記載の半導体発光装置。
〔付記８〕
前記溝部は、前記第１方向視において前記第２方向に対して傾いている、付記７に記載の半導体発光装置。
〔付記９〕
前記溝部は、前記第１方向視において前記第２方向に沿っている、付記７に記載の半導体発光装置。
〔付記１０〕
前記溝部は、前記内側面から前記第２方向に延びる第１部、前記第１部に繋がり且つ前記第２方向と交差する方向に延びる第２部および前記第２部に繋がり且つ前記第２方向に延びる第３部を有する、付記７に記載の半導体発光装置。
〔付記１１〕
前記第１方向視において前記溝部が前記内側面に開口する第１開口領域は、前記溝部が外部に開口する第２開口領域よりも小さい、付記７ないし１０のいずれかに記載の半導体発光装置。
〔付記１２〕
前記第１方向視において前記溝部が前記収容空間に開口する第１開口領域は、前記溝部が外部に開口する第２開口領域よりも大きい、付記７ないし１０のいずれかに記載の半導体発光装置。
〔付記１３〕
前記第１方向視において前記溝部が前記収容空間に開口する第１開口領域は、前記溝部が外部に開口する第２開口領域と同じ大きさである、付記７ないし１０のいずれかに記載の半導体発光装置。
〔付記１４〕
前記第１開口領域は、前記第２方向視において前記ＶＣＳＥＬ素子と重ならない、付記１１ないし１３のいずれかに記載の半導体発光装置。
〔付記１５〕
前記溝部は、前記第１方向および前記第２方向に直角である第３方向から前記収容空間に通じている、付記６に記載の半導体発光装置。
〔付記１６〕
前記溝部が前記内側面に開口する第１開口領域は、前記第２方向における位置が前記ＶＣＳＥＬ素子と重なり、
前記溝部が外部に開口する第２開口領域は、前記第２方向における位置が前記第２導通部材に重なる、付記１５に記載の半導体発光装置。
〔付記１７〕
前記カバーは、前記支持部材第１部の前記第１面に対面する第２面および当該第２面から凹む溝部を有し、
前記通気部は、前記カバーの前記溝部と前記支持部材第１部とによって構成されている、付記３に記載の半導体発光装置。
〔付記１８〕
前記カバーは、前記支持部材第１部の前記第１面に対面する第２面を有し、
前記支持部材の前記第１面と前記カバーの前記第２面とを接合する接合層を備え、
前記第２面は、前記第１方向視において互いに区画された第１領域および第２領域を有し、
前記第１領域は、前記第２領域よりも前記接合層との接合力が弱く且つ前記第１方向視において前記支持部材第１部の前記第１面と重なり、
前記カバーの前記第１領域と前記接合層との間に生じた隙間が、前記通気部を構成する、付記３に記載の半導体発光装置。

【符号の説明】

【0134】

Ａ１，Ａ１１，Ａ１２，Ａ１３，Ａ１４，Ａ１５，Ａ１６，Ａ１７，Ａ１８，Ａ１９，Ａ１ａ，Ａ１ｂ，Ａ２，Ａ２１，Ａ３，Ａ４，Ａ５：半導体発光装置
１ ：支持部材
２ ：支持部材第１部
３Ａ ：第１導通部材
３Ｂ ：第２導通部材
３Ｃ ：基材
３Ｄ ：導電層
４ ：ＶＣＳＥＬ素子
５ ：カバー
６ ：通気部
７ ：収容空間
２１ ：第１面
２２ ：第２面
２３ ：第３面
２４ ：第４面
２５ ：第５面
２６ ：第６面
２７ ：内側面
２８ ：第８面
３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ：第１面
３１Ｄ ：第１導電部
３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ：第２面
３２Ｄ ：第２導電部
３３Ｄ ：第３導電部
４１ ：第１電極
４２ ：第２電極
４９ ：第１導電接合材
５１ ：第１面
５２ ：第２面
５３ ：第３面
５４ ：第４面
５５ ：第５面
５６ ：第６面
５８ ：孔
５９ ：接合層
２１１ ：溝部
２１１ａ ：第１部
２１１ｂ ：第２部
２１１ｃ ：第３部
２１２ ：凹部
２７１ ：内側面第１部
２７２ ：内側面第２部
２７３ ：内側面第３部
２７４ ：内側面第４部
３０１Ａ，３０１Ｂ：第１部
３０２Ａ，３０２Ｂ：第２部
３０３Ａ，３０３Ｂ：第３部
３０４Ａ，３０４Ｂ：第４部
３０５Ａ，３０５Ｂ：第５部
３０６Ａ，３０６Ｂ：第６部
３０７Ａ，３０７Ｂ：第７部
３０８Ａ，３０８Ｂ：第８部
３１１Ｄ，３２１Ｄ，３３１Ｄ：第１部
３１２Ｄ，３２２Ｄ，３３２Ｄ：第２部
４５１ ：第２基板
４５２ ：第４半導体層
４５３ ：活性層
４５４ ：第５半導体層
４５５ ：電流狭窄層
４５６ ：絶縁層
４５７ ：導電層
４６０ ：発光領域
５１１ ：溝部
５２１ ：第１領域
５２２ ：第２領域
２１１１ ：第１面
２１１２ ：第２面
２１１３ ：第３面
２１１４ ：第４面
２１１５ ：第５面
２１１６ ：第６面
４５５１，４５６１，４５７１：開口
５１１１ ：第１面
５１１２ ：第２面
ＣＬ１，ＣＬ２：中心線
Ｓ１ ：第１開口領域
Ｓ２ ：第２開口領域

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】

【図28】

【図29】

【図30】

【図31】

【図32】

【図33】

【図34】

【図35】