特開 2019-184284 ひずみゲージ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】特開2019-184284(P2019-184284A)

(43)【公開日】2019年10月24日

(54)【発明の名称】ひずみゲージ

(51)【国際特許分類】

   G01B 7/16 20060101AFI20190927BHJP

   G01L 1/22 20060101ALI20190927BHJP

【ＦＩ】

   G01B7/16 R

   G01L1/22 M

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

【全頁数】10

(21)【出願番号】特願2018-71762(P2018-71762)

(22)【出願日】2018年4月3日

(71)【出願人】

【識別番号】000114215

【氏名又は名称】ミネベアミツミ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】戸田 慎也

(72)【発明者】

【氏名】浅川 寿昭

(72)【発明者】

【氏名】▲高▼田 真太郎

【テーマコード（参考）】

2F049

2F063

【Ｆターム（参考）】

2F049CA07

2F049DA04

2F049DA06

2F063AA25

2F063EC05

2F063EC11

2F063EC18

(57)【要約】

【課題】可撓性を有する基材上に形成された抵抗体を有するひずみゲージにおいて、抵抗体を保護する性能を向上する。
【解決手段】本ひずみゲージは、可撓性を有する基材と、前記基材上に、クロムとニッケルの少なくとも一方を含む材料から形成された抵抗体と、前記抵抗体を被覆する、無機材料からなる絶縁層と、前記絶縁層を被覆する、有機材料からなる絶縁樹脂層と、を有する。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

可撓性を有する基材と、
前記基材上に、クロムとニッケルの少なくとも一方を含む材料から形成された抵抗体と、
前記抵抗体を被覆する、無機材料からなる絶縁層と、
前記絶縁層を被覆する、有機材料からなる絶縁樹脂層と、を有するひずみゲージ。

【請求項2】

前記抵抗体と電気的に接続された電極を有し、
前記電極は、
前記抵抗体の端部から延在する端子部と、
前記端子部上に形成された金属層と、を含み、
前記絶縁層は、前記金属層を構成する金属の酸化膜である請求項１に記載のひずみゲージ。

【請求項3】

前記抵抗体は、アルファクロムを主成分とする請求項１又は２に記載のひずみゲージ。

【請求項4】

前記抵抗体は、アルファクロムを８０重量％以上含む請求項３に記載のひずみゲージ。

【請求項5】

前記抵抗体は、窒化クロムを含む請求項３又は４に記載のひずみゲージ。

【請求項6】

前記基材の一方の面に、金属、合金、又は、金属の化合物から形成された機能層を有し、
前記抵抗体は、前記機能層の一方の面に形成されている請求項１乃至５の何れか一項に記載のひずみゲージ。

【請求項7】

前記機能層は、前記抵抗体の結晶成長を促進する機能を有する請求項６に記載のひずみゲージ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ひずみゲージに関する。

【背景技術】

【0002】

測定対象物に貼り付けて、測定対象物のひずみを検出するひずみゲージが知られている。ひずみゲージは、ひずみを検出する抵抗体を備えており、抵抗体の材料としては、例えば、Ｃｒ（クロム）やＮｉ（ニッケル）を含む材料が用いられている。又、抵抗体は、例えば、絶縁樹脂からなる基材上に形成されており、保護フィルム等により被覆されている（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１６−７４９３４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、抵抗体を保護する層を形成する材料を適切に選定しないと、抵抗体を十分に保護することができないという問題があった。

【0005】

本発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、可撓性を有する基材上に形成された抵抗体を有するひずみゲージにおいて、抵抗体を保護する性能を向上することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本ひずみゲージは、可撓性を有する基材と、前記基材上に、クロムとニッケルの少なくとも一方を含む材料から形成された抵抗体と、前記抵抗体を被覆する、無機材料からなる絶縁層と、前記絶縁層を被覆する、有機材料からなる絶縁樹脂層と、を有する。

【発明の効果】

【0007】

開示の技術によれば、可撓性を有する基材上に形成された抵抗体を有するひずみゲージにおいて、抵抗体を保護する性能を向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】第１の実施の形態に係るひずみゲージを例示する平面図である。

【図2】第１の実施の形態に係るひずみゲージを例示する断面図である。

【図3】第１の実施の形態に係るひずみゲージの製造工程を例示する図である。

【図4】第２の実施の形態に係るひずみゲージを例示する平面図である。

【図5】第２の実施の形態に係るひずみゲージを例示する断面図である。

【図6】第２の実施の形態に係るひずみゲージの製造工程を例示する図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

【0010】

〈第１の実施の形態〉
図１は、第１の実施の形態に係るひずみゲージを例示する平面図である。図２は、第１の実施の形態に係るひずみゲージを例示する断面図であり、図１のＡ−Ａ線に沿う断面を示している。図１及び図２を参照するに、ひずみゲージ１は、基材１０と、抵抗体３０と、端子部４１と、絶縁層５０と、カバー層６０とを有している。

【0011】

なお、本実施の形態では、便宜上、ひずみゲージ１において、基材１０の抵抗体３０が設けられている側を上側又は一方の側、抵抗体３０が設けられていない側を下側又は他方の側とする。又、各部位の抵抗体３０が設けられている側の面を一方の面又は上面、抵抗体３０が設けられていない側の面を他方の面又は下面とする。但し、ひずみゲージ１は天地逆の状態で用いることができ、又は任意の角度で配置することができる。又、平面視とは対象物を基材１０の上面１０ａの法線方向から視ることを指し、平面形状とは対象物を基材１０の上面１０ａの法線方向から視た形状を指すものとする。

【0012】

基材１０は、抵抗体３０等を形成するためのベース層となる部材であり、可撓性を有する。基材１０の厚さは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できるが、例えば、５μｍ〜５００μｍ程度とすることができる。特に、基材１０の厚さが５μｍ〜２００μｍであると、接着層等を介して基材１０の下面に接合される起歪体表面からの歪の伝達性、環境に対する寸法安定性の点で好ましく、１０μｍ以上であると絶縁性の点で更に好ましい。

【0013】

基材１０は、例えば、ＰＩ（ポリイミド）樹脂、エポキシ樹脂、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）樹脂、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）樹脂、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）樹脂、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）樹脂、ポリオレフィン樹脂等の絶縁樹脂フィルムから形成することができる。なお、フィルムとは、厚さが５００μｍ以下程度であり、可撓性を有する部材を指す。

【0014】

ここで、『絶縁樹脂フィルムから形成する』とは、基材１０が絶縁樹脂フィルム中にフィラーや不純物等を含有することを妨げるものではない。基材１０は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有する絶縁樹脂フィルムから形成しても構わない。

【0015】

抵抗体３０は、基材１０上に所定のパターンで形成された薄膜であり、ひずみを受けて抵抗変化を生じる受感部である。抵抗体３０は、基材１０の上面１０ａに直接形成されてもよいし、基材１０の上面１０ａに他の層を介して形成されてもよい。なお、図１では、便宜上、抵抗体３０を梨地模様で示している。

【0016】

抵抗体３０は、例えば、Ｃｒ（クロム）を含む材料、Ｎｉ（ニッケル）を含む材料、又はＣｒとＮｉの両方を含む材料から形成することができる。すなわち、抵抗体３０は、ＣｒとＮｉの少なくとも一方を含む材料から形成することができる。Ｃｒを含む材料としては、例えば、Ｃｒ混相膜が挙げられる。Ｎｉを含む材料としては、例えば、Ｃｕ−Ｎｉ（銅ニッケル）が挙げられる。ＣｒとＮｉの両方を含む材料としては、例えば、Ｎｉ−Ｃｒ（ニッケルクロム）が挙げられる。

【0017】

ここで、Ｃｒ混相膜とは、Ｃｒ、ＣｒＮ、Ｃｒ_２Ｎ等が混相した膜である。Ｃｒ混相膜は、酸化クロム等の不可避不純物を含んでもよい。

【0018】

抵抗体３０の厚さは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できるが、例えば、０．０５μｍ〜２μｍ程度とすることができる。特に、抵抗体３０の厚さが０．１μｍ以上であると抵抗体３０を構成する結晶の結晶性（例えば、α−Ｃｒの結晶性）が向上する点で好ましく、１μｍ以下であると抵抗体３０を構成する膜の内部応力に起因する膜のクラックや基材１０からの反りを低減できる点で更に好ましい。

【0019】

例えば、抵抗体３０がＣｒ混相膜である場合、安定な結晶相であるα−Ｃｒ（アルファクロム）を主成分とすることで、ゲージ特性の安定性を向上することができる。又、抵抗体３０がα−Ｃｒを主成分とすることで、ひずみゲージ１のゲージ率を１０以上、かつゲージ率温度係数ＴＣＳ及び抵抗温度係数ＴＣＲを−１０００ｐｐｍ／℃〜＋１０００ｐｐｍ／℃の範囲内とすることができる。ここで、主成分とは、対象物質が抵抗体を構成する全物質の５０質量％以上を占めることを意味するが、ゲージ特性を向上する観点から、抵抗体３０はα−Ｃｒを８０重量％以上含むことが好ましい。なお、α−Ｃｒは、ｂｃｃ構造（体心立方格子構造）のＣｒである。

【0020】

端子部４１は、抵抗体３０の両端部から延在しており、平面視において、抵抗体３０よりも拡幅して略矩形状に形成されている。端子部４１は、ひずみにより生じる抵抗体３０の抵抗値の変化を外部に出力するための一対の電極であり、例えば、外部接続用のリード線等が接合される。抵抗体３０は、例えば、端子部４１の一方からジグザグに折り返しながら延在して他方の端子部４１に接続されている。端子部４１の上面を、端子部４１よりもはんだ付け性が良好な金属で被覆してもよい。なお、抵抗体３０と端子部４１とは便宜上別符号としているが、両者は同一工程において同一材料により一体に形成することができる。

【0021】

絶縁層５０は、抵抗体３０を被覆し端子部４１を露出するように基材１０の上面１０ａに設けられている。絶縁層５０は、無機材料から形成されている。絶縁層５０の材料としては、例えば、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ等の金属やそれらを含む合金の酸化物や窒化物、窒酸化物が挙げられる。絶縁層５０の材料として、Ｓｉ、Ｇｅ等の半導体やそれらの酸化物や窒化物、窒酸化物を用いてもよい。絶縁層５０の厚さは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できるが、例えば、０．０１μｍ〜２μｍ程度とすることができる。

【0022】

カバー層６０は、絶縁層５０を被覆するように基材１０の上面１０ａに設けられた絶縁樹脂層である。カバー層６０は、例えば、絶縁層５０の側面の一部及び上面を被覆するように設けることができる。なお、カバー層６０は、端子部４１を除く部分の全体を覆うように設けてもよい。

【0023】

カバー層６０は、絶縁性の有機材料から形成されている。カバー層６０の材料としては、例えば、ＰＩ樹脂、エポキシ樹脂、ＰＥＥＫ樹脂、ＰＥＮ樹脂、ＰＥＴ樹脂、ＰＰＳ樹脂、ＰＥ（ポリエチレン）樹脂、ＰＶＤＣ（ポリ塩化ビニリデン）樹脂、ＰＶＤＦ（ポリフッ化ビニリデン）樹脂、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）樹脂、ＰＰ（ポリプロピレン）樹脂、ブチルゴム、シリコーンゴム、複合樹脂（例えば、シリコーン樹脂、ポリオレフィン樹脂）等が挙げられる。カバー層６０は、フィラーや顔料を含有しても構わない。カバー層６０の厚さは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できるが、例えば、２μｍ〜３０μｍ程度とすることができる。

【0024】

このように、無機材料からなる絶縁層５０で抵抗体３０を被覆することで、環境中の水分や酸素により抵抗体３０が腐食されることを防止できる。又、柔軟性を有する有機材料からなるカバー層６０で絶縁層５０を被覆することで、抵抗体３０に機械的な損傷等が生じることを防止できる。又、カバー層６０で絶縁層５０を被覆することで、環境中の水分や酸素による抵抗体３０の腐食を防止する効果を更に高めることができる。又、カバー層６０で絶縁層５０を被覆することで、耐熱性を向上することができる。

【0025】

特に、絶縁層５０の材料としてＳｉの酸化物を用い、カバー層６０の材料としてブチルゴムを用いると、防湿性について高い効果が得られる点で好ましい。

【0026】

図３は、第１の実施の形態に係るひずみゲージの製造工程を例示する図であり、図２に対応する断面を示している。

【0027】

ひずみゲージ１を製造するためには、まず、図３（ａ）に示す工程では、基材１０を準備し、基材１０の上面１０ａに図１に示す平面形状の抵抗体３０及び端子部４１を形成する。抵抗体３０及び端子部４１の材料や厚さは、前述の通りである。抵抗体３０と端子部４１とは、同一材料により一体に形成することができる。

【0028】

抵抗体３０及び端子部４１は、例えば、抵抗体３０及び端子部４１を形成可能な原料をターゲットとしたマグネトロンスパッタ法により成膜し、フォトリソグラフィによってパターニングすることで形成できる。抵抗体３０及び端子部４１は、マグネトロンスパッタ法に代えて、反応性スパッタ法や蒸着法、アークイオンプレーティング法、パルスレーザー堆積法等を用いて成膜してもよい。

【0029】

ゲージ特性を安定化する観点から、抵抗体３０及び端子部４１を成膜する前に、下地層として、基材１０の上面１０ａに、例えば、コンベンショナルスパッタ法により膜厚が１ｎｍ〜１００ｎｍ程度の機能層を真空成膜することが好ましい。なお、機能層は、機能層の上面全体に抵抗体３０及び端子部４１を形成後、フォトリソグラフィによって抵抗体３０及び端子部４１と共に図１に示す平面形状にパターニングされる。

【0030】

本願において、機能層とは、少なくとも上層である抵抗体３０の結晶成長を促進する機能を有する層を指す。機能層は、更に、基材１０に含まれる酸素や水分による抵抗体３０の酸化を防止する機能や、基材１０と抵抗体３０との密着性を向上する機能を備えていることが好ましい。機能層は、更に、他の機能を備えていてもよい。

【0031】

基材１０を構成する絶縁樹脂フィルムは酸素や水分を含むため、特に抵抗体３０がＣｒを含む場合、Ｃｒは自己酸化膜を形成するため、機能層が抵抗体３０の酸化を防止する機能を備えることは有効である。

【0032】

機能層の材料は、少なくとも上層である抵抗体３０の結晶成長を促進する機能を有する材料であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できるが、例えば、Ｃｒ（クロム）、Ｔｉ（チタン）、Ｖ（バナジウム）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｔａ（タンタル）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｙ（イットリウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｓｉ（シリコン）、Ｃ（炭素）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｃｕ（銅）、Ｂｉ（ビスマス）、Ｆｅ（鉄）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｒｈ（ロジウム）、Ｒｅ（レニウム）、Ｏｓ（オスミウム）、Ｉｒ（イリジウム）、Ｐｔ（白金）、Ｐｄ（パラジウム）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｏ（コバルト）、Ｍｎ（マンガン）、Ａｌ（アルミニウム）からなる群から選択される１種又は複数種の金属、この群の何れかの金属の合金、又は、この群の何れかの金属の化合物が挙げられる。

【0033】

上記の合金としては、例えば、ＦｅＣｒ、ＴｉＡｌ、ＦｅＮｉ、ＮｉＣｒ、ＣｒＣｕ等が挙げられる。又、上記の化合物としては、例えば、ＴｉＮ、ＴａＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＳｉＯ_２等が挙げられる。

【0034】

機能層は、例えば、機能層を形成可能な原料をターゲットとし、チャンバ内にＡｒ（アルゴン）ガスを導入したコンベンショナルスパッタ法により真空成膜することができる。コンベンショナルスパッタ法を用いることにより、基材１０の上面１０ａをＡｒでエッチングしながら機能層が成膜されるため、機能層の成膜量を最小限にして密着性改善効果を得ることができる。

【0035】

但し、これは、機能層の成膜方法の一例であり、他の方法により機能層を成膜してもよい。例えば、機能層の成膜の前にＡｒ等を用いたプラズマ処理等により基材１０の上面１０ａを活性化することで密着性改善効果を獲得し、その後マグネトロンスパッタ法により機能層を真空成膜する方法を用いてもよい。

【0036】

機能層の材料と抵抗体３０及び端子部４１の材料との組み合わせは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できるが、例えば、機能層としてＴｉを用い、抵抗体３０及び端子部４１としてα−Ｃｒ（アルファクロム）を主成分とするＣｒ混相膜を成膜することが可能である。

【0037】

この場合、例えば、Ｃｒ混相膜を形成可能な原料をターゲットとし、チャンバ内にＡｒガスを導入したマグネトロンスパッタ法により、抵抗体３０及び端子部４１を成膜することができる。或いは、純Ｃｒをターゲットとし、チャンバ内にＡｒガスと共に適量の窒素ガスを導入し、反応性スパッタ法により、抵抗体３０及び端子部４１を成膜してもよい。

【0038】

これらの方法では、Ｔｉからなる機能層がきっかけでＣｒ混相膜の成長面が規定され、安定な結晶構造であるα−Ｃｒを主成分とするＣｒ混相膜を成膜できる。又、機能層を構成するＴｉがＣｒ混相膜中に拡散することにより、ゲージ特性が向上する。例えば、ひずみゲージ１のゲージ率を１０以上、かつゲージ率温度係数ＴＣＳ及び抵抗温度係数ＴＣＲを−１０００ｐｐｍ／℃〜＋１０００ｐｐｍ／℃の範囲内とすることができる。なお、機能層がＴｉから形成されている場合、Ｃｒ混相膜にＴｉやＴｉＮ（窒化チタン）が含まれる場合がある。

【0039】

なお、抵抗体３０がＣｒ混相膜である場合、Ｔｉからなる機能層は、抵抗体３０の結晶成長を促進する機能、基材１０に含まれる酸素や水分による抵抗体３０の酸化を防止する機能、及び基材１０と抵抗体３０との密着性を向上する機能の全てを備えている。機能層として、Ｔｉに代えてＴａ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｆｅを用いた場合も同様である。

【0040】

このように、抵抗体３０の下層に機能層を設けることにより、抵抗体３０の結晶成長を促進することが可能となり、安定な結晶相からなる抵抗体３０を作製できる。その結果、ひずみゲージ１において、ゲージ特性の安定性を向上することができる。又、機能層を構成する材料が抵抗体３０に拡散することにより、ひずみゲージ１において、ゲージ特性を向上することができる。

【0041】

次に、図３（ｂ）に示す工程では、基材１０の上面１０ａに、抵抗体３０を被覆し端子部４１を露出する絶縁層５０を形成する。絶縁層５０の材料や厚さは、前述の通りである。絶縁層５０の形成方法は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できるが、例えば、スパッタ法、めっき法、化学気相蒸着（ＣＶＤ）法等の真空プロセスや、スピンコート法やゾルゲル法等の溶液プロセスによる成膜後、フォトリソグラフィによってパターニングする方法が挙げられる。

【0042】

次に、図３（ｃ）に示す工程では、基材１０の上面１０ａに、絶縁層５０を被覆し端子部４１を露出するカバー層６０を形成する。カバー層６０の材料や厚さは、前述の通りである。カバー層６０は、例えば、基材１０の上面１０ａに、絶縁層５０を被覆し端子部４１を露出するように半硬化状態の熱硬化性の絶縁樹脂フィルムをラミネートし、加熱して硬化させて作製することができる。カバー層６０は、基材１０の上面１０ａに、絶縁層５０を被覆し端子部４１を露出するように液状又はペースト状の熱硬化性の絶縁樹脂を塗布し、加熱して硬化させて作製してもよい。以上の工程により、ひずみゲージ１が完成する。

【0043】

〈第２の実施の形態〉
第２の実施の形態では、電極を積層構造としたひずみゲージの例を示す。なお、第２の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。

【0044】

図４は、第２の実施の形態に係るひずみゲージを例示する平面図である。図５は、第２の実施の形態に係るひずみゲージを例示する断面図であり、図４のＢ−Ｂ線に沿う断面を示している。図４及び図５を参照するに、ひずみゲージ２は、電極４０Ａ及び絶縁層５０Ａを備えている点が、ひずみゲージ１（図１等参照）と相違する。

【0045】

電極４０Ａは、複数の金属層が積層された積層構造とされている。具体的には、電極４０Ａは、抵抗体３０の両端部から延在する端子部４１と、端子部４１の上面に形成された金属層４２とを有している。金属層４２の材料は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できるが、例えば、端子部４１よりもはんだ付け性が良好な金属（例えば、Ｃｕ（銅））を用いることができる。金属層４２の厚さは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できるが、例えば、０．０１μｍ〜１μｍ程度とすることができる。なお、金属層４２上に、更にニッケル層や金層等の金属層４２とは異なる金属からなる層を積層してもよい。

【0046】

絶縁層５０Ａは、抵抗体３０の上面に設けられている。絶縁層５０Ａは、無機材料から形成されている。具体的には、絶縁層５０Ａは金属層４２を構成する金属の酸化膜である。例えば、金属層４２の材料がＣｕ（銅）であれば、絶縁層５０Ａの材料はＣｕＯ（酸化銅）である。絶縁層５０Ａの厚さは、金属層４２の厚さと略同一である。

【0047】

図６は、第２の実施の形態に係るひずみゲージの製造工程を例示する図であり、図５に対応する断面を示している。ひずみゲージ２を製造するためには、まず、図６（ａ）に示す工程では、基材１０を準備し、基材１０の上面１０ａの全体に、最終的に抵抗体３０及び端子部４１となる金属層３００を形成する。金属層３００の材料や厚さは、前述の抵抗体３０の材料や厚さと同様である。

【0048】

金属層３００は、例えば、金属層３００を形成可能な原料をターゲットとしたマグネトロンスパッタ法により成膜することで形成できる。金属層３００は、マグネトロンスパッタ法に代えて、反応性スパッタ法や蒸着法、アークイオンプレーティング法、パルスレーザー堆積法等を用いて成膜してもよい。

【0049】

第１の実施の形態と同様に、ゲージ特性を安定化する観点から、金属層３００を成膜する前に、下地層として、基材１０の上面１０ａに、例えば、コンベンショナルスパッタ法により膜厚が１ｎｍ〜１００ｎｍ程度の機能層を真空成膜することが好ましい。

【0050】

次に、金属層３００の上面に、例えば、スパッタ法やめっき法等により、最終的に絶縁層５０Ａ及び金属層４２となる金属層３１０を形成する。金属層３１０の材料や厚さは、前述の金属層４２の材料や厚さと同様である。

【0051】

次に、図６（ｂ）に示す工程では、図４の平面形状になるように、金属層３００及び３１０をフォトリソグラフィによってパターニングする。抵抗体３０及び端子部４１上に金属層４２が積層されたパターンが形成される。

【0052】

次に、図６（ｃ）に示す工程では、電極４０Ａを構成する部分を除く金属層４２を加熱して酸化させ、金属層４２を構成する金属の酸化膜からなる絶縁層５０Ａを形成する。

【0053】

図６（ｃ）に示す工程の後、図３（ｃ）の工程と同様にしてカバー層６０を形成することで、図４及び図５に示すひずみゲージ２が完成する。

【0054】

このように、電極４０Ａを構成する金属層４２の酸化膜から絶縁層５０Ａを形成してもよい。この場合にも、第１の実施の形態と同様の効果を奏する。

【0055】

以上、好ましい実施の形態等について詳説したが、上述した実施の形態等に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態等に種々の変形及び置換を加えることができる。

【符号の説明】

【0056】

１、２ ひずみゲージ、１０ 基材、１０ａ 上面、３０ 抵抗体、４０Ａ 電極、４１ 端子部、４２ 金属層、５０、５０Ａ 絶縁層、６０ カバー層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】