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特開2019-188701光輝製品

書誌要約請求の範囲詳細な説明課題実施例実施するための形態図面の説明

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】特開2019-188701(P2019-188701A)

(43)【公開日】2019年10月31日

(54)【発明の名称】光輝製品

(51)【国際特許分類】

B32B 15/04 20060101AFI20191004BHJP

C23C 14/06 20060101ALI20191004BHJP

B32B 18/00 20060101ALI20191004BHJP

【ＦＩ】

B32B15/04 B

C23C14/06 N

B32B18/00 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】3

【出願形態】ＯＬ

【全頁数】11

(21)【出願番号】特願2018-84077(P2018-84077)

(22)【出願日】2018年4月25日

(71)【出願人】

【識別番号】000241463

【氏名又は名称】豊田合成株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100111095

【弁理士】

【氏名又は名称】川口光男

(72)【発明者】

【氏名】大川新太朗

(72)【発明者】

【氏名】伊藤有加利

(72)【発明者】

【氏名】安藤宏明

【テーマコード（参考）】

4F100

4K029

【Ｆターム（参考）】

4F100AA20B

4F100AA20D

4F100AA27B

4F100AA27D

4F100AA28B

4F100AA28D

4F100AA33B

4F100AA33D

4F100AB40C

4F100AK01A

4F100AT00A

4F100BA04

4F100BA07

4F100BA10A

4F100BA10D

4F100EH66

4F100GB32

4F100JA04

4F100JG01

4K029AA11

4K029AA24

4K029AA25

4K029BA10

4K029BA41

4K029BA46

4K029BB02

4K029BC07

4K029CA05

4K029CA06

4K029DC04

4K029DC34

4K029EA01

4K029FA07

(57)【要約】

【課題】良好なミリ波の透過性を有するとともに、生産性の向上を図ることができる光輝製品を提供する。
【解決手段】光輝製品１は、所定の基材２と、基材２上に設けられる金属被膜３とを備える。金属被膜３は、一般式Ｓｉ_xＭ_yＯ_Z（式中、Ｍは金属元素を表し、Ｘ、Ｙ及びＺは、Ｘ＞０、Ｙ＞０、Ｚ≧０及びＸ＋Ｙ＋Ｚ＝１００を満たす数値を示す。以下同様。）で表される化合物からなる第一層３１、Ｉｎからなる第二層３２、及び、一般式Ｓｉ_xＭ_yＯ_Zで表される化合物からなる第三層３３がこの順でそれぞれスパッタリングによって成膜されてなる。Ａｌと比較して酸化しにくいＳｉを含むターゲットを用いることができるため、ターゲットに対するクリーニングの頻度を減少させることができ、生産性の向上を図ることができる。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

所定の基材と、
前記基材上に設けられるとともに、一般式Ｓｉ_xＭ_yＯ_Z（式中、Ｍは金属元素を表し、Ｘ、Ｙ及びＺは、Ｘ＞０、Ｙ＞０、Ｚ≧０及びＸ＋Ｙ＋Ｚ＝１００を満たす数値を示す。以下同様。）で表される化合物からなる第一層、Ｉｎからなる第二層、及び、一般式Ｓｉ_xＭ_yＯ_Zで表される化合物からなる第三層がこの順でそれぞれスパッタリングによって成膜されてなる金属被膜とを備えることを特徴とする光輝製品。

【請求項2】

前記Ｍは、Ｓｎ又はＺｒであることを特徴とする請求項１に記載の光輝製品。

【請求項3】

前記第三層を構成する一般式Ｓｉ_xＭ_yＯ_Zで表される化合物に関し、Ｚ＞０を満たすことを特徴とする請求項１又は２に記載の光輝製品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ミリ波等の電磁波に対する透過性を有する光輝製品に関する。

【背景技術】

【0002】

自動車が周囲の物に接近したことを運転者に警告するために、距離測定用のミリ波レーダー装置を自動車の各部、例えばラジエータグリル、サイドモール、バックパネル、エンブレム部分等の背後に設けることがある。一方で、これらのラジエータグリル等に光輝性をもたせることが要求されることがある。しかし、これらのラジエータグリル等に単なる金属被膜を設けた場合、その金属被膜によってミリ波が遮断させられたり、大きく減衰させられたりするおそれがある。

【0003】

そこで、ミリ波の通過経路上に、光輝性を確保するための金属被膜を有するとともに、当該金属被膜にミリ波の透過性を具備させた光輝製品を設置することが考えられる。金属被膜にミリ波透過性を具備させるためには、金属被膜が不連続構造をなす、すなわち、金属被膜が一面に連続しておらず、多数の微細な金属膜が敷き詰められてなる構造をなす必要がある。

【0004】

従来、真空蒸着で不連続構造を形成しやすいという性質を有するＩｎを用い、真空蒸着によって金属被膜を形成することが考えられていた。しかし、Ｉｎは高価であるため、Ｉｎのみを用いると製造コストが増大してしまうおそれがある。また、金属被膜の形成手法としては、真空蒸着の他にスパッタリングが知られており、金属被膜の膜厚制御や付着力では、真空蒸着よりもスパッタリングが有利である。

【0005】

そこで、Ｉｎ以外の材料を使用することでＩｎの使用量を減らしつつ、スパッタリングによって金属被膜を形成する技術が提案されている。かかる技術としては、スパッタリングによって、Ａｌからなる金属膜、Ｉｎからなる金属膜及びＡｌからなる金属膜をこの順で樹脂製の基材上に形成していくというものが知られている（例えば、特許文献１等参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特許第４７３２１４７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

ところで、上述の手法により得られた光輝製品（「Ａｌ−Ｉｎ−Ａｌ品」と称す）は、ミリ波透過性などの面で十分に良好な性能を有しているが、Ａｌ−Ｉｎ−Ａｌ品を生産する際には、比較的酸化しやすいＡｌがスパッタリングのターゲットとなる。そのため、Ａｌターゲットに対し、酸化物を除去するためのクリーニング（例えば、プラズマを用いたプレエッチングなど）を製品の生産前などにおいて比較的高頻度で行う必要があり、生産性がやや劣る。そこで、生産性向上のために、Ａｌ以外の比較的酸化しにくいターゲットを用いつつ、Ａｌ−Ｉｎ−Ａｌ品と同様の良好なミリ波透過性等を有する光輝製品を新たに作り出すことが望まれる。

【0008】

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、良好なミリ波の透過性を有するとともに、生産性の向上を図ることができる光輝製品を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0009】

以下、上記目的を解決するのに適した各手段につき、項分けして説明する。なお、必要に応じて対応する手段に特有の作用効果を付記する。

【0010】

手段１．所定の基材と、
前記基材上に設けられるとともに、一般式Ｓｉ_xＭ_yＯ_Z（式中、Ｍは金属元素を表し、Ｘ、Ｙ及びＺは、Ｘ＞０、Ｙ＞０、Ｚ≧０及びＸ＋Ｙ＋Ｚ＝１００を満たす数値を示す。以下同様。）で表される化合物からなる第一層、Ｉｎからなる第二層、及び、一般式Ｓｉ_xＭ_yＯ_Zで表される化合物からなる第三層がこの順でそれぞれスパッタリングによって成膜されてなる金属被膜とを備えることを特徴とする光輝製品。

【0011】

上記手段１によれば、少なくともＳｉ及びＭを含んでなるターゲットを用いて、スパッタリングにより第一層及び第三層を得ることができる。ここで、ＳｉはＡｌと比較して酸化しにくい性質を有するため、ターゲットに対するクリーニングの頻度を減少させることができる。その結果、生産性の向上を図ることができる。

【0012】

尚、第一層及び第三層の形成時にスパッタリング装置のチャンバー内にＯ₂を供給し、Ｏ₂反応性のスパッタリングを行うことで、第一層や第三層が、ターゲット材料を構成するＳｉやＭとともにＯ（酸素）を含むようにしてもよい。また、チャンバー内にＡｒ等の不活性ガスのみを供給することで、第一層や第三層が酸素（Ｏ）を含まないようにしてもよい（つまり、Ｚ＝０としてもよい）。勿論、第一層を構成する各元素の質量比と、第三層を構成する各元素の質量比とを異なるものとしてもよい（つまり、第一層及び第三層で、Ｘ，Ｙ及びＺの値を異なるものとしてもよい）。

【0013】

また、上記手段１によれば、良好なミリ波透過性を得ることができる。これは、第一層を構成する粒子を成長核として、第二層を構成するＩｎを相互に離間した又は一部のみが接触した独立的な島状に成長させることができ、不連続構造のより確実な形成が図られることによる。また、第三層は保護膜として機能するが、第三層は島状に成長したＩｎの上に島状成長を維持する形で形成されるため、ミリ波透過性の点で悪影響を与えにくい状態にすることができる。

【0014】

手段２．前記Ｍは、Ｓｎ又はＺｒであることを特徴とする手段１に記載の光輝製品。

【0015】

上記手段２によれば、スパッタリングのターゲットとして、Ｓｉ−Ｓｎ合金やＳｉ−Ｚｒ合金を用いることができる。これら合金をターゲット材料とすることで、第一層や第三層の成膜スピードを十分に向上させることができ、生産性の向上をより確実に図ることができる。

【0016】

さらに、ターゲットがＳｎやＺｒを含むことで、ターゲットの変更に伴う設備変更を最低限に抑えることができ、ひいては生産に係るコストの増大を抑えることができる。すなわち、スパッタリングのターゲットを単なるＳｉやＳｉＯ₂とした場合、Ｓｉは半導体でありＳｉＯ₂は絶縁体であるため、スパッタリングを直流電源で行うと、チャンバー内に導入したガスがイオン化してなる正イオン（例えばＡｒ⁺）がターゲット表面に帯電してターゲットの表面電位が上がり、スパッタリング効率が落ちてしまいやすい。そのため、安定的なスパッタリングを行うためには高周波電源やパルス電源を使用してイオンによる帯電を打ち消す必要がある。これに対し、上記手段２によれば、ターゲットにＳｎやＺｒが含まれるため、ターゲットが導電体となってイオンによる帯電がなくなり、直流電源を用いてスパッタリングを行うことができる。従って、高周波電源などを用意する必要がなくなり、ターゲットの変更に伴う設備変更を最低限に抑えることができる。その結果、生産に係るコストの増大を抑えることができる。

【0017】

また、上記手段２によれば、ＭをＳｎ又はＺｒとすることで、良好なミリ波透過性をより確実に得ることができる。

【0018】

手段３．前記第三層を構成する一般式Ｓｉ_xＭ_yＯ_Zで表される化合物に関し、Ｚ＞０を満たすことを特徴とする手段１又は２に記載の光輝製品。

【0019】

上記手段３によれば、第三層を酸化物被膜とすることで、耐食性の向上を図ることができる。

【0020】

また、第三層を酸化物被膜とすることで、第三層を液体に対し優れた親和性を有するものとすることができる。つまり、第三層の濡れ性を良好なものとすることができる。従って、金属被膜の表面に抑え塗装などの塗装を行ったり、金属被膜の表面に接着剤を介してフィルムなどを貼付したりする場合に、金属被膜に対する塗料や接着剤などのなじみを良くすることができる。これにより、金属被膜に対する塗料や接着剤の密着性を高めることができ、塗料やフィルムの剥がれ防止をより確実に図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【0021】

【図1】光輝製品の拡大断面模式図である。

【図2】光輝製品の断面ＴＥＭ画像に基づく模式図である。

【図3】スパッタリング装置の概略図である。

【図4】接触角の測定について説明するための模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0022】

以下に、一実施形態について図面を参照しつつ説明する。図１に示すように、光輝製品１は、樹脂製の基材２と、当該基材２の表面に形成された金属被膜３とを備えている。光輝製品１としては、ミリ波レーダー装置カバー等を例示することができる。尚、光輝製品１は、適用対象が特に限定されるものではないが、例えば、自動車の外装塗装製品（具体的には、ラジエータグリル、グリルカバー、サイドモール、バックパネル、バンパー、エンブレム等）に適用することができる。

【0023】

基材２としては、所定の樹脂により形成されてなる板材、シート材、フィルム材等を例示することができる。本実施形態における基材２は、誘電正接（誘電体内での電気エネルギー損失の度合いを表す指標値）の小さな樹脂材料であるＡＥＳ（アクリロニトリル−エチレン−スチレン共重合）樹脂によって形成されている。尚、基材２を構成する材料として、ＡＳＡ（アクリロニトリル−スチレン−アクリレート共重合）樹脂、ＰＣ（ポリカーボネート）樹脂、ＡＢＳ（アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合）樹脂、ＰＣ／ＡＢＳ樹脂、アクリル樹脂、ＰＳ（ポリスチレン）樹脂、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）樹脂、ＰＵ（ポリウレタン）樹脂及びＰＰ（ポリプロピレン）樹脂等を挙げることができる。勿論、基材２は、良好なミリ波透過性を有するものであれば、樹脂以外から形成したものであってもよい。

【0024】

また、基材２の上に（金属被膜３の下地となる）下地膜を成膜してもよい。下地膜としては、有機系化合物からなる下地膜〔例えば、有機系塗料（アクリル系塗料等）を塗布して形成された塗膜〕や、無機系化合物からなる下地膜〔例えば、無機系塗料を塗布して形成された塗膜や、物理真空蒸着法により形成した金属化合物よりなる薄膜等〕を挙げることができる。

【0025】

金属被膜３は、基材２の表面に形成された薄膜であり、光輝製品１における表面の光輝性を確保するために設けられている。本実施形態では特に図示していないが、金属被膜３の表面には、必要に応じて、トップ塗装やおさえ塗装などの塗装が施されたり、接着剤を介してフィルムが貼付されたりする。また、アクリル系又はウレタン系の樹脂材料からなる腐食防止層で金属被膜３を被覆することもある。

【0026】

金属被膜３は、図２に示すように、基材２上において、第一層３１、第二層３２及び第三層３３がこの順でそれぞれスパッタリングによって形成されてなる積層体であって、不連続構造をなしており、光輝性とともに良好なミリ波（例えば、波長が１〜１０ｍｍであり、周波数が３０〜３００ＧＨｚの電磁波）の透過性を備えている。尚、図２は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いた光輝製品１の断面画像に基づく模式図である。

【0027】

第一層３１は、非常に薄膜（例えば、５ｎｍの厚さ狙いで形成されたもの）であり、各層３１〜３３の中では最も基材２の表面寄りに形成されている。第一層３１の構成粒子は、主に第二層３２の成長核として機能する。尚、図２では、第一層３１を実際よりも厚肉で示している。また、図２では、第一層３１を層状（膜状）として模式的に示しているが、図２はあくまで模式図であって、実際に（最終的に）形成される第一層３１は必ずしも層状とはならず、基材２の表面上に分散状態で点状に形成される場合もある。

【0028】

第二層３２は、第一層３１の粒子を成長核として形成された厚膜部を備えており、また、第三層３３は、第二層３２の前記厚膜部に対し特に積層した状態で形成されている。これにより、金属被膜３は、不連続構造、すなわち、金属膜が一面に連続した状態とならず、多数の微細な金属膜が島状に互いに僅かに離間したり、一部だけ接触したりした状態で敷き詰められた構造となっている。

【0029】

また、第二層３２は、例えば、２５〜３０ｎｍの厚さ狙いで形成されたものであり、第三層３３は、例えば、１０〜１３０ｎｍの厚さ狙いで形成されたものである。尚、ミリ波透過性の面で悪影響が生じてしまうことをより確実に防止すべく、第三層３３の厚さを１３０ｎｍ以下とすることが好ましい。また、十分な光輝性を得るという点では、金属被膜３の厚さを１０ｎｍ以上とすることが好ましい。

【0030】

さらに、第二層３２はＩｎにより形成されている一方、第一層３１及び第三層３３は、一般式Ｓｉ_xＭ_yＯ_Zで表される化合物によって構成されている。Ｍは金属元素を表すとともに、Ｘ、Ｙ及びＺは、Ｘ＞０、Ｙ＞０、Ｚ≧０及びＸ＋Ｙ＋Ｚ＝１００を満たすものである。

【0031】

また、本実施形態において、前記Ｍは、Ｓｎ又はＺｒである。つまり、本実施形態において、第一層３１は、一般式Ｓｉ_xＳｎ_yＯ_Zで表される化合物又は一般式Ｓｉ_xＺｒ_yＯ_Zで表される化合物によって形成されている。特に本実施形態では、Ｚ＝０を満たすものとされており、第一層３１は非酸化物被膜とされている。

【0032】

加えて、第三層３３は、第一層３１と同様に、一般式Ｓｉ_xＳｎ_yＯ_Zで表される化合物又は一般式Ｓｉ_xＺｒ_yＯ_Zで表される化合物によって形成されている。但し、本実施形態では、Ｚ＞０を満たすものとされており、第三層３３は、酸化物被膜とされている。第三層３３は、保護膜として機能するが、島状に成長したＩｎ（第二層３２）の上に島状成長を維持する形で形成されるため、ミリ波透過性の点で悪影響を与えにくい。

【0033】

尚、第一層３１及び第三層３３の双方を酸化物被膜又は非酸化物被膜としてもよいし、第一層３１を酸化物被膜とする一方、第三層３３を非酸化物被膜としてもよい。酸化物被膜は、後述するようにＯ₂反応性スパッタリングを行うことで形成することができ、非酸化物被膜は、後述するように不活性雰囲気下でスパッタリングを行うことで形成することができる。

【0034】

次に、上述した光輝製品１の製造方法のうち、特に基材２に対する金属被膜３の形成方法について説明する。まず、必要に応じて、基材２の表面に下地膜などを形成しておく。その上で、図３に示すように、スパッタリング装置１００のチャンバー１０１内に設けられたターゲットホルダー１０２に、第一層３１の成膜材料となるターゲット５１をセットするとともに、チャンバー１０１内の基材ホルダー１０３に基材２をセットする。第一層３１を一般式Ｓｉ_xＳｎ_yＯ_Zで表される化合物によって形成する場合、ターゲット５１としてＳｎ−Ｓｉ合金（例えば、Ｓｎを５０質量％、Ｓｉを５０質量％含有した合金）からなるものが用いられ、第一層３１を一般式Ｓｉ_xＺｒ_yＯ_Zで表される化合物によって形成する場合、ターゲット５１としてＺｒ−Ｓｉ合金からなるものが用いられる。

【0035】

そして、チャンバー１０１内に不活性ガス（例えばＡｒガス）を導入しながら（つまり不活性雰囲気下で）、ＤＣ電源（直流電源）１０４によって基材２及びターゲット５１間に直流高電圧を印加することにより、イオン化したＡｒをターゲット５１に衝突させ、弾き出されたターゲット５１の構成物質を基材２に成膜させることで、第一層３１を形成する。不活性雰囲気下でスパッタリングを行うことにより、第一層は非酸化物被膜となる。

【0036】

次いで、Ｉｎからなるターゲット５１を用いて、上記同様に、チャンバー１０１内に不活性ガス（例えばＡｒガス）を導入しながら、ＤＣ電源１０４によって基材２及びターゲット５１間に直流高電圧を印加し、ターゲット５１の構成物質を基材２に成膜させることで、Ｉｎからなる第二層３２を形成する。このとき、第一層３１を構成する粒子を成長核として、第二層を構成するＩｎは、相互に離間した又は一部のみが接触した独立的な島状に成長する。

【0037】

さらに、Ｓｎ−Ｓｉ合金又はＺｒ−Ｓｉ合金からなるターゲット５１を用いて、チャンバー１０１内に不活性ガス（例えばＡｒガス）とＯ₂とを導入しながら、基材２及びターゲット５１間に直流高電圧を印加する。これにより、ターゲット５１の構成物質とＯ₂とを反応させつつ反応物質を基材２に成膜する（つまり、Ｏ₂反応性スパッタリングを行う）ことで、酸化物被膜である第三層３３を形成する。その結果、基材２上に各層３１〜３３からなる金属被膜３を形成することができる。

【0038】

以上詳述したように、本実施形態によれば、少なくともＳｉ及びＭ（本実施形態ではＳｎ又はＺｒ）を含んでなるターゲット５１を用いて、スパッタリングにより第一層３１及び第三層３３を得ることができる。ここで、ＳｉはＡｌと比較して酸化しにくい性質を有するため、ターゲット５１に対するクリーニングの頻度を減少させることができる。その結果、生産性の向上を図ることができる。

【0039】

さらに、金属被膜３において不連続構造をより確実に形成することができ、また、第三層３３は、島状に成長したＩｎ（第二層３２）の上に島状成長を維持する形で形成されるため、ミリ波透過性の点で悪影響を与えにくい状態になる。そのため、光輝製品１において良好なミリ波透過性を得ることができる。

【0040】

加えて、スパッタリングのターゲット５１として、Ｓｉ−Ｓｎ合金やＳｉ−Ｚｒ合金からなるものを用いることができる。これら合金をターゲット５１の材料とすることで、第一層３１や第三層３３の成膜スピードを十分に向上させることができ、生産性の向上をより確実に図ることができる。

【0041】

また、本実施形態におけるターゲット５１はＳｎやＺｒを含むため、ターゲット５１が導電体となってイオンによる帯電がなくなり、ＤＣ電源１０４を用いてスパッタリングを行うことができる。これにより、ターゲットの変更に伴う設備変更を最低限に抑えることができ、ひいては生産に係るコストの増大を抑えることができる。

【0042】

さらに、本実施形態における第三層３３は酸化物被膜とされているため、耐食性の向上を図ることができる。

【0043】

また、第三層３３を酸化物被膜とすることで、第三層３３を液体に対し優れた親和性を有するものとすることができる。つまり、第三層３３の濡れ性を良好なものとすることができる。従って、金属被膜３の表面に対し、塗装を行ったり、接着剤を介してフィルムなどを貼付したりする場合に、金属被膜３に対する塗料や接着剤のなじみを良くすることができる。これにより、金属被膜３に対する塗料や接着剤の密着性を高めることができ、塗料やフィルムの剥がれ防止をより確実に図ることができる。

【0044】

次いで、上記実施形態で奏される作用効果を確認すべく、ＰＣからなる基材に対し、第一層、第二層及び第三層をそれぞれスパッタリングによって形成してなる複数種類の光輝製品のサンプルを作製し、各サンプルごとにミリ波が透過する際の減衰量（ｄＢ）を計測した。ここで、減衰量が小さいほどミリ波透過性が良好であるといえ、減衰量が３．００ｄＢ以下であれば、ミリ波透過性が十分に良好であるといえる。表１に、各サンプルにおけるミリ波の減衰量をそれぞれ示す。

【0045】

尚、各サンプルにおける第一層及び第三層の形成にあたっては、Ｓｉ、Ｓｎ−Ｓｉ合金又はＺｒ−Ｓｉ合金からなるターゲットを用い、また、チャンバーにＯ₂を導入しながら又はＯ₂を導入せずに、ＤＣ電源を使用してスパッタリングを行うことにより酸化物被膜又は非酸化物被膜を形成した。つまり、酸化物被膜としては、Ｓｉ及びＯからなる化合物、一般式Ｓｉ_xＳｎ_yＯ_Z（式中、Ｘ、Ｙ及びＺは、Ｘ＞０、Ｙ＞０、Ｚ＞０及びＸ＋Ｙ＋Ｚ＝１００を満たす数値を示す。次述するＸ、Ｙ及びＺについても同様）で表される化合物、又は、一般式Ｓｉ_xＺｒ_yＯ_Zで表される化合物からなるものを形成した。また、非酸化物被膜としては、Ｓｉ、一般式Ｓｉ_xＳｎ_y（式中、Ｘ及びＹは、Ｘ＞０、Ｙ＞０及びＸ＋Ｙ＝１００を満たす数値を示す。次述するＸ及びＹについても同様。）で表される化合物、又は、一般式Ｓｉ_xＺｒ_yで表される化合物からなるものを形成した。尚、第二層は、Ｉｎからなるターゲットを用いて形成した。

【0046】

加えて、各サンプルともに、第一層を５ｎｍの厚さ狙いで、第二層を２５ｎｍの厚さ狙いで、第三層を１５ｎｍの厚さ狙いで形成した。

【0047】

また、参考として、それぞれのサンプルにおける、金属被膜の表面抵抗（Ω／□）と、ＪＩＳＺ８７４１に準拠して測定角度６０°の条件で所定の光沢計により測定したグロス値（光沢値）と、所定の色彩色差計によって測定したＣＩＥ１９７６表色系（ＪＩＳＺ８７２９）に規定される表色系（Ｌ^*、ａ^*、ｂ^*）の明度Ｌ^*とを表１に合わせて示す。

【0048】

【表1】

【0049】

表１に示すように、各サンプルともにミリ波の減衰量が３．００ｄＢ以下となり、良好なミリ波透過性を有することが確認された。

【0050】

また、各サンプルは、それぞれグロス値や明度Ｌ^*の点でも良好であり、十分に良好な光輝性を有することが確認された。

【0051】

次いで、Ｓｎ−Ｓｉ合金又はＺｒ−Ｓｉ合金からなるターゲット（Ｓｎ−Ｓｉターゲット又はＺｒ−Ｓｉターゲット）を用いてＯ₂反応性スパッタリングを行った場合（実施例）と、Ｓｉからなるターゲット（Ｓｉターゲット）を用いてＯ₂反応性スパッタリングを行った場合（比較例）と、Ａｌからなるターゲット（Ａｌターゲット）を用いて不活性雰囲気下でスパッタリングを行った場合（比較例）とにおいて、第三層を形成する際の成膜スピード（Å／ｓｅｃ・Ｗ）を算出した。成膜スピードとしては、スパッタリング時のパワー（印加電力）Ｗとスパッタリングの時間（ｓｅｃ）とを乗算してなる数値によって第三層３３の形成厚さ（Å）を除算したときの値、すなわち、パワーの影響を除いた、単位時間当たりの成膜厚さに相当するものを算出した。尚、Ｓｎ−Ｓｉターゲット又はＺｒ−Ｓｉターゲットを用いたときには、スパッタリング時にＯ₂分圧が３３％となるようにチャンバー内にＯ₂を導入し、Ｓｉターゲットを用いたときには、スパッタリング時にＯ₂分圧が２３％となるようにチャンバー内にＯ₂を導入した。

【0052】

成膜スピードを算出したところ、Ｓｉターゲットを用いたときには約０．００８Å／ｓｅｃ・Ｗとなり、Ａｌターゲットを用いたときには約０．００７Å／ｓｅｃ・Ｗとなった一方、Ｓｎ−Ｓｉターゲットを用いたときには約０．０３２Å／ｓｅｃ・Ｗとなり、Ｚｒ−Ｓｉターゲットを用いたときには約０．０１８Å／ｓｅｃ・Ｗとなった。つまり、Ｓｎ−ＳｉターゲットやＺｒ−Ｓｉターゲットを用いた場合に、成膜スピードを顕著に向上できることが確認された。この結果から、より短時間で所期の厚さの金属被膜を形成するという観点では、スパッタリングのターゲットとして、Ｓｉ−Ｓｎ合金やＳｉ−Ｚｒ合金を用いることが好ましいといえる。

【0053】

次いで、スパッタリングのターゲットとして、Ｓｉ、Ｓｎ−Ｓｉ合金又はＺｒ−Ｓｉ合金からなるものを用いるとともに、Ｏ₂分圧が３３％となるようにチャンバーにＯ₂を導入しながら又はＯ₂を導入せずにスパッタリングを行うことにより、第三層として酸化物被膜又は非酸化物被膜を形成した光輝製品のサンプルを作製し、各サンプルの濡れ性を評価した。濡れ性の評価は、図４に示すように、サンプルの金属被膜３の最表面（第三層３３の表面）に液滴Ｄを落下させ、接線法により液滴Ｄの接触角θを計測することで行った。ここで、接触角θが小さいほど濡れ性が良好であるといえる。表２に、各サンプルの接触角θを示す。

【0054】

【表2】