発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

従来のサーマルコンパウンドの熱伝導率は１Ｗ／ｍ・Ｋ程度であった。この熱伝導率の値は、半導体チップから冷却器までの放熱経路に位置するはんだ、銅回路、セラミックス絶縁基板、銅板等の部材中で、最も熱伝導率が低い。パワー半導体モジュールを用いた製品全体での高効率化を行う一つの方法として、サーマルコンパウンドの熱伝導率を上げる必要がある。 高熱伝導率化のために、サーマルコンパウンドに一般的に含まれているセラミックス等の充填材の増量が試みられている。しかし、セラミックス等の充填材を増加させると、サーマルコンパウンド中で基油が相対的に占める割合が小さくなり、粘性が増加して、パワー半導体モジュールと冷却器の間に塗布する際の作業性が低下する。また、その結果として、塗布後の製品におけるボイド率が高くなるおそれがある。作業性の低下やボイド率の上昇を招くことなく、サーマルコンパウンドの高熱伝導率化・低熱抵抗化を達成して、信頼性の高い半導体装置を提供することが求められる。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、サーマルコンパウンドの熱伝導率を向上させることができ、熱抵抗の増加を抑制することができる、高効率かつ高信頼性の半導体装置を提供することができる。