発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、従来のブートストラップ回路では、アノード電極１１７ａとｐ⁺型アノードコンタクト領域１１４とのコンタクトとなるコンタクトホール１１８ａ’の開放端１１９ａ側の部分１３０が、ダイオード領域１２１の中央部側（内側）からエッジ終端領域１２２側（外側）へ向かう方向に、アノード電極１１７ａと電流制限抵抗１０２とのコンタクトとなるコンタクトホール１１８ａと対向していない。このため、電流制限抵抗１０２からブートストラップダイオード１０１へ流れ込む電流経路（正孔の移動経路）の長さが半導体基板１１０のおもて面の面内で異なる。 すなわち、アノード電極１１７ａとｐ⁺型アノードコンタクト領域１１４とのコンタクトとなるコンタクトホール１１８ａ’から、アノード電極１１７ａと電流制限抵抗１０２とのコンタクトとなるコンタクトホール１１８ａへ流れ込む電子の移動経路の長さが半導体基板１１０のおもて面の面内で異なる。例えば、アノード電極１１７ａとｐ⁺型アノードコンタクト領域１１４とのコンタクトとなるコンタクトホール１１８ａ’の開放端１１９ａから、アノード電極１１７ａと電流制限抵抗１０２とのコンタクトとなるコンタクトホール１１８ａへ流れ込む電子の移動経路１３１が最も長くなる。 これによって、アノード電極１１７ａとｐ⁺型アノードコンタクト領域１１４とのコンタクトとなるコンタクトホール１１８ａ’の開放端１１９ａ側から、アノード電極１１７ａと電流制限抵抗１０２とのコンタクトとなるコンタクトホール１１８ａに移動する電子が、アノード電極１１７ａと電流制限抵抗１０２とのコンタクトとなるコンタクトホール１１８ａの端部１３２に集中する。このため、電流制限抵抗１０２の体積に基づく抵抗値Ｒ１０２に応じた発熱量に比べて、電流制限抵抗１０２の端部での部分的な発熱量が大きくなり、電流制限抵抗１０２の抵抗値Ｒ１０２の精度が変動しやすいという問題がある。 この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、ブートストラップ回路を構成するブートストラップダイオードおよび電流制限抵抗を備えた半導体装置であって、電流制限抵抗の抵抗値の精度低下を抑制することができる半導体装置を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明にかかる半導体装置によれば、ブートストラップ回路を構成するブートストラップダイオードおよび電流制限抵抗を備えた半導体装置であって、電流制限抵抗の抵抗値の精度低下を抑制することができるという効果を奏する。