【図1】実施例１に係る半導体装置１００の構造の断面の一例を示す。

【図2】実施例１に係る不純物濃度及びＰＮ比の勾配の一例を示す。

【図3】比較例１に係る半導体装置５００の構成の一例を示す。

【図4】比較例１に係る不純物濃度及びＰＮ比の勾配の一例を示す。

【図5】比較例２に係る半導体装置５００の構成の一例を示す。

【図6】比較例２に係る不純物濃度及びＰＮ比の勾配の一例を示す。

【図7】比較例３に係る半導体装置５００の構成の一例を示す。

【図8】比較例３に係る不純物濃度及びＰＮ比の勾配の一例を示す。

【図9】ＰＮ比に対する耐圧の各構造の比較を示す。

【図10】各構造において、耐圧に対するオン抵抗の比較を示す。

【図11A】実施例２に係る半導体装置１００の構成の一例を示す。

【図11B】実施例２に係る第１カラム傾斜領域１３−１のイオン注入工程の一例を示す。

【図11C】第２カラム傾斜領域１３−２のイオン注入工程の一例を示す。

【図11D】スーパージャンクション領域１０の製造工程の一例を示す。

【図11E】拡散工程後の実施例２に係る半導体装置１００の構成の一例を示す。

【図12A】エピタキシャル成長後のスーパージャンクション領域１０を示す。

【図12B】トレンチ形成工程後の半導体装置１００の構成の一例を示す。

【図12C】トレンチ埋め込み後の半導体装置１００の構成の一例を示す。

【図12D】段差領域１４におけるイオン注入工程の一例を示す。

【図12E】熱拡散後の半導体装置１００の構成の一例を示す。

【図13A】エピタキシャル成長後のスーパージャンクション領域１０を示す。

【図13B】トレンチ形成工程後の半導体装置１００の構成の一例を示す。

【図13C】トレンチ埋め込み後の半導体装置１００の構成の一例を示す。

【図13D】段差領域１４におけるイオン注入工程の一例を示す。

【図13E】熱拡散後の半導体装置１００の構成の一例を示す。