【図1】本発明の第１の実施の形態に係る半導体モジュールの構成の概略を、一部を切り欠いて模式的に説明する斜視図（鳥瞰図）である。

【図2】第１の実施の形態に係る半導体モジュールの構成の概略を模式的に説明する平面図である。

【図3】図２中のＡ−Ａ線方向から見た断面図である。

【図4】第１の実施の形態に係る半導体モジュールの製造方法の概略を模式的に説明する工程平面図である（その１）。

【図5】第１の実施の形態に係る半導体モジュールの製造方法の概略を模式的に説明する工程断面図である（その２）。

【図6】第１の実施の形態に係る半導体モジュールの製造方法の概略を模式的に説明する工程平面図である（その３）。

【図7】図７（ａ）は、図５中のＢ部分の拡大図である。図７（ｂ）は、図１３中のＥ部分の拡大図である。

【図8】金属板の上面に対してレーザー光が照射された後、還元処理を施すことなく酸化膜が残存した上面の状態を示すＳＥＭ画像である。

【図9】図８中のレーザー光の照射領域の部分拡大画像である。

【図10】金属板の上面に対してレーザー光が照射された後、還元処理を施して酸化膜が除去された上面の状態を示すＳＥＭ画像である。

【図11】図１０中のレーザー光の照射領域の部分拡大画像である。

【図12】第１の実施の形態に係る半導体モジュールの製造方法の概略を模式的に説明する工程平面図である（その４）。

【図13】図１２中のＤ−Ｄ線方向から見た断面図である。

【図14】図１４（ａ）→図１４（ｂ）→図１４（ｃ）→図１４（ｄ）の順に、第１の実施の形態に係る半導体モジュールの製造方法の概略を模式的に説明する工程平面図である（その５）。

【図15】第１比較例に係る半導体モジュールの構成の概略を模式的に説明する平面図である。

【図16】図１５中のＦ−Ｆ線方向から見た断面図である。

【図17】第２比較例に係る半導体モジュールの構成の概略を模式的に説明する平面図である。

【図18】第２の実施の形態に係る半導体モジュールの構成の概略を模式的に説明する平面図である。

【図19】図１９（ａ）は第２の実施の形態に係る半導体モジュールの製造方法において、酸化膜の形成を阻害する工程として、不活性雰囲気下でのレーザー光の照射によって酸化膜の形成を抑制する方法を模式的に説明する工程断面図である。図１９（ｂ）は第２の実施の形態に係る半導体モジュールの製造方法の概略を模式的に説明する工程平面図である。

【図20】第３比較例に係る半導体モジュールの構成の概略を模式的に説明する平面図である。

【図21】図２１（ａ）は放射状に延びるガイド部を有する第１変形例に係る半導体モジュールの構成の概略を模式的に説明する平面図であり、図２１（ｂ）は網目状に延びるガイド部を有する第１変形例に係る半導体モジュールの構成の概略を模式的に説明する平面図である。

【図22】第２変形例に係る半導体モジュールの構成の概略を、一部を切り欠いて模式的に説明する斜視図である。

【図23】第３変形例に係る半導体モジュールの構成の概略を模式的に説明する平面図である。

【図24】酸化膜の形成を阻害する工程として、還元雰囲気下でのはんだ付けによって形成された酸化膜を除去する方法を模式的に説明する工程断面図である。