特開2019-195021IP Force 特許公報全文掲載

ホーム > 特許ランキング > 富士電機株式会社 > 特開2019-195021

技術分野

窒化物半導体装置および窒化物半導体装置の製造方法

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】複数の種類のドーパントのイオン注入で形成されたＮ型領域を有する窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層と、エピタキシャル層と、イオン注入領域と、絶縁層と、電極とを備えた窒化物半導体装置において、第１のＮ型領域と、第１のＮ型領域よりも浅く設けられた第２のＮ型領域とを備え、第２のＮ型領域のドーパントは、第１のＮ型領域のドーパントよりも原子量の大きい元素である窒化物半導体装置を提供する。Ｎ型ドーパントのイオン注入により第１のＮ型領域を設ける段階と、第１のＮ型領域のドーパントよりも原子量の大きい元素をイオン注入することにより、第１のＮ型領域よりも浅く第２のＮ型領域を設ける段階とを備える窒化物半導体装置の製造方法を提供する。
【選択図】図１Ａ

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

ＧａＮ材料において、カウンタードープのように、Ｓｉを深くドーピングしてＮ型領域を形成しようとすると、超高エネルギーが必要となりそれを製造するための設備費用が大きくなる。一方、ソースコンタクト領域のように、浅く高ドーパント濃度で形成しようとすると、原子量の小さい元素では深くテールが引いてしまう問題がある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の第１の態様においては、窒化物半導体層と、エピタキシャル層と、イオン注入領域と、絶縁層と、電極とを備えた窒化物半導体装置において、第１のＮ型領域と、第１のＮ型領域よりも浅く設けられた第２のＮ型領域とを備え、第２のＮ型領域のドーパントは、第１のＮ型領域のドーパントよりも原子量の大きい元素である窒化物半導体装置を提供する。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

知財ポータルサイト IP Force にログインして確認する (無料)

この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1A】実施例１に係る窒化物半導体装置１００の構成の一例を示す。

【図1B】実施例１に係る窒化物半導体装置１００の製造方法の一例を示す。

【図2A】実施例２に係る窒化物半導体装置１００の構成の一例を示す。

【図2B】実施例２に係る窒化物半導体装置１００の製造方法の一例を示す。

【図3A】実施例３に係る窒化物半導体装置１００の構成の一例を示す。

【図3B】実施例３に係る窒化物半導体装置１００の製造方法の一例を示す。

【図4】窒化物半導体装置１００が有するＮ型のイオン注入領域のドーパント濃度の一例を示す。

選択図 図1A出願人が指定した本件の代表的な図

１０・・・窒化物半導体層、２０・・・エピタキシャル層、３０・・・イオン注入領域、３５・・・エピタキシャル層、４０・・・第１のＮ型領域、４５・・・第１のＮ型領域、５０・・・第２のＮ型領域、５５・・・第２のＮ型領域、６０・・・絶縁層、７０・・・電極、７２・・・電極、８０・・・トレンチ部、１００・・・窒化物半導体装置、１０１・・・上面、１０２・・・下面、１１０・・・マスク

全ての図面はログインすると無料で閲覧できます。ログイン・ユーザー登録

［広告欄］

ログインすれば広告は減ります

ログインすれば広告は減ります

Copyright © Science Impact Inc. All Rights Reserved.