特開2019-195093IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

半導体装置

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】IGBT等の半導体装置において、ターンオフ時にホールの引き抜きが容易な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置100は、ドリフト領域およびベース領域14を有する半導体基板と、半導体基板に形成されたトランジスタ部70と、トランジスタ部と隣接して半導体基板に形成されたダイオード部80とを備える。トランジスタ部およびダイオード部には、それぞれ予め定められた配列方向に沿って配列された複数のトレンチ部40と、それぞれのトレンチ部の間に形成された複数のメサ部94とが形成される。複数のメサ部のうち、トランジスタ部およびダイオード部との境界における少なくとも1つの境界メサ部は、半導体基板の上面においてベース領域よりも高濃度のコンタクト領域15を有する。境界メサ部におけるコンタクト領域の面積は、他のメサ部におけるコンタクト領域の面積よりも大きい。
【選択図】図1

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】半導体装置100の一例を示す上面図である。

【図2】図1に示した半導体装置100のa−a'断面の一例を示す図である。

【図3】半導体基板10のa−a'断面の他の例を示す図である。

【図4】図2または図3に示した半導体基板10における所定の部位のサイズを説明する図である。

【図5】図1に示した半導体装置100のb−b'断面の一例を示す図である。

【図6】図5に示した断面における、蓄積領域16の端部98近傍の拡大図である。

【図7】比較例に係る半導体装置200の一例を示す図である。

【図8】半導体装置300の一例を示す上面図である。

【図9】図8におけるc−c'断面の一例を示す図である。

【図10】図8におけるd−d'断面の一例を示す図である。

【図11】図8におけるe−e'断面の一例を示す図である。

【図12】Y−Z面と平行な面におけるメサ部94の断面の一例を示す図である。

【図13】Y−Z面と平行な面におけるメサ部94の断面の他の例を示す図である。

【図14】半導体装置400の一例を示す上面図である。

【図15】図14に示した半導体装置400のc−c'断面の一例を示す図である。

【図16】半導体装置500の一例を示す上面図である。

【図17】図16に示した半導体装置500のa−a'断面の一例を示す図である。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

10・・・半導体基板、12・・・エミッタ領域、14・・・ベース領域、15・・・コンタクト領域、16・・・蓄積領域、17・・・ウェル領域、18・・・ドリフト領域、19・・・キャリア通過領域、20・・・バッファ領域、21・・・端部、22・・・コレクタ領域、24・・・コレクタ電極、26・・・層間絶縁膜、30・・・ダミートレンチ部、32・・・ダミー絶縁膜、34・・・ダミー導電部、40・・・ゲートトレンチ部、41・・・対向部、42・・・ゲート絶縁膜、43・・・突出部、44・・・ゲート導電部、50・・・ゲート電極、51・・・ゲート配線、52・・・エミッタ電極、54・・・コンタクトホール、55・・・コンタクトホール、56・・・コンタクトホール、57・・・接続部、70・・・トランジスタ部、80・・・ダイオード部、82・・・カソード領域、94・・・メサ部、96・・・ライフタイムキラー、98・・・端部、100・・・半導体装置、110・・・マスク、112・・・超過部分、200・・・半導体装置、300・・・半導体装置、400・・・半導体装置、500・・・半導体装置

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