特開2019-201113IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

半導体装置、特にシリコン(Si)、炭化珪素(SiC)及び窒化ガリウム(GaN)等のワイドバンドギャップ半導体を用いたワイドバンドギャップパワー半導体素子を複数搭載するパワー半導体装置及びこの半導体装置の製造方法

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】導体ベース上に全体が樹脂封止された半導体ユニットを複数並列接続させた半導体装置であって、絶縁破壊耐性を従来よりも高めた半導体装置を提供する。
【解決手段】金属ベース(導体ベース)1上の複数の半導体モジュールと、半導体モジュール間を接続する第1絶縁ブスバー12a及び第2絶縁ブスバー12bと、半導体モジュールの周囲の箱型の絶縁樹脂枠9と、絶縁樹脂枠9の内側の半導体モジュールの絶縁回路基板(2,3,4)から延びる端子6a〜6fの上端よりも低い位置に上面を有して半導体モジュールを封止する第1の絶縁層10と、絶縁樹脂枠9の内側で第1の絶縁層10の上に、端子6a〜6fの上端が埋め込まれる第2の絶縁層13a〜13cとを備え、端子6a〜6fと、接地位置をなす側壁部の下端との間に、第1の絶縁層10、第2の絶縁層13a〜13c及び絶縁樹脂枠9の側壁部(第3の絶縁層)によって形成された界面が配置される。
【選択図】図2

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明はした問題に着目して為されたものであって、導体ベース上に全体が樹脂封止された半導体ユニットを複数並列接続させた半導体装置であって、絶縁破壊耐性を従来よりも高めた半導体装置及びこの半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

課題を解決するために、本発明に係る半導体装置のある態様は、導体ベースと、導体ベース上に設けられ、絶縁回路基板、絶縁回路基板上に搭載された半導体チップ及び絶縁回路基板の上に半導体チップに接続して設けられ絶縁回路基板の導体ベースと反対側に延びる棒状の端子を備える複数の半導体モジュールと、複数の半導体モジュール間で対応する端子同士を接続するブスバーと、導体ベース上で、半導体モジュールの周囲に設・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
【発明の効果】
本発明によれば、導体ベース上に全体が樹脂封止された半導体ユニットを複数並列接続させた半導体装置であって、絶縁破壊耐性を従来よりも高めた半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供できる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】図1は、第1の実施の形態に係る半導体装置の構成の概略を模式的に説明する斜視図(鳥瞰図)である。

【図2】図2は、第1の実施の形態に係る半導体装置の半導体ユニットを、金属ベースの主面に垂直な平面であって、図1中のA−A線を含む平面で断面した場合の断面図である。

【図3】図3は、図2中の左側上部を部分的に拡大した断面図である。

【図4】図4は、第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の工程斜視図である(その1)。

【図5】図5は、第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の工程断面図である。

【図6】図6は、第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の工程断面図である(その2)。

【図7】図7は、第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の工程平面図である。

【図8】図8は、第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の工程断面図である(その3)。

【図9】図9は、第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の工程平面図である(その4)。

【図10】図10は、図9中のC−C線方向から見た断面図である。

【図11】図11は、第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の工程断面図である(その5)。

【図12】図12は、第1の実施の形態の第1変形例に係る半導体装置で用いられる絶縁樹脂枠を説明する平面図である。

【図13】図13は、図12中のD−D線方向から見た断面図である。

【図14】図14は、第1の実施の形態の第2変形例に係る半導体装置で用いられる絶縁樹脂枠を説明する平面図である。

【図15】図15は、第1の実施の形態の第3変形例に係る半導体装置で用いられる絶縁樹脂枠及び金属ベースを説明する断面図である。

【図16】図16は、第1の実施の形態の第4変形例に係る半導体装置で用いられる絶縁樹脂枠を説明する断面図である。

【図17】図17は、第1の実施の形態の第5変形例に係る半導体装置で用いられる絶縁樹脂枠を説明する分解斜視図である。

【図18】図18は、図19中のF−F線方向から見た断面図である。

【図19】図19は、第2の実施の形態に係る半導体装置の構成の概略を模式的に説明する断面図である。

選択図 図2出願人が指定した本件の代表的な図

1 金属ベース(導体ベース)   2 絶縁基板   3 表面導電箔   4 裏面導電箔   5a,5b,5c,5d 半導体チップ   6a,6b,6g,6h 第1ユニット端子   6c,6d,6i,6j 第2ユニット端子   6e,6f,6k,6l 第3ユニット端子   7 絶縁板   8 回路パターン   9 絶縁樹脂枠   9a 第1貫通孔   9b 第2貫通孔   9c 第3貫通孔   9d,9e,9f,9g 追加貫通孔   9x 絶縁樹脂枠   9y 絶縁樹脂枠   10 第1の絶縁層   11a,11b,11c,11d 連結部   12a 第1絶縁ブスバー   12b 第2絶縁ブスバー   13,13a,13b,13c 第2の絶縁層   15,16,17,18 凸部   19 絶縁樹脂枠   19a,19b,19c,19d,19e,19f,19g,19h 追加貫通孔   22 導体部   29 絶縁樹脂枠   29a 溝   39 絶縁樹脂枠   39a 段差部   91 天井部   92,93,94,95 側壁部   101 半導体ユニット   101a 半導体モジュール   101,102,103,104 半導体ユニット   101a,102a,103a,104a 半導体モジュール   BF1 第1界面   BF2 第2界面   BF3 第3界面

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