【図1】本発明の逆導通型半導体装置の一例を示す上面図である。

【図2】図１のＡ−Ａ線から垂直にきった逆導通型半導体装置の断面概略図である。

【図3】本発明の逆導通型半導体装置に用いるＲＣ−ＩＧＢＴを説明する回路図である。

【図4】逆導通型半導体装置の一例を示す上面図である。

【図5】逆導通型半導体装置において、リードフレームとワイヤボンディングの耐量の一例を示す表である。

【図6】本発明の逆導通型半導体装置の発熱シミュレーションの結果の一例を説明する斜視図である。

【図7】本発明の逆導通型半導体装置の発熱シミュレーションの結果の一例を説明する斜視図である。

【図8】逆導通型半導体装置におけるダイオード部に対する配線部材の配置の一例を示す上面図である。

【図9】逆導通型半導体装置におけるダイオード部に対する配線部材の配置の他の例を示す上面図である。

【図10】図８に示した配線部材の配置において、保護ダイオード（ＦＷＤ）を発熱させた場合の変形量のシミュレーション結果の一例を示すグラフである。

【図11】図９に示した配線部材の配置において、スイッチング素子（ＩＧＢＴ）を発熱させた場合の変形量のシミュレーション結果の一例を示すグラフである。

【図12】図１０及び図１１に示したシミュレーション結果の最大変形量の一例を示す表である。

【図13】本発明の逆導通型半導体装置におけるダイオード部に対する配線部材の配置の一例を示す上面図である。

【図14】本発明の逆導通型半導体装置におけるダイオード部に対する配線部材の配置の他の例を示す上面図である。

【図15】図１３に示した配線部材の配置において、保護ダイオード（ＦＷＤ）を発熱させた場合の変形量のシミュレーション結果の一例を示す表である。

【図16】図１４に示した配線部材の配置において、スイッチング素子（ＩＧＢＴ）を発熱させた場合の変形量のシミュレーション結果の一例を示す表である。

【図17】図１５及び図１６に示したシミュレーション結果の最大変形量の一例を示す表である。

【図18】本発明の逆導通型半導体装置の一例を示す断面図である。