発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

図７の従来技術では、補助巻線Ｌ_ａを備えたリアクトルＬを使用しているため汎用部品を使用することができず、コストが高くなるという問題がある。 また、漏洩電流は、スイッチング素子Ｑ_１がゲート信号に従ってオン・オフすることにより発生するが、一般にスイッチング素子Ｑ_１のオン・オフ動作はゲート信号のタイミングより遅れるため、ゲート信号のタイミングと漏洩電流が発生するタイミングとの間には遅延時間がある。
このため、図９の従来技術によって漏洩電流を確実に打ち消すためには、上述した遅延時間を考慮して回路を設計する必要があるが、特許文献２には、その必要性や解決手段が何ら開示されていない。
更に、半導体スイッチング素子のゲート部分はよく知られているようにノイズに極めて敏感であり、図９において、コンデンサＣ_３を介してスイッチング素子Ｑ_１のゲート端子を回路の他の部分に直接接続すると、誤動作や発振、過電圧によるスイッチング素子Ｑ_１の破壊につながる危険が大きい。これを回避するには、ゲートから分離した形で補償電流を発生する手段が必要であり、制御回路の設計が複雑になる問題があった。 そこで、本発明の解決課題は、雑音端子電圧による漏洩電流を打ち消すための補償電流を任意かつ容易に調整可能とすることにある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、回路本体に外付けされた補償回路内の補償コンデンサの充放電電流を制御することにより、雑音端子電圧ひいては漏洩電流を打ち消すための適切なキャンセル電圧を生成して回路に注入することができる。
また、補償回路に、半導体スイッチング素子のオン・オフ動作の遅延時間に応じて補償コンデンサの充放電タイミングを調整する遅延時間設定部を設けることにより、雑音端子電圧を一層確実に抑制することができる。