【図1】本発明の第１の実施の形態に係るＳｉＣ半導体装置の構成の概略を模式的に説明する断面図である。

【図2】第１の実施の形態に係るＳｉＣ半導体装置の製造方法を模式的に説明する工程断面図である（その１）。

【図3】第１の実施の形態に係るＳｉＣ半導体装置の製造方法を模式的に説明する工程断面図である（その２）。

【図4】第１の実施の形態に係るＳｉＣ半導体装置の製造方法を模式的に説明する工程断面図である（その３）。

【図5】第１の実施の形態に係るＳｉＣ半導体装置の製造方法を模式的に説明する工程断面図である（その４）。

【図6】第１の実施の形態に係るＳｉＣ半導体装置の製造方法を模式的に説明する工程断面図である（その５）。

【図7】不純物元素の注入領域の不純物濃度とコンタクト抵抗との関係を模式的に説明するグラフ図である。

【図8】第１の実施の形態に係るＳｉＣ半導体装置の製造方法を模式的に説明する工程断面図である（その６）。

【図9】ＳｉＣへのレーザーアニールにおいて使用される複数のレーザー光の波長を模式的に説明するグラフ図である。

【図10】第１の実施の形態に係るＳｉＣ半導体装置の製造方法を模式的に説明する工程断面図である（その７）。

【図11】第１の実施の形態に係るＳｉＣ半導体装置の製造方法を模式的に説明する工程断面図である（その８）。

【図12】比較例に係るＳｉＣ半導体装置の構成の概略を模式的に説明する断面図である。

【図13】比較例に係るＳｉＣ半導体装置の製造方法を模式的に説明する工程断面図である（その１）。

【図14】比較例に係るＳｉＣ半導体装置の製造方法を模式的に説明する工程断面図である（その２）。

【図15】比較例に係るＳｉＣ半導体装置の製造方法を模式的に説明する工程断面図である（その３）。

【図16】第１の実施の形態の変形例（第１変形例）に係るＳｉＣ半導体装置の製造方法を模式的に説明する工程断面図である。

【図17】本発明の第２の実施の形態に係るＳｉＣ半導体装置の構成の概略を模式的に説明する断面図である。

【図18】第２の実施の形態に係るＳｉＣ半導体装置の製造方法を模式的に説明する工程断面図である（その１）。

【図19】第２の実施の形態に係るＳｉＣ半導体装置の製造方法を模式的に説明する工程断面図である（その２）。

【図20】第２の実施の形態の変形例（第２変形例）に係るＳｉＣ半導体装置の製造方法を模式的に説明する工程断面図である。

【図21】第３の実施の形態に係るＳｉＣ半導体装置の構成の概略を模式的に説明する断面図である。