【図1A】実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す断面図である。

【図1B】図２の切断線Ｂ−Ｂ’における断面構造である。

【図2】実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の平面レイアウトの一例を示す平面図である。

【図3】実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を模式的に示す断面図である（その１）。

【図4】実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を模式的に示す断面図である（その２）。

【図5】実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を模式的に示す断面図である（その３）。

【図6】実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を模式的に示す断面図である（その４）。

【図7】実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を模式的に示す断面図である（その５）。

【図8】実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を模式的に示す断面図である（その６）。

【図9】実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の実施例においてトレンチと第２ｐ⁺型ベース領域との横方向位置にズレが生じた状態の一例を示す断面図である。

【図10】実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の実施例のゲート絶縁膜最大電界強度特性を示す特性図である。

【図11】実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の実施例のオン抵抗特性を示す特性図である。

【図12】実施の形態２にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す断面図である。

【図13】実施の形態２にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を模式的に示す断面図である。

【図14】実施の形態２にかかる炭化珪素半導体装置の実施例と比較例におけるアバランシェ降伏時の電流分布図である。