【図1】本発明の絶縁ゲート型半導体装置の一例を示す断面概略図である。

【図2】図１のＡ−Ａ線における絶縁ゲート型半導体装置の上面図である。

【図3】本発明の絶縁ゲート型半導体装置のユニットセルを説明するための上面概略図である。

【図4】図３のＢ−Ｂ線から垂直に切った活性セル柱の要部断面図である。

【図5】従来の絶縁ゲート型半導体装置の一例を説明するためのユニットセルの要部上面図である。

【図6】図５に示したＣ−Ｃ線から垂直に切った活性セル柱の要部断面図である。

【図7】従来の絶縁ゲート型半導体装置の他の例を説明するためのユニットセルの要部上面図である。

【図8】図７に示したＤ−Ｄ線から垂直に切った活性セル柱の要部断面図である。

【図9】トレンチの側壁面の面方位を説明するための概略図である。

【図10】トレンチの側壁面の面方位を説明するための概略図である。

【図11】トレンチの側壁面の面方位とゲート電圧及び移動度の関係を表すグラフである。

【図12】トレンチ側壁に形成されるチャネル面の回転角度とドレイン電流比との関係を表すグラフである。

【図13】本発明の絶縁ゲート型半導体装置の活性セル柱の配置方位を説明するための平面図である。

【図14】絶縁ゲート型半導体装置の製造方法の一例を説明するための（ａ）上面図、及び（ｂ）断面図である。

【図15】絶縁ゲート型半導体装置の製造方法の一例を説明するための図１４に引き続く（ａ）上面図、及び（ｂ）断面図である。

【図16】絶縁ゲート型半導体装置の製造方法の一例を説明するための図１５に引き続く（ａ）上面図、及び（ｂ）断面図である。

【図17】絶縁ゲート型半導体装置の製造方法の一例を説明するための図１６に引き続く（ａ）上面図、及び（ｂ）断面図である。

【図18】絶縁ゲート型半導体装置の製造方法の一例を説明するための図１７に引き続く（ａ）上面図、及び（ｂ）断面図である。

【図19】絶縁ゲート型半導体装置の製造方法の一例を説明するための図１８に引き続く（ａ）上面図、及び（ｂ）断面図である。

【図20】絶縁ゲート型半導体装置の製造方法の一例を説明するための図１９に引き続く断面図である。

【図21】絶縁ゲート型半導体装置のコンタクト領域とトレンチのレイアウトの一例を示す上面図である。

【図22】絶縁ゲート型半導体装置のコンタクト領域とトレンチのレイアウトの他の例を示す上面図である。

【図23】絶縁ゲート型半導体装置のコンタクト領域とトレンチのレイアウトの他の例を示す上面図である。

【図24】絶縁ゲート型半導体装置のコンタクト領域とトレンチのレイアウトの他の例を示す上面図である。

【図25】実施形態の第１変形例に係る絶縁ゲート型半導体装置の一例を説明するためのユニットセルの要部上面図である。

【図26】実施形態の第１変形例に係る絶縁ゲート型半導体装置の他の例を説明するためのユニットセルの要部上面図である。

【図27】実施形態の第２変形例に係る絶縁ゲート型半導体装置の一例を説明するためのユニットセルの要部上面図である。

【図28】従来の絶縁ゲート型半導体装置の他の例を説明するためのユニットセルの要部上面図である。

【図29】実施形態の第２変形例に係る絶縁ゲート型半導体装置の他の例を説明するためのユニットセルの要部上面図である。

【図30】実施形態の第３変形例に係る絶縁ゲート型半導体装置の一例を説明するためのユニットセルの要部上面図である。

【図31】図３０に示した絶縁ゲート型半導体装置のコンタクト領域とトレンチのレイアウトの一例を示す上面図である。

【図32】チャネル幅をユニットセル面積で割った値と最小加工寸法との関係の一例を示すグラフである。

【図33】チャネル幅をユニットセル面積で割った値と最小加工寸法との関係の他の例を示すグラフである。

【図34】チャネル幅をユニットセル面積で割った値とつぶし幅との関係の一例を示すグラフである。

【図35】つぶし幅を変化させた場合での、チャネル幅をユニットセル面積で割った値と最小加工寸法との関係の一例を示すグラフである。

【図36】ＪＦＥＴ幅を変化させた場合での、チャネル幅をユニットセル面積で割った値と最小加工寸法との関係の一例を示すグラフである。