半導体の微細加工に用いられる酸発生剤用の塩、該塩を含む酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】良好なＣＤ均一性（ＣＤＵ）を有するレジストパターンを製造することができる塩、酸発生剤及びレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩、酸発生剤及びこの酸発生剤を含むレジスト組成物。

［式中、Ｑ^１及びＱ^２はそれぞれフッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ水素原子、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基；ｚは０〜６の整数；Ｘ¹は、＊−ＣＯ−Ｏ−、＊−Ｏ−ＣＯ−、＊−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−等；Ｌ^１、Ｌ^２及びＬ^３はそれぞれ単結合又はアルカンジイル基、該基中の−ＣＨ₂−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい；Ａ^１はの２価の環を表し、該環はアルキル基又はヒドロキシ基を有していてもよい；Ｒ^３及びＲ^４はそれぞれ水素原子又は飽和炭化水素基；Ｒ^５は置換基を有していてもよい環状炭化水素基；Ｚ^＋は有機カチオンを表す。］
【選択図】なし

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