特開 2019-218340出願番号 特願 2019-106414
塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
公報発行日 2019年12月26
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-A-2019-218340 ログイン済みの方はこのURLへ
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技術分野
半導体の微細加工に用いられる酸発生剤用の塩、該塩を含む酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】良好なＣＤ均一性を有するレジストパターンを製造できる塩の提供。【解決手段】下式で表される塩。
［Ｑ１及びＱ２は、それぞれ独立にフッ素原子等を表す。Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に水素原子等を表す。ｚは、０〜６のいずれかの整数を表し、ｚが２以上のとき、複数のＲ１及びＲ２は互いに同一であっても異なってもよい。Ｘ１は、＊−ＣＯ−Ｏ−等を表す。（但し、＊は、Ｃ（Ｒ1）（Ｒ2）又はＣ（Ｑ1）（Ｑ2）との結合手を表す。）Ｘ２は、−Ｏ−又は単結合を表す。Ｌ１は、フッ素原子を有する炭素数１〜３６の２価の炭化水素基等を表す。Ｒ３は、炭素数１〜１２のフッ素化アルキル基を表す。Ｚ＋は、有機カチオンを表す。］
【選択図】なし
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明は、の塩を含有するレジスト組成物から形成されたレジストパターンよりも、良好なＣＤ均一性（ＣＤＵ）でレジストパターンを製造することができる塩を提供することを課題とする。課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明は、以下の発明を含む。
［１］式（Ｉ）で表される塩。
［式（Ｉ）中、
Ｑ１及びＱ２は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
ｚは、０〜６のいずれかの整数を表し、ｚが２以上のとき、複数のＲ１及びＲ２は互いに同一であっても異なって・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
【発明の効果】
本発明の塩を使用したレジスト組成物を用いることにより、良好なＣＤ均一性（ＣＤＵ）でレジストパターンを製造することができる。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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