【解決手段】 実施形態のプリント配線板10は、コア基板30とコア基板を挟む第1ビルドアップ層50Fと第2ビルドアップ層50Sで形成されている。そして、第1ビルドアップ層50Fと第2ビルドアップ層50Sは補強材を有する第1樹脂絶縁層1401と補強材を有していない第2樹脂絶縁層1402とを含む。第1樹脂絶縁層1401を貫通する第1ビア導体601用の第1開口60O1の第1ボトム径b2は第2樹脂絶縁層1402を貫通する第2ビア導体602用の第2開口60O2の第2ボトム径c2より小さい。第1樹脂絶縁層1401上の第1樹脂絶縁層上導体層1581Uの厚みb3と第2樹脂絶縁層1402上の第2樹脂絶縁層上導体層1582Uの厚みc3は略等しい。
請求項2のプリント配線板であって、前記第1ビルドアップ層内でコア基板の直上に形成されている前記樹脂絶縁層(第1面上樹脂絶縁層)は前記第1樹脂絶縁層で形成されている。
請求項8のプリント配線板であって、前記第2ビルドアップ層内でコア基板の直上に形成されている前記樹脂絶縁層(第2面上樹脂絶縁層)は前記第1樹脂絶縁層で形成されている。
【発明を実施するための形態】
【0008】
図1(A)は、実施形態のプリント配線板10の断面図である。
プリント配線板10は、第1面Fと第1面Fと反対側の第2面Sとを有するコア基板30と、コア基板30の第1面F上に形成されている第1ビルドアップ層50Fと、コア基板30の第2面S上に形成されている第2ビルドアップ層50Sとを有する。
図1(A)に示されるように、第1ビルドアップ層50F上に第1ソルダーレジスト層90Fを形成することができる。第2ビルドアップ層50S上に第2ソルダーレジスト層90Sを形成することができる。
【0009】
コア基板30は第1面Fと第1面Fと反対側の第2面Sとを有するコア材20とコア材20の第1面F上に形成されている第1導体層34Fとコア材20の第2面S上に形成されている第2導体層34Sを有する。コア基板30は、さらに、コア材20を貫通するスルーホール導体36を有する。第1導体層34Fと第2導体層34Sはスルーホール導体36を介して接続されている。
【0010】
第1ビルドアップ層50Fと第2ビルドアップ層50Sは、樹脂絶縁層140と導体層158と樹脂絶縁層140を貫通するビア導体60で形成されている。樹脂絶縁層140と導体層158は交互に積層されている。
【0011】
樹脂絶縁層140は2種類の樹脂絶縁層1401、1402を含む。2種類の樹脂絶縁層1401、1402は、補強材を含む第1樹脂絶縁層1401と補強材を含まない第2樹脂絶縁層1402である。第1樹脂絶縁層1401と第2樹脂絶縁層1402の配置や数は自由である。第1ビルドアップ層50F内の第1樹脂絶縁層1401と第2ビルドアップ層50S内の第1樹脂絶縁層1401はコア基板30を介し対象に配置されている。第1ビルドアップ層50F内の第2樹脂絶縁層1402と第2ビルドアップ層50S内の第2樹脂絶縁層1402はコア基板30を介し対象に配置されている。第1ビルドアップ層50F内の第1樹脂絶縁層1401の数と第2ビルドアップ層50S内の第1樹脂絶縁層1401の数は同じである。第1ビルドアップ層50F内の第2樹脂絶縁層1402の数と第2ビルドアップ層50S内の第2樹脂絶縁層1402の数は同じである。
【0012】
図1(A)に示されるプリント配線板10では、コア基板30の第1面F上に6つの樹脂絶縁層140が積層されている。コア基板30の第1面Fの直上に形成されている樹脂絶縁層140は第1面上樹脂絶縁層であり、第1ビルドアップ層内の最外の樹脂絶縁層は最上の樹脂絶縁層である。第1面上樹脂絶縁層はコア材の第1面Fと第1導体層34Fに接している。
第1面上樹脂絶縁層と最上の樹脂絶縁層は第1樹脂絶縁層1401で形成され、第1面上樹脂絶縁層と最上の樹脂絶縁層との間に位置する全ての樹脂絶縁層140が第2樹脂絶縁層1402で形成されると、プリント配線板の反りを小さくすることができる。第1面上樹脂絶縁層と最上の樹脂絶縁層との間に位置する第2樹脂絶縁層1402の数が、3、または、4、または、5であると、反り量を制御することができる。第2樹脂絶縁層1402の数が3であると、反りの方向を制御することができる。そのため、プリント配線板上に電子部品を確実に実装することができる。電子部品とプリント配線板間の接続信頼性を高くすることができる。
【0013】
図1(A)に示されるプリント配線板10では、コア基板30の第2面S上に6つの樹脂絶縁層140が積層されている。コア基板30の第2面Sの直上に形成されている樹脂絶縁層140は第2面上樹脂絶縁層であり、第2ビルドアップ層内の最外の樹脂絶縁層は最下の樹脂絶縁層である。第2面上樹脂絶縁層はコア材の第2面Sと第2導体層34Sに接している。
第2面上樹脂絶縁層と最下の樹脂絶縁層は第1樹脂絶縁層1401で形成され、第2面上樹脂絶縁層と最下の樹脂絶縁層との間に位置する全ての樹脂絶縁層140が第2樹脂絶縁層1402で形成されると、プリント配線板の反りを小さくすることができる。第2面上樹脂絶縁層と最下の樹脂絶縁層との間に位置する第2樹脂絶縁層1402の数が、3、または、4、または、5であると、反りの量を制御することができる。第2樹脂絶縁層1402の数が3であると、反りの方向を制御することができる。そのため、プリント配線板上に電子部品を確実に実装することができる。電子部品とプリント配線板間の接続信頼性を高くすることができる。
【0014】
図1(A)のプリント配線板10では、高い強度を有する第1樹脂絶縁層1401が低い強度を有する第2樹脂絶縁層1402を挟んでいる。そのため、小さな反りを有するプリント配線板を提供することができる。
【0015】
第1面上樹脂絶縁層と最上の樹脂絶縁層との間に位置する樹脂絶縁層140の数と第2面上樹脂絶縁層と最下の樹脂絶縁層との間に位置する樹脂絶縁層140の数は等しい。
【0016】
導体層158は、第1樹脂絶縁層上導体層1581Uと第1樹脂絶縁層下導体層1581Lと第2樹脂絶縁層上導体層1582Uと第2樹脂絶縁層下導体層1582Lとを有する。
【0017】
第1樹脂絶縁層上導体層1581Uは第1樹脂絶縁層1401の直上に形成されていて、第1樹脂絶縁層下導体層1581Lは第1樹脂絶縁層1401の直下に形成されている。第1樹脂絶縁層上導体層1581Uと第1樹脂絶縁層下導体層1581Lは第1樹脂絶縁層1401に接していて、第1樹脂絶縁層1401は第1樹脂絶縁層上導体層1581Uと第1樹脂絶縁層下導体層1581Lで挟まれている。
【0018】
第2樹脂絶縁層上導体層1582Uは第2樹脂絶縁層1402の直上に形成されていて、第2樹脂絶縁層下導体層1582Lは第2樹脂絶縁層1402の直下に形成されている。第2樹脂絶縁層上導体層1582Uと第2樹脂絶縁層下導体層1582Lは第2樹脂絶縁層1402に接していて、第2樹脂絶縁層1402は第2樹脂絶縁層上導体層1582Uと第2樹脂絶縁層下導体層1582Lで挟まれている。
【0019】
図1(A)の例では、第1ビルドアップ層50F層内の導体層158と第2ビルドアップ層50S層内の導体層158は、コア基板上に、第1樹脂絶縁層上導体層1581U、第2樹脂絶縁層上導体層1582U、第2樹脂絶縁層上導体層1582U、第2樹脂絶縁層上導体層1582U、第2樹脂絶縁層上導体層1582U、第1樹脂絶縁層上導体層1581Uの順に積層されている。
【0020】
図1(A)の例では、第1導体層34Fは第1樹脂絶縁層1401下に形成されている。その場合、第1導体層34Fは第1樹脂絶縁層下導体層1581Lを兼ねる。
図1(A)の例では、第2導体層34Sは第1樹脂絶縁層1401下に形成されている。その場合、第2導体層34Sは第1樹脂絶縁層下導体層1581Lを兼ねる。
図1(A)の例では、第1樹脂絶縁層1401上に第2樹脂絶縁層1402が形成されている。その場合、第1樹脂絶縁層上導体層1581Uは第2樹脂絶縁層下導体層1582Lを兼ねる。
図1(A)の例では、第2樹脂絶縁層1402上に第2樹脂絶縁層1402が形成されている。その場合、第2樹脂絶縁層上導体層1582Uは第2樹脂絶縁層下導体層1582Lを兼ねる。
図1(A)の例では、第2樹脂絶縁層1402上に第1樹脂絶縁層1401が形成されている。その場合、第2樹脂絶縁層上導体層1582Uは第1樹脂絶縁層下導体層1581Lを兼ねる。
もし、第1樹脂絶縁層1401上に第1樹脂絶縁層1401が形成されると、第1樹脂絶縁層上導体層1581Uは第1樹脂絶縁層下導体層1581Lを兼ねる。
もし、第1導体層34Fが第2樹脂絶縁層1402下に形成されていると、第1導体層34Fは第2樹脂絶縁層下導体層1582Lを兼ねる。
もし、第2導体層34Sが第2樹脂絶縁層1402下に形成されていると、第2導体層34Sは第2樹脂絶縁層下導体層1582Lを兼ねる。
【0021】
第1ビルドアップ層50F上に第1開口92Fを有する第1ソルダーレジスト層90Fが形成されている。第1開口92Fから露出する導体層158は、電子部品を実装するためのパッド93Fを形成する。パッド93F上にNi/Pd/Auから成る金属膜94Fが形成されている。
【0022】
第2ビルドアップ層50S上に第2開口92Sを有する第2ソルダーレジスト層90Sが形成されている。第2開口92Sから露出する導体層158は、マザーボードと接続するためのパッド93Sを形成する。パッド93S上にNi/Pd/Auから成る金属膜94Sが形成されている。
【0023】
図1(B)は、第1樹脂絶縁層1401と第1樹脂絶縁層上導体層1581Uと第1樹脂絶縁層下導体層1581Lと第1開口60O1と第1ビア導体601を示している。第1樹脂絶縁層1401は第1樹脂絶縁層上導体層1581Uと第1樹脂絶縁層下導体層1581Lで挟まれていて、それらは、第1樹脂絶縁層1401を貫通し第1開口60O1を充填している第1ビア導体601で接続されている。
【0024】
図1(C)は、第2樹脂絶縁層1402と第2樹脂絶縁層上導体層1582Uと第2樹脂絶縁層下導体層1582Lと第2開口60O2と第2ビア導体602を示している。第2樹脂絶縁層1402は第2樹脂絶縁層上導体層1582Uと第2樹脂絶縁層下導体層1582Lで挟まれていて、それらは、第2樹脂絶縁層1402を貫通し第2開口60O2を充填している第2ビア導体602で接続されている。
【0025】
第1樹脂絶縁層上導体層1581Uは、第1樹脂絶縁層1401上の金属箔142と金属箔142上の第1シード層141と第1シード層141上の第1電解めっき膜143で形成されている。第1樹脂絶縁層上導体層1581Uは3種類の金属膜で形成されていて、厚みb3を有する。
【0026】
第2樹脂絶縁層上導体層1582Uは、第2樹脂絶縁層1402上の第2シード層151と第2シード層151上の第2電解めっき膜153で形成されている。第2樹脂絶縁層上導体層1582Uは2種類の金属膜で形成されていて、厚みc3を有する。
【0027】
第1樹脂絶縁層上導体層1581Uは金属箔を含み、第2樹脂絶縁層上導体層1582Uは金属箔を含んでいない。そのため、厚みb3と厚みc3を同じ厚みにすることは簡単でない。例えば、厚みb3は厚みb2より大きい。厚みb3と厚みb2が異なると、例えば、プリント配線板内で高い強度を有する導体層と低い強度を有する導体層が存在する。プリント配線板の反りが大きくなりやすい。
【0028】
図1(B)に示されるように、第1樹脂絶縁層1401は補強材140eと樹脂と無機粒子で形成されている。それに対し、
図1(C)に示されるように、第2樹脂絶縁層1402は樹脂と無機粒子で形成されている。第2樹脂絶縁層1402は補強材140eを有していない。第1樹脂絶縁層1401の強度は第2樹脂絶縁層1402の強度より高い。
【0029】
第1樹脂絶縁層1401は第1ビア導体601用の第1開口60O1と厚みb4を有する。厚みb4は、第1樹脂絶縁層上導体層1581Uと第1樹脂絶縁層下導体層1581Lとの間の距離である。
【0030】
図1(B)に示されるように、第1開口60O1は第1樹脂絶縁層上導体層1581Uと第1樹脂絶縁層1401との間の界面に第1トップ径b1を有する。第1開口60O1は第1樹脂絶縁層下導体層1581Lと第1樹脂絶縁層1401との間の界面に第1ボトム径b2を有する。第1開口60O1は第1樹脂絶縁層上導体層1581Uから第1樹脂絶縁層下導体層1581Lに向かって細くなっている。第1トップ径b1は第1ボトム径b2より大きい。
【0031】
図1(C)に示されるように、第2樹脂絶縁層1402は第2ビア導体602用の第2開口60O2と厚みc4を有する。厚みc4は第2樹脂絶縁層上導体層1582Uと第2樹脂絶縁層下導体層1582Lとの間の距離である。
【0032】
図1(C)に示されるように、第2開口60O2は第2樹脂絶縁層上導体層1582Uと第2樹脂絶縁層1402との間の界面に第2トップ径c1を有する。第2開口60O2は第2樹脂絶縁層下導体層1582Lと第2樹脂絶縁層1402との間の界面に第2ボトム径c2を有する。第2開口60O2は第2樹脂絶縁層上導体層1582Uから第2樹脂絶縁層下導体層1582Lに向かって細くなっている。第2トップ径c1は第2ボトム径c2より大きい。
【0033】
第1トップ径b1と第2トップ径c1は略等しい。第1トップ径b1と第2トップ径との比(b1/c1)は、0.92以上、1.08以下である。第1ボトム径b2は第2ボトム径c2より小さい。開口60O1、60O2のトップ径とボトム径によりビア導体用の開口60O1、60O2の体積を調整することができる。第1ボトム径b2を第2ボトム径c2より小さくすることで、第1開口60O1の体積を小さくすることができる。例えば、第1開口60O1の体積を第2開口60O2の体積より小さくすることができる。
【0034】
図1(B)と
図6(A)に示されるように、第1開口60O1内に補強材140eが入り込んでいる。第1樹脂絶縁層1401を形成している補強材140eは第1開口60O1の側壁を越えて第1開口60O1内に延びている。補強材140eは第1開口60O1内で連続していない。例えば、第1開口60O1を形成するためのレーザ光のエネルギーを弱くすることで、第1開口60O1内に補強材140eが入り込む。補強材140eは繊維で形成されていて、ガラスクロスが好ましい。
【0035】
第1開口60O1内に突出している補強材140eにより第1開口60O1の体積を調整することができる。第1開口60O1内に補強材140eを突出させることで、第1開口60O1の体積を小さくすることができる。例えば、第1開口60O1の体積を第2開口60O2の体積より小さくすることができる。
【0036】
第1ビア導体601は第1開口60O1を充填している。第1ビア導体601は、第1樹脂絶縁層上導体層1581Uと第1ビア導体601との間の界面に第1トップ径b1を有し、第1樹脂絶縁層下導体層1581Lと第1ビア導体601との間の界面に第1ボトム径b2を有する。第1ビア導体601の第1ボトム径b2と第1開口60O1の第1ボトム径b2は同じであり、第1ビア導体601の第1トップ径b1と第1開口60O1の第1トップ径b1は同じである。第1樹脂絶縁層下導体層1581Lと第1ビア導体601との間の界面と第1樹脂絶縁層下導体層1581Lと第1樹脂絶縁層1401との間の界面は同じ面である。第1樹脂絶縁層上導体層1581Uと第1ビア導体601との間の界面と第1樹脂絶縁層上導体層1581Uと第1樹脂絶縁層1401との間の界面は同じ面である。
【0037】
図1(B)に示されるように、第1ビア導体601内に補強材が入り込んでいる。第1ビア導体601に補強材が刺さっている。
【0038】
第2ビア導体602は第2開口60O2を充填している。第2ビア導体602は、第2樹脂絶縁層上導体層1582Uと第2ビア導体602との間の界面に第2トップ径c1を有し、第2樹脂絶縁層下導体層1582Lと第2ビア導体602との間の界面に第2ボトム径c2を有する。第2ビア導体602の第2ボトム径c2と第2開口60O2の第2ボトム径c2は同じであり、第2ビア導体602の第2トップ径c1と第2開口60O2の第2トップ径c1は同じである。第2樹脂絶縁層下導体層1582Lと第2ビア導体602との間の界面と第2樹脂絶縁層下導体層1582Lと第2樹脂絶縁層1402との間の界面は同じ面である。第2樹脂絶縁層上導体層1582Uと第2ビア導体602との間の界面と第2樹脂絶縁層上導体層1582Uと第2樹脂絶縁層1401との間の界面は同じ面である。
【0039】
第1ビア導体601は第1シード層141と第1シード層141上の第1電解めっき膜143で形成されている。第1電解めっき膜143により、第1開口60O1の大部分が充填される。第1シード層141は第1開口60O1から露出する第1樹脂絶縁層下導体層1581Lと第1樹脂絶縁層1401に接している。
第1樹脂絶縁層上導体層1581Uを形成している第1シード層141と第1ビア導体601を形成している第1シード層141は共通であって、両者は同時に形成されている。第1樹脂絶縁層上導体層1581Uを形成している第1電解めっき膜143と第1ビア導体601を形成している第1電解めっき膜143は共通であって、両者は同時に形成されている。第1樹脂絶縁層上導体層1581Uと第1ビア導体601は一体的に形成されている。そのため、第1開口60O1を充填するための第1電解めっき膜143の量は第1電解めっき膜143の厚みに関係している。第1開口60O1を充填するための第1電解めっき膜143の量を小さくすることで、第1樹脂絶縁層上導体層1581Uの厚みb3を薄くすることができる。
【0040】
第2ビア導体602は第2シード層151と第2シード層151上の第2電解めっき膜153で形成されている。第2電解めっき膜153により、第2開口60O2の大部分が充填される。第2シード層151は第2開口60O2から露出する第2樹脂絶縁層下導体層1582Lと第2樹脂絶縁層1402に接している。
第2樹脂絶縁層上導体層1582Uを形成している第2シード層151と第2ビア導体602を形成している第2シード層151は共通であって、両者は同時に形成されている。第2樹脂絶縁層上導体層1582Uを形成している第2電解めっき膜153と第2ビア導体602を形成している第2電解めっき膜153は共通であって、両者は同時に形成されている。第2樹脂絶縁層上導体層1582Uと第2ビア導体602は一体的に形成されている。そのため、第2開口60O2を充填するための第2電解めっき膜153の量は第2樹脂絶縁層上導体層1582Uを形成する第2電解めっき膜153の厚みに関係している。第2開口60O2を充填するための第2電解めっき膜153の量を大きくすることで、第2樹脂絶縁層上導体層1582Uの厚みc3を厚くすることができる。
【0041】
第1樹脂絶縁層上導体層1581Uは金属箔を含み、第2樹脂絶縁層上導体層1582Uは金属箔を含んでいない。第1樹脂絶縁層上導体層1581Uだけが金属箔を含む。そのため、第1樹脂絶縁層上導体層1581Uの厚みb3は第2樹脂絶縁層上導体層1582Uの厚みc3より厚くなりやすい。しかしながら、実施形態では、第1ボトム径b2が第2ボトム径c2より小さい。そのため、第1樹脂絶縁層上導体層1581Uと同時に形成される第1ビア導体601用の第1開口60O1の体積を小さくすることができる。第2樹脂絶縁層上導体層1582Uと同時に形成される第2ビア導体602用の第2開口60O2の体積を大きくすることができる。従って、第1樹脂絶縁層上導体層1581Uを形成する第1電解めっき膜143の厚み薄くすることができる。第2樹脂絶縁層上導体層1582Uを形成する第2電解めっき膜153の厚みを厚くすることができる。それ故、第1樹脂絶縁層上導体層1581Uだけが金属箔を含んでも、第1樹脂絶縁層上導体層1581Uの厚みと第2樹脂絶縁層上導体層1582Uの厚みを略等しくすることができる。
【0042】
第1開口60O1が開口内に補強材を有し、第2開口60O2が開口内に補強材を有していない。そのため、補強材により第1開口60O1の体積を調整することができる。補強材により第1開口60O1の体積を小さくすることができる。そのため、補強材140eにより第1樹脂絶縁層上導体層1581Uを形成する第1電解めっき膜143の厚みを調整することができる。開口のボトム径の調整と補強材の突出を組み合わせることで、第1樹脂絶縁層上導体層1581Uの厚みb3を第2樹脂絶縁層上導体層1582Uの厚みc3に近づけることがすることができる。
【0043】
第1ビア導体601内に補強材が入り込むと、第1ビア導体601を形成するための第1電解めっき膜143の量を少なくすることができる。そのため、第1樹脂絶縁層上導体層1581Uを形成する第1電解めっき膜143の厚みを薄くすることができる。従って、第1樹脂絶縁層上導体層1581Uが金属箔142を有しても、第1樹脂絶縁層上導体層1581Uの厚みb3を薄くすることができる。
【0044】
ボトム径の調整とビア導体に補強材を突き刺すことを組み合わせることで、第1ビア導体601と第2ビア導体602の体積を調整することができる。第1電解めっき膜143の厚みと第2電解めっき膜153の厚みを調整することができる。第1樹脂絶縁層上導体層1581Uの厚みb3と第2樹脂絶縁層上導体層1582Uの厚みc3がほぼ等しい。
【0045】
図6(C)に示されるように、第1樹脂絶縁層上導体層1581Uを形成する金属箔142は第1開口60O1上に突出部Pを有することができる。例えば、第1開口60O1を形成するためのレーザ光のエネルギーを弱くすることで、突出部Pを形成することができる。突出部Pにより、第1樹脂絶縁層上導体層1581Uを形成する電解めっき膜143の厚みを薄くすることができる。そのため、第1樹脂絶縁層上導体層1581Uの厚みb3と第2樹脂絶縁層上導体層1582Uの厚みc3との比(厚みb3/厚みc3)を1に近づけることができる。
【0046】
実施形態のプリント配線板は異なる樹脂絶縁層と異なる導体層を有するが、各導体層の厚みが略等しい。例えば、第1樹脂絶縁層上導体層1581Uの強度と第2樹脂絶縁層上導体層1582Uの強度の差を小さくすることができる。そのため、プリント配線板の反りを小さくすることができる。プリント配線板の反りの向きを制御することができる。高密度な導体回路を第1樹脂絶縁層上導体層1581Uに形成することができる。高密度な導体回路を第2樹脂絶縁層上導体層1582Uに形成することができる。設計の自由度が高いので、インピーダンス整合が容易になる。
【0047】
第1ビア導体601のトップ径b1は40μm以上、70μm以下である。第2ビア導体602のトップ径c1は40μm以上、70μm以下である。第1樹脂絶縁層上導体層1581Uの厚みb3は10μm以上、20μm以下である。第2樹脂絶縁層上導体層1582Uの厚みc3は10μm以上、20μm以下である。実施形態のプリント配線板がこのような数値範囲を有すると、ほぼ平坦なプリント配線板を提供することができる。
【0048】
厚みb4と厚みc4は略等しい。厚みb4と厚みc4との比(b4/c4)は、0.9以上、1.1以下である。第1ボトム径b2を第2ボトム径c2より小さくすることで、第1開口60O1の体積と第2開口60O2の体積を調整することができる。厚みb3と厚みc3をほぼ同じ厚みにすることができる。比(b2/c2)は、0.7以上、0.9以下である。
【0049】
比(b4/c4)が1.25以上であると、第1開口60O1の体積と第2開口60O2の体積の差が大きくなりやすい。第1開口60O1の体積と第2開口60O2の体積との差を小さくするため、第1開口60O1のボトム径b2は第2開口60O2のボトム径c2より小さい。さらに、比(b4/c4)が1.35以下であって、第1開口60O1内に補強材が突出すると、第1開口60O1の体積と第2開口60O2の体積との差が小さくなる。さらに、第1開口60O1上に金属箔の突出部Pが形成されると、第1開口60O1の体積と第2開口60O2の体積との差を小さくすることができる。比(b4/c4)が1.25以上、1.35以下であっても、厚みb3と厚みc3をほぼ同じ厚みにすることができる。
【0050】
厚みb3と厚みc3は略等しい。厚みb3と厚みc3との比(b3/c3)は、0.92以上、1.08以下である。プリント配線板10の反りを小さくすることができる。
【0051】
[実施形態の改変例]
実施形態の別例が
図6(D)と
図6(E)、
図6(F)に示されている。
図6(D)と
図6(E)、
図6(F)は模式図であって、第1樹脂絶縁層1401と第2樹脂絶縁層1402の配置を示している。これらの図では、スルーホール導体とビア導体、導体層、ソルダーレジスト層は省略されている。
図6(D)の例では、コア基板30上に第1樹脂絶縁層1401、第2樹脂絶縁層1402、第2樹脂絶縁層1402、第2樹脂絶縁層1402、第1樹脂絶縁層1401の順で樹脂絶縁層140が積層されている。
図6(E)の例では、コア基板30上に第1樹脂絶縁層1401、第2樹脂絶縁層1402、第2樹脂絶縁層1402、第2樹脂絶縁層1402、第2樹脂絶縁層1402、第2樹脂絶縁層1402、第1樹脂絶縁層1401の順で樹脂絶縁層140が積層されている。
図6(F)の例では、コア基板30上に第1樹脂絶縁層1401、第2樹脂絶縁層1402、第1樹脂絶縁層1401、第2樹脂絶縁層1402、第1樹脂絶縁層1401の順で樹脂絶縁層140が積層されている。
【0052】
[実施形態の製造方法]
図2〜
図5は実施形態のプリント配線板10の製造方法を示す。
第1面Fと第1面Fと反対側の第2面Sとを有するコア材20とコア材20の両面に積層されている銅箔とからなる両面銅張り積層板が用意される。両面銅張り積層板にスルーホール導体用の貫通孔28が形成される。スルーホール導体用の貫通孔28にスルーホール導体36が形成される。その後、サブトラクティブ法で、コア材20の第1面F上に第1導体層34Fが形成される。コア材20の第2面S上に第2導体層34Sが形成され、コア基板30が完成する(
図2(A))。
【0053】
続いて、第1ビルドアップ層50Fの形成方法だけが示される。なぜなら、第2ビルドアップ層50Sは第1ビルドアップ層50Fと同じ方法で形成されるからである。第1ビルドアップ層50F内の第1樹脂絶縁層1401の形成方法と第2ビルドアップ層50S内の第1樹脂絶縁層1401の形成方法は同様である。第1ビルドアップ層50F内の第2樹脂絶縁層1402の形成方法と第2ビルドアップ層50S内の第2樹脂絶縁層1402の形成方法は同様である。第1ビルドアップ層50F内の第1樹脂絶縁層上導体層1581Uの形成方法と第2ビルドアップ層50S内の第1樹脂絶縁層上導体層1581Uの形成方法は同様である。第1ビルドアップ層50F内の第2樹脂絶縁層上導体層1582Uの形成方法と第2ビルドアップ層50S内の第2樹脂絶縁層上導体層1582Uの形成方法は同様である。第1ビルドアップ層50F内の第1開口60O1の形成方法と第2ビルドアップ層50S内の第1開口60O1の形成方法は同様である。第1ビルドアップ層50F内の第2開口60O2の形成方法と第2ビルドアップ層50S内の第2開口60O2の形成方法は同様である。第1ビルドアップ層50F内の第1ビア導体601の形成方法と第2ビルドアップ層50S内の第1ビア導体601の形成方法は同様である。第1ビルドアップ層50F内の第2ビア導体602の形成方法と第2ビルドアップ層50S内の第2ビア導体602の形成方法は同様である。
【0054】
コア基板30の第1面F上にプリプレグが積層される。さらに、プリプレグ上に銅箔142が積層される。プリプレグはガラスクロスと樹脂とシリカ粒子で形成されている。加熱プレスにより、プリプレグが硬化する。第1面F上に第1樹脂絶縁層1401が形成される。同時に、銅箔142が第1樹脂絶縁層1401に接着する(
図2(B))。第1面F上の第1樹脂絶縁層1401は第1面上樹脂絶縁層である。コア基板30の第2面S上に第1樹脂絶縁層1401からなる第2面上樹脂絶縁層が形成される。第1面上樹脂絶縁層の厚みb4は30μmである。第2面上樹脂絶縁層の厚みb4も30μmである。
【0055】
レーザにより、銅箔142と第1面上樹脂絶縁層1401を貫通し第1導体層34Fに至る第1開口60O1が形成される(
図2(C))。第1開口60O1は、レーザ光を2度照射することで形成される。第1開口60O1の第1トップ径b1は65μmである。第1開口60O1の第1ボトム径b2は45μmである。
図6(A)に示されるように、補強材140eが第1開口60O1内に入り込んでいる。
図6(C)に示されるように、銅箔等の金属箔142で形成される突出部Pが第1開口60O1上に形成されても良い。
【0056】
銅箔142と第1開口60O1の内壁上に無電解銅めっきにより第1シード層141が形成される(
図2(D))。第1シード層141は無電解めっき膜で形成されている。
【0057】
第1シード層141上にめっきレジスト145が形成される。めっきレジスト145から露出する第1シード層141上に電解めっきにより第1電解めっき膜143が形成される。同時に、第1開口60O1が第1電解めっき膜143で充填される(
図3(B))。めっきレジスト145が除去される。第1電解めっき膜143から露出する第1シード層141と銅箔142が除去される。第1面上樹脂絶縁層1401上に第1樹脂絶縁層上導体層1581Uが形成される。同時に、第1開口60O1に第1ビア導体601が形成される(
図3(B))。第1樹脂絶縁層上導体層1581Uの厚みb3は15.5μmである。
【0058】
第1面上樹脂絶縁層1401と第1樹脂絶縁層上導体層1581U上に第2樹脂絶縁層1402が形成される。第2樹脂絶縁層1402の厚みc4は30μmである。レーザで第2樹脂絶縁層1402を貫通し第1樹脂絶縁層上導体層1581Uに至る第2開口60O2が形成される。第2開口60O2は、レーザ光を3度照射することで形成される。第1開口60O1と第2開口60O2を形成するためのレーザ光のエネルギーや径は同じである。第2開口60O2の第2トップ径c1は65μmである。第2開口60O2の第2ボトム径c2は50μmである。径c1と径c2は
図6(B)に示されている。
【0059】
第2樹脂絶縁層1402と第2開口60O2の内壁上に無電解めっきにより無電解めっき膜からなる第2シード層151が形成される(
図3(C))第2シード層151上にめっきレジスト155が形成される。めっきレジスト155から露出する第2シード層151上に電解めっきにより第2電解めっき膜153が形成される。同時に、第2開口60O2が第2電解めっき膜153で充填される(
図4(A))。めっきレジスト155が除去される。第2電解めっき膜153から露出する第2シード層151が除去される。第2樹脂絶縁層1402上に第2樹脂絶縁層上導体層1582Uが形成される。同時に、第2開口60O2に第2ビア導体602が形成される(
図4(B))。第2樹脂絶縁層上導体層1582Uの厚みc3は16.0μmである。
【0060】
図4(B)に示される第2樹脂絶縁層1402と第2樹脂絶縁層上導体層1582U上に第2樹脂絶縁層1402の形成と第2樹脂絶縁層上導体層1402の形成が3回繰り返される(
図5(A))。第2樹脂絶縁層1402の形成は第2開口60O2の形成を含む。第2樹脂絶縁層上導体層1402の形成は第2ビア導体602の形成を含む。
各第2樹脂絶縁層1402の厚みc4は30μmである。各第2樹脂絶縁層上導体層1582Uの厚みc3は16.0μmである。各第2開口60O2の第2トップ径c1は65μmである。各第2開口60O2の第2ボトム径c2は50μmである。
【0061】
次に、第2樹脂絶縁層1402と第2樹脂絶縁層上導体層1582U上に
図2(B)と
図2(C)、
図2(D)、
図3(A)、
図3(B)に示される工程が順に行われる。第2樹脂絶縁層1402と第2樹脂絶縁層上導体層1582U上に第1樹脂絶縁層(最上の樹脂絶縁層)1401と最上の樹脂絶縁層上の第1樹脂絶縁層上導体層(最上の導体層)1581Uが形成される。最上の樹脂絶縁層を貫通し第1樹脂絶縁層上導体層1581Uと第2樹脂絶縁層上導体層1402を接続する第1ビア導体601が最上の樹脂絶縁層に形成される。この時、最下の樹脂絶縁層1401と最下の樹脂絶縁層1401上の第1樹脂絶縁層上導体層(最下の導体層)1581Uが形成される。最下の樹脂絶縁層1401を貫通し第1樹脂絶縁層上導体層1581Uと第2樹脂絶縁層上導体層1582Uを接続する第1ビア導体601が最下の樹脂絶縁層1401に形成される(
図5(B))。
最上の樹脂絶縁層1401の厚みb4と最下の樹脂絶縁層1401の厚みb4は30μmである。第1開口60O1の第1トップ径b1は65μmである。第1開口60O1の第1ボトム径b2は45μmである。最上の導体層の厚みb3と最下の導体層の厚みb3は15.5μmである。
【0062】
最上の樹脂絶縁層1401と最上の導体層1581U上に第1開口92Fを有する第1ソルダーレジスト層90Fが形成される。最下の樹脂絶縁層1401と最下の導体層1581U上に第2開口92Sを有する第2ソルダーレジスト層90Sが形成される。第1開口92Fから露出する最上の導体層1581Uは、電子部品と接続するためのパッド93Fを形成する。第2開口92Sから露出する最下の導体層1581Uは、マザーボードと接続するためのパッド93Sを形成する。パッド93F上にNi/Pd/Auから成る金属膜94Fが形成される。パッド93S上に金属膜94Fが形成され、プリント配線板10が完成する(
図1(A))。