特開2019-220666(P2019-220666A)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特開2019-220666半導体素子形成サファイア基板、及び前記半導体素子形成サファイア基板の製造方法、並びに前記半導体素子の転写方法
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