特開 2019-72763 レーザー加工方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】特開2019-72763(P2019-72763A)

(43)【公開日】2019年5月16日

(54)【発明の名称】レーザー加工方法

(51)【国際特許分類】

   B23K 26/384 20140101AFI20190419BHJP

   B23K 26/082 20140101ALI20190419BHJP

   B23K 26/00 20140101ALI20190419BHJP

【ＦＩ】

   B23K26/384

   B23K26/082

   B23K26/00 P

【審査請求】未請求

【請求項の数】12

【出願形態】ＯＬ

【全頁数】19

(21)【出願番号】特願2018-178212(P2018-178212)

(22)【出願日】2018年9月25日

(31)【優先権主張番号】10-2017-0131659

(32)【優先日】2017年10月11日

(33)【優先権主張国】KR

(71)【出願人】

【識別番号】510223380

【氏名又は名称】エーピー システムズ インコーポレイテッド

(74)【代理人】

【識別番号】110001427

【氏名又は名称】特許業務法人前田特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】ソン トンヨン

(72)【発明者】

【氏名】パク ジョンカプ

(72)【発明者】

【氏名】キム チウ

【テーマコード（参考）】

4E168

【Ｆターム（参考）】

4E168AD12

4E168CA13

4E168CA15

4E168CB04

4E168CB07

4E168DA32

4E168DA43

4E168EA15

4E168JA02

4E168JB01

4E168KA04

4E168KA08

(57)【要約】

【課題】 被加工対象物の加工誤りを低減することのできるレーザー加工方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るレーザー加工方法は、被加工対象物の上に加工領域を設定する過程と、前記被加工対象物の加工領域のうち、１次加工領域にレーザービームを１次的に照射する過程と、前記被加工対象物の加工領域のうち、２次加工領域に、１次照射とは異なる照射条件で、前記レーザービームを２次照射する過程と、を含む。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

被加工対象物の上に加工領域を設定する過程と、
前記被加工対象物の加工領域のうち、１次加工領域にレーザービームを１次照射する過程と、
前記被加工対象物の加工領域のうち、２次加工領域に、１次照射とは異なる照射条件で、前記レーザービームを２次照射する過程と、
を含むレーザー加工方法。

【請求項2】

前記２次加工領域は、前記１次加工領域内に含まれる請求項１に記載のレーザー加工方法。

【請求項3】

前記レーザービームを１次照射する過程と、前記レーザービームを２次照射する過程とにおいては、同じ座標系を用いて、前記１次加工領域及び前記２次加工領域にそれぞれ前記レーザービームを照射する請求項１に記載のレーザー加工方法。

【請求項4】

前記レーザービームを１次照射する過程及び前記レーザービームを２次照射する過程においては、前記被加工対象物の長軸と平行なスキャンラインと、前記被加工対象物の短軸と平行なステップラインとを有するスキャン経路に沿って前記レーザービームの照射位置を移動させながら前記加工領域をスキャンする請求項１に記載のレーザー加工方法。

【請求項5】

前記レーザービームを１次照射する過程と、前記レーザービームを２次照射する過程とにおいては、同じスキャン経路に沿って前記加工領域をスキャンし、前記１次加工領域と前記２次加工領域とにおいてそれぞれ前記レーザービームを活性化させる請求項４に記載のレーザー加工方法。

【請求項6】

前記レーザービームを１次照射する過程においては、複数本の前記スキャンラインをスキャンして前記１次加工領域を加工し、
前記レーザービームを２次照射する過程においては、複数本の前記スキャンラインのうち、前記１次加工領域の中央部を通過する前記スキャンラインのみをスキャンして前記２次加工領域を加工する請求項４に記載のレーザー加工方法。

【請求項7】

前記レーザービームを２次照射する過程においては、
前記レーザービームの強さが、前記レーザービームを１次照射する過程よりも大きいか、あるいは、
前記レーザービームの移動速度と、前記スキャンラインでの前記レーザービームのスキャンピッチとが、前記レーザービームを１次照射する過程よりも小さい請求項４に記載のレーザー加工方法。

【請求項8】

前記レーザービームを１次照射する過程において、
前記１次加工領域の中央部は、前記レーザービームによる領域別のエネルギー累積が一定しており、
前記１次加工領域の周縁部は、前記レーザービームによる領域別のエネルギー累積が、前記１次加工領域の中央部に近いほど大きい請求項１に記載のレーザー加工方法。

【請求項9】

前記２次加工領域は、前記１次加工領域の中央部と重なり合い、
前記レーザービームを２次照射する過程においては、前記２次加工領域の前記レーザービームによる領域別のエネルギー累積が一定している請求項１に記載のレーザー加工方法。

【請求項10】

前記レーザービームを１次照射する過程においては、加工深さが一定になるように前記１次加工領域の中央部を加工し、前記１次加工領域の中央部に近づくにつれて加工深さが深くなるように前記１次加工領域の周縁部を加工し、
前記レーザービームを２次照射する過程においては、前記被加工対象物が貫通されるように前記２次加工領域を加工する請求項１に記載のレーザー加工方法。

【請求項11】

前記加工領域のうち、加工孔の形成有無を確認する過程を更に含み、
前記レーザービームを２次照射する過程においては、前記加工孔の形成有無を確認する過程において前記加工孔が形成されていない前記加工領域に前記レーザービームを照射する請求項１に記載のレーザー加工方法。

【請求項12】

前記加工孔の形成有無を確認する過程においては、高さセンサー、イメージセンサー、光センサー、及びレーザーセンサーのうちの少なくともいずれか一つを用いて、前記加工孔の形成有無を確認する請求項１１に記載のレーザー加工方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、レーザー加工方法に係り、更に詳しくは、被加工対象物の加工誤りを低減することのできるレーザー加工方法に関する。

【背景技術】

【0002】

能動型有機発光ダイオード（Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ；ＡＭＯＬＥＤ）の製作に際して、真空蒸着工程を行って複数の有機物を蒸着する。また、ＲＧＢ（Ｒｅｄ、Ｇｒｅｅｎ、Ｂｌｕｅ）のピクセル（ｐｉｘｅｌ）別に異なる有機物を蒸着しなければならないが、このとき、所望のピクセルにのみ所望の有機物を蒸着し、その他の領域には有機物が蒸着されないようにスクリーンマスクの役割を担うのが微細金属マスク（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ；ＦＭＭ）である。

【0003】

一般に、微細金属マスクの製作に際しては、ウェットエッチング（Ｗｅｔ ｅｔｃｈｉｎｇ）方式を用いて微細金属マスクに有機物を蒸着するための開口部（ｈｏｌｅ）を形成していた。ところが、有機発光ダイオードのサイズ（ｓｉｚｅ）が大きくなるにつれて、かつ、解像度が高くなるにつれて、ウェットエッチング方式で微細金属マスクを製作する場合、微細金属マスクの大きさ及び微細金属マスクに形成された開口部の精密度に対する限界が生じる。

【0004】

また、微細金属マスクは、熱膨張係数が非常に低いため、インバー（ＩＮＶＡＲ）素材を主として用いる。しかしながら、５００ＰＰＩ以上の高解像度のパネルを作製するためには、２０μｍ以下の厚さを有する微細金属マスクを用いることを余儀なくされるため、圧延方式でインバー素材を作らなければならず、インバー素材は、圧延方式で作るとき、±５％の厚さのバラツキが生じてしまう。このような厚さのバラツキは、他の部分よりも相対的に厚い部分に開口部が形成されないなど、微細金属マスクに形成された開口部の精密度に影響を及ぼすため、インバー素材の厚さのバラツキによる加工誤りを低減する方法が求められている。

【0005】

従来には、インバー素材の厚さのバラツキによる加工誤りを低減するために、１次エッチングが行われた面の反対の面（又は、対向面）にウェットエッチング方式で２次エッチングを行って、相対的に厚い厚さにより開口部が形成されていない部分に開口部を形成していた。しかしながら、このような方法は、２次エッチングが行われる面に傾斜した盛り上がりができてしまい、盛り上がりにより有機物の蒸着に際してシャドウ（Ｓｈａｄｏｗ）の発生を引き起こす虞があり、両面エッチングによる位置ずれ（ｍｉｓａｌｉｇｎ）に起因して開口部の形状にばらつきが生じる虞もある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】大韓民国特許公開第１０−２０１１−００１３２４４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

本発明は、互いに異なる照射条件の２段階にわたってレーザービームを照射して、被加工対象物の領域別の厚さの偏差による加工誤りを低減することのできるレーザー加工方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明の一実施形態に係るレーザー加工方法は、被加工対象物の上に加工領域を設定する過程と、前記被加工対象物の加工領域のうち、１次加工領域にレーザービームを１次照射する過程と、前記被加工対象物の加工領域のうち、２次加工領域に、１次照射とは異なる照射条件で、前記レーザービームを２次照射する過程と、を含むことを特徴とする。

【0009】

前記２次加工領域は、前記１次加工領域内に含まれてもよい。

【0010】

前記レーザービームを１次照射する過程と、前記レーザービームを２次照射する過程とにおいては、同じ座標系を用いて、前記１次加工領域及び前記２次加工領域にそれぞれ前記レーザービームを照射してもよい。

【0011】

前記レーザービームを１次照射する過程及び前記レーザービームを２次照射する過程においては、前記被加工対象物の長軸と平行なスキャンラインと、前記被加工対象物の短軸と平行なステップラインとを有するスキャン経路に沿って前記レーザービームの照射位置を移動させながら前記加工領域をスキャンしてもよい。

【0012】

前記レーザービームを１次照射する過程と、前記レーザービームを２次照射する過程とにおいては、同じスキャン経路に沿って前記加工領域をスキャンし、前記１次加工領域と前記２次加工領域とにおいてそれぞれ前記レーザービームを活性化させてもよい。

【0013】

前記レーザービームを１次照射する過程においては、複数本の前記スキャンラインをスキャンして前記１次加工領域を加工し、前記レーザービームを２次照射する過程においては、複数本の前記スキャンラインのうち、前記１次加工領域の中央部を通過する前記スキャンラインのみをスキャンして前記２次加工領域を加工してもよい。

【0014】

前記レーザービームを２次照射する過程においては、前記レーザービームの強さが、前記レーザービームを１次照射する過程よりも大きいか、あるいは、前記レーザービームの移動速度と、前記スキャンラインでの前記レーザービームのスキャンピッチとが、前記レーザービームを１次照射する過程よりも小さくてもよい。

【0015】

前記レーザービームを１次照射する過程において、前記１次加工領域の中央部は、前記レーザービームによる領域別のエネルギー累積が一定しており、前記１次加工領域の周縁部は、前記レーザービームによる領域別のエネルギー累積が、前記１次加工領域の中央部に近いほど大きくてもよい。

【0016】

前記２次加工領域は、前記１次加工領域の中央部と重なり合い、前記レーザービームを２次照射する過程においては、前記２次加工領域の前記レーザービームによる領域別のエネルギー累積が一定していてもよい。

【0017】

前記レーザービームを１次照射する過程においては、加工深さが一定になるように前記１次加工領域の中央部を加工し、前記１次加工領域の中央部に近づくにつれて加工深さが深くなるように前記１次加工領域の周縁部を加工し、前記レーザービームを２次照射する過程においては、前記被加工対象物が貫通されるように前記２次加工領域を加工してもよい。

【0018】

前記レーザー加工方法は、前記加工領域のうち、加工孔の形成有無を確認する過程を更に含み、前記レーザービームを２次照射する過程においては、前記加工孔の形成有無を確認する過程において前記加工孔が形成されていない前記加工領域に前記レーザービームを照射してもよい。

【0019】

前記加工孔の形成有無を確認する過程においては、高さセンサー、イメージセンサー、光センサー、レーザーセンサーのうちの少なくともいずれか一つを用いて、前記加工孔の形成有無を確認してもよい。

【発明の効果】

【0020】

本発明の実施形態に係るレーザー加工方法は、互いに異なる照射条件の２段階にわたってレーザービームを加工領域に照射して被加工対象物を加工することで、被加工対象物の領域別の厚さの偏差による影響（又は、加工誤り）により被加工対象物に対する加工が不完全に行われる部分（すなわち、加工孔が形成されていない部分）ができてしまうという問題を解消することができる。

【0021】

また、２次加工領域の面積を１次加工領域の面積よりも小さくすることで、２段階にわたっての加工にも拘わらず、加工孔の周りへの影響を無くすことができ、レーザービームを２次照射するとき、レーザービームの強さ、レーザービームの移動速度、レーザービームのスキャンピッチなどをレーザービームを１次照射するときと異ならせて設定して、加工孔のうち相対的に厚い厚さによる盛り上がり部の内側面を垂直にできて、内側面が傾斜した盛り上がり部よりもシャドウ（Ｓｈａｄｏｗ）の発生を低減することができる。

【0022】

更に、本発明においては、被加工対象物の片面に対して２段階にわたっての加工が行われるので、両面加工による位置ずれ（ｍｉｓａｌｉｇｎ）を防ぐことができる。

【0023】

したがって、本発明のレーザー加工方法は、被加工対象物の領域別の厚さの偏差による加工誤りを低減することができ、被加工対象物に対する加工精密度を従来よりも向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0024】

【図1】本発明の一実施形態に係るレーザー加工方法を示す手順図。

【図2】本発明の一実施形態に係るレーザー加工方法により加工された被加工対象物を示す斜視図。

【図3】本発明の一実施形態に係るレーザー加工方法により加工された被加工対象物の断面図。

【図4】本発明の一実施形態に係る２段階にわたってのレーザービームの照射を説明するための概略断面図。

【図5】本発明の一実施形態に係るレーザービームのスキャンを説明するための概念図。

【図6】本発明の一実施形態に係る加工領域の領域別のエネルギー累積を説明するための概念図。

【発明を実施するための形態】

【0025】

以下、添付図面に基づき、本発明の実施形態について更に詳細に説明する。しかしながら、本発明は以下に開示される実施の形態に何ら限定されるものではなく、異なる様々な形態として実現され、単にこれらの実施の形態は本発明の開示を完全たるものにし、通常の知識を有する者に発明の範囲を完全に知らせるために提供されるものである。本発明を説明するに当たって、同じ構成要素には同じ参照符号を付し、図面は、本発明の実施形態を正確に説明するために大きさが部分的に誇張されてもよく、図中、同じ符号は、同じ構成要素を指し示す。

【0026】

図１は、本発明の一実施形態に係るレーザー加工方法を示す手順図であり、図２は、本発明の一実施形態に係るレーザー加工方法により加工された被加工対象物を示す斜視図である。

【0027】

図１及び図２を参照すると、本発明の一実施形態に係るレーザー加工方法は、被加工対象物１００の上に加工領域１１０を設定する過程（Ｓ１００）と、前記被加工対象物１００の加工領域１１０のうち、１次加工領域に対してレーザービーム１０を１次照射する過程（Ｓ２００）と、前記被加工対象物１００の加工領域１１０のうち、２次加工領域に、１次照射とは異なる条件で、前記レーザービーム１０を２次照射する過程（Ｓ３００）と、を含んでいてもよい。

【0028】

本発明における被加工対象物１００は、一般的に、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）や有機半導体素子などの製造に際して真空蒸着工程において用いられる微細金属マスク（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ；ＦＭＭ）であってもよいが、レーザーで加工可能である限り、いかなる対象物であっても構わない。特に、半導体素子のパッケージングに当たって、プリント回路基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ；ＰＣＢ）に形成されるビア孔（ｖｉａ ｈｏｌｅ）や半導体基板上の特定の領域に加工パターン（ｐａｔｔｅｒｎ）を形成しようとする場合などに種々に活用可能である。

【0029】

先ず、被加工対象物１００の上に加工領域１１０を設定する（Ｓ１００）。加工領域１１０は、単一であっても複数であってもよく、被加工対象物１００上における仮想の領域として設定されてもよい。このとき、加工領域１１０は、１次加工領域及び２次加工領域を有していてもよい。

【0030】

次いで、前記被加工対象物１００の加工領域１１０のうち、１次加工領域に対してレーザービーム１０を１次照射する（Ｓ２００）。ここで、被加工対象物１００の一方の面にレーザービーム１０を照射してもよい。被加工対象物１００の加工領域１１０のうち、１次加工領域にレーザービーム１０を照射して被加工対象物１００を加工してもよい。例えば、被加工対象物１００に加工孔１１を形成してもよく、加工孔１１は、加工領域１１０と同じであってもよく、加工領域１１０よりも小さくてもよい。このとき、レーザービーム１０による加工深さを被加工対象物１００の基準厚さとして設定してもよく、被加工対象物１００の加工領域１１０のうち、１次加工領域に１次的にレーザービーム１０を照射して被加工対象物１００の基準厚さ（例えば、２０μｍ）に相当する（又は、対応する）深さまで１次的に加工してもよい。ここで、前記１次加工領域の面積は、加工領域１１０の面積と同じであってもよい。

【0031】

次いで、前記被加工対象物１００の加工領域１１０のうち、２次加工領域に、１次照射とは異なる条件で、前記レーザービーム１０を２次照射する（Ｓ３００）。レーザービーム１０を、前記レーザービーム１０を１次照射する過程（Ｓ２００）とは異なる条件で、加工領域１１０のうち、２次加工領域に照射してもよい。ここで、前記２次加工領域の面積は、加工領域１１０の面積と同じであってもよく、加工領域１１０の面積よりも小さくてもよく。１次的に加工された加工領域１１０にレーザービーム１０を再び照射して、被加工対象物１００に厚さのばらつがある場合に相対的に厚い厚さにより加工孔１１が形成されていない（すなわち、前記被加工対象物の基準厚さよりも厚い）加工領域１１０を２次的に加工することにより、前記レーザービーム１０を１次照射する過程（Ｓ２００）で、加工孔１１が形成されていない加工領域１１０にも加工孔１１が形成されるようにしてもよく、加工孔１１が形成されない加工領域１１０なしに全ての加工領域１１０に加工孔１１を形成してもよい。

【0032】

一方、被加工対象物１００は、インバー（ＩＮＶＡＲ）と呼ばれる金属材質により形成されてもよく、インバーは、鉄（Ｆｅ）６４％にニッケル（Ｎｉ）３６％を添加して作る、熱膨張係数が非常に小さい合金であって、精密機械又は光学器械の部品、時計の部品のように温度の変化により寸法が変わると、誤差の原因となる機械に用いられる。インバー材質の被加工対象物１００は、約５０ピコ秒（ｐｓ）の熱拡散時間を有してもよく、圧延加工に際して±５％の領域別の厚さの偏差（又は、厚さのバラツキ）が生じることがある。すなわち、被加工対象物１００は、状況に応じて、領域別の厚さの偏差を有してもよい。

【0033】

前記２次加工領域は、前記１次加工領域内に含まれてもよく、前記１次加工領域の全体と重なり合ってもよく、前記１次加工領域の一部と重なり合ってもよい。

【0034】

図３は、本発明の一実施形態に係るレーザー加工方法により加工された被加工対象物の断面図であり、図４は、本発明の一実施形態に係る２段階にわたってのレーザービーム照射を説明するための概略断面図であり、図４の（ａ）は、基準厚さ以下の厚さを有する加工領域を示す図であり、図４の（ｂ）は、基準厚さよりも厚い加工領域を示す図である。

【0035】

図３及び図４を参照すると、前記２次加工領域の面積は、前記１次加工領域の面積よりも小さくてもよい。このとき、前記１次加工領域の面積は、加工領域１１０の面積と同じであってもよく、前記２次加工領域は、加工領域１１０の中央部１１１に位置してもよい。すなわち、加工領域１１０は、中央部１１１及び周縁部１１２を有していてもよく、前記レーザービーム１０を１次照射する過程（Ｓ２００）においては、中央部１１１及び周縁部１１２を有する前記１次加工領域にレーザービーム１０を照射してもよく、前記レーザービーム１０を２次照射する過程（Ｓ３００）においては、中央部１１１にのみ（すなわち、前記２次加工領域にのみ）レーザービーム１０を照射してもよい。換言すれば、前記レーザービーム１０を２次照射する過程（Ｓ３００）においては（又は、２回目のレーザービームを照射するときには）、前記レーザービーム１０を１次照射する過程（Ｓ２００）よりも（又は、１回目のレーザービームを照射するときよりも）被加工対象物１００の加工領域１１０においてレーザービーム１０が照射される面積を小さくできる。この場合、前記レーザービーム１０を２次照射する過程（Ｓ３００）においては、周縁部１１２にレーザービーム１０を照射しないため、２段階にわたってのレーザー加工にもかかわらず、加工孔１１の周りへの影響を無くすことができ、加工孔１１の大きさ（ｓｉｚｅ）が基準大きさよりも相対的に大きくなるオーバーエッチング（ｏｖｅｒ ｅｔｃｈｉｎｇ）を防ぐことができる。すなわち、前記レーザービーム１０を２次照射する過程（Ｓ３００）において、前記レーザービーム１０を１次照射する過程（Ｓ２００）を用いた加工領域１１０の１次加工に影響を及ぼさないことができる。

【0036】

前記レーザービーム１０を１次照射する過程（Ｓ２００）においては、加工深さが一定になるように前記１次加工領域の中央部１１１を加工してもよく、前記１次加工領域の中央部１１１に近づくにつれて加工深さが深くなるように前記１次加工領域の周縁部１１２を加工してもよい。前記１次加工領域の中央部１１１は、加工深さを一定に加工してもよく、前記１次加工領域の中央部１１１においては、レーザービーム１０の照射条件（例えば、レーザービームの強さ、移動速度など）を同じくして加工してもよい。

【0037】

前記１次加工領域の周縁部１１２は、前記１次加工領域の中央部１１１に近付くにつれて加工深さが深くなるように（又は、大きくなるように）加工してもよく、被加工対象物１００の一方の面から遠ざかるにつれて（又は、深くなるにつれて）加工領域１１０の端縁から中央部１１１に向かって先細まりとなる形状（すなわち、テーパー状）に傾斜してもよい。このようなテーパー状によれば、加工孔１１の寸法（ｓｉｚｅ）及び形状安定性を確保することができ、蒸着工程において有機物などの蒸着粒子が容易に加工孔１１を通過することができ、これにより、蒸着工程におけるマスク（ｍａｓｋ）によるシャドウ（Ｓｈａｄｏｗ）の発生を低減することができる。すなわち、前記テーパー状により前記蒸着粒子が加工孔１１を中心に集まることができて、前記蒸着粒子が加工孔１１の周りに伝搬する（又は、広がる）というシャドウの発生を低減することができる。

【0038】

また、前記レーザービーム１０を１次照射する過程（Ｓ２００）と、前記レーザービーム１０を２次照射する過程（Ｓ３００）とにおいては、両方とも被加工対象物１００の一方の面にレーザービーム１０を照射してもよい。この場合、被加工対象物１００の片面（すなわち、一方の面）に対して２段階（又は、２次）のレーザー加工が行われるので、両面加工による位置ずれ（ｍｉｓａｌｉｇｎ）を防ぐことができる。

【0039】

前記２次加工領域は、前記１次加工領域１１０の中央部１１１と重なり合ってもよい。ここで、加工領域１１０の中央部１１１に加工孔１１が形成されてもよく、前記レーザービーム１０を１次照射する過程（Ｓ２００）及び／又は前記レーザービーム１０を２次照射する過程（Ｓ３００）において、被加工対象物１００に加工孔１１を形成してもよい。すなわち、前記レーザービーム１０を１次照射する過程（Ｓ２００）で、加工孔１１が形成されていない加工領域１１０に加工孔１１を形成してもよい。

【0040】

例えば、基準厚さ以下の厚さを有する加工領域１１０には、前記レーザービーム１０を１次照射する過程（Ｓ２００）において、図４の（ａ）に示すように、加工孔１１が形成されてもよく、前記基準厚さよりも厚い加工領域１１０には、前記レーザービーム１０を２次照射する過程（Ｓ３００）において、図４の（ｂ）に示すように、加工孔１１が形成されてもよい。すなわち、前記レーザービーム１０を１次照射する過程（Ｓ２００）において、被加工対象物１００の加工領域１１０のうち、前記１次加工領域に１次的にレーザービーム１０を照射して、被加工対象物１００の基準厚さの深さまで１次的に加工することにより、基準厚さ以下の厚さを有する加工領域１１０に加工孔１１を形成してもよい。また、前記レーザービーム１０を２次照射する過程（Ｓ３００）において、１次的に前記１次加工領域が加工された加工領域１１０にレーザービーム１０を再び（又は、２次的に）照射して、前記１次的に前記１次加工領域が加工された加工領域１１０のうち、前記２次加工領域（例えば、前記基準厚さよりも厚い部分又は加工領域）を被加工対象物１００の最大の厚さの偏差の深さに見合う分だけ２次的に加工することにより、前記基準厚さよりも厚い加工領域１１０に加工孔１１を形成してもよい。これにより、加工孔１１が形成されない加工領域１１０なしに全ての加工領域１１０に加工孔１１を形成することができる。

【0041】

前記レーザービーム１０を２次照射する過程（Ｓ３００）においては、被加工対象物１００が貫通するように前記２次加工領域を加工してもよい。このとき、加工領域１１０の中央部１１１のように、加工深さが一定になるように前記２次加工領域を加工してもよい。すなわち、前記レーザービーム１０を２次照射する過程（Ｓ３００）においては、垂直方向に（又は、垂直に）加工孔１１を形成してもよい。

【0042】

換言すれば、前記レーザービーム１０を２次照射する過程（Ｓ３００）においては、前記基準厚さよりも厚い加工領域１１０に形成される加工孔１１のうち、相対的に厚い厚さによる盛り上がり部の内側面が略垂直になるように加工孔１１を形成してもよい。この場合、前記基準厚さよりも厚い加工領域１１０に形成される加工孔１１の大きさが、前記基準厚さ以下の厚さを有する加工領域１１０に形成される加工孔１１の大きさと略同じである可能性があるため、正確な寸法の領域に蒸着物質（例えば、有機物）を蒸着（又は、正確な寸法の膜）を形成することができ、蒸着物質が加工孔１１を通過しながら広がることを防いで、内側面が傾斜した盛り上がり部よりもシャドウの発生を低減することができる。

【0043】

一方、被加工対象物１００の領域別の厚さの偏差が±５％である場合、前記レーザービーム１０を１次照射する過程（Ｓ２００）において、被加工対象物１００の加工領域１１０に１次的にレーザービーム１０を照射して、前記１次加工領域を被加工対象物１００の基準厚さの−５％の深さ（すなわち、前記被加工対象物の最小の厚さの深さ）まで１次的に加工し、前記レーザービーム１０を２次照射する過程（Ｓ３００）において、２次的に被加工対象物１００の基準厚さの−５％〜被加工対象物１００の基準厚さの＋５％の深さ（すなわち、前記被加工対象物の最小の厚さの深さから前記被加工対象物の最大の厚さの深さまで）まで前記２次加工領域を垂直方向に加工して加工孔１１を形成してもよい。被加工対象物１００の基準厚さの深さまで１次的に加工すれば、被加工対象物１００の基準厚さよりも薄い加工領域１１０の加工孔１１と、被加工対象物１００の基準厚さ以上の加工領域１１０の加工孔１１との間に大きさ差が生じる虞があるため、最も薄い厚さ（例えば、前記被加工対象物の基準厚さの−５％）において加工孔１１が所望の大きさになるようにした後、２次的に残りの厚さ（例えば、前記被加工対象物の基準厚さの−５％〜前記被加工対象物の基準厚さの＋５％）に（又は、残りの厚さに見合う分だけ）垂直方向に加工孔１１を形成して、全ての加工孔１１の大きさが略同じくなるようにしてもよい。

【0044】

また、被加工対象物１００の領域別の厚さの偏差が±５％である場合、加工孔１１のうち、相対的に厚い厚さによる盛り上がり部の垂直方向の長さＨは、被加工対象物１００の基準厚さの５％〜被加工対象物１００の基準厚さの１０％であってもよい。

【0045】

更に、前記レーザービーム１０を１次照射する過程（Ｓ２００）及び前記レーザービーム１０を２次照射する過程（Ｓ３００）においては、同じ座標系を用いて、前記１次加工領域及び前記２次加工領域にそれぞれレーザービーム１０を照射してもよい。

【0046】

前記加工領域を設定する過程（Ｓ１００）においては、被加工対象物１００の上に設定された座標系において、前記１次加工領域及び前記２次加工領域を設定してもよい。前記レーザービーム１０を１次照射する過程（Ｓ２００）においては、前記座標系において、前記１次加工領域に対応する座標にレーザービーム１０を照射してもよく、前記レーザービーム１０を２次照射する過程（Ｓ３００）においては、前記座標系において、前記２次加工領域に対応する座標にレーザービーム１０を照射してもよい。この場合、前記１次加工領域に対応する座標（又は、座標区間）及び／又は前記２次加工領域に対応する座標（又は、座標区間）においてレーザービーム１０を活性化させてもよく、前記１次加工領域及び／又は前記２次加工領域に（のみ）レーザービーム１０を照射して加工する上で容易になる。なお、レーザービーム１０の照射位置を前記１次加工領域（すなわち、前記１次加工領域に対応する座標）及び／又は前記２次加工領域（すなわち、前記２次加工領域に対応する座標）に移動させる上で容易になる。

【0047】

図５は、本発明の一実施形態に係るレーザービームのスキャンを説明するための概念図である。

【0048】

図５を参照すると、前記レーザービーム１０を１次照射する過程（Ｓ２００）及び前記レーザービーム１０を２次照射する過程（Ｓ３００）においては、被加工対象物１００の長軸と平行なスキャンライン２１（ｓｃａｎ ｌｉｎｅ）と、被加工対象物１００の短軸と平行なステップライン２２（ｓｔｅｐ ｌｉｎｅ）とを有するスキャン経路２０（ｓｃａｎ ｐａｔｈ）に沿ってレーザービーム１０の照射位置を移動させながら、加工領域１１０をスキャンしてもよい。スキャン経路２０は、被加工対象物１００の長軸と平行なスキャンライン２１（ｓｃａｎ ｌｉｎｅ）と、被加工対象物１００の短軸と平行なステップライン２２（ｓｔｅｐ ｌｉｎｅ）とを有していてもよく、いずれか一本のスキャンライン２１をスキャンした後に、ステップライン２２を均一に分割したステップピッチ（ｓｔｅｐ ｐｉｔｃｈ）だけステップライン２２に沿ってレーザービーム１０の照射位置が移動して他のスキャンライン２１をスキャンしてもよい。スキャンライン２１は、被加工対象物１００の長軸と平行であってもよく、スキャンライン２１の一方の側から他方の側に向かって（又は、他方の側から一方の側に向かって）スキャンしてもよい。ステップライン２２は、被加工対象物１００の短軸と平行であってもよく、いずれか一本のスキャンライン２１をスキャンした後に、ステップライン２２の一方の側から他方の側までを均一に分割したステップピッチだけステップライン２２に沿ってステップライン２２の他方の側（又は、一方の側）の向きにレーザービーム１０の照射位置を移動させて他のスキャンライン２１をスキャンしてもよい。

【0049】

ここで、１番目のスキャンライン２１及び２番目のスキャンライン２２を同じ方向にスキャンしてもよく、反対の方向にスキャンしてもよい。すなわち、レーザービーム１０の照射位置の移動方向が反対に設定されてもよく、ｎ−１番目（又は、奇数番目）のスキャンライン１０及びｎ番目（又は、偶数番目）のスキャンライン１０は、同じ方向又は反対方向にレーザービーム１０の照射位置が移動するように設定してもよく、これに何ら限定されるわけではなく、複数本のスキャンライン１０は、特定の方向に、又はその反対方向に設定されてもよく、これらの組み合わせの方向に設定されてもよい。一方、いずれか一本のスキャンライン２１から他のスキャンライン２１への方向の切り換えに際して、ステップピッチは、いずれか一本のスキャンライン２１のレーザービーム１０の大きさに等しいかまたはそれよりも小さく形成されてもよく、均一なパターンの加工が行われるようにしてもよい。すなわち、いずれか一本のスキャンライン２１から他のスキャンライン２１への方向の切り換えに際して、ステップピッチは、いずれか一本のスキャンライン２１のレーザービーム１０の大きさに等しいかまたはそれよりも小さいことを特徴としてもよい。

【0050】

前記レーザービーム１０を１次照射する過程（Ｓ２００）と、前記レーザービーム１０を２次照射する過程（Ｓ３００）とにおいては、同じスキャン経路２０に沿って加工領域１１０をスキャンしてもよく、前記１次加工領域と前記２次加工領域とにおいて、それぞれレーザービーム１０を照射してもよい。例えば、レーザービーム１０が出射されるレーザーヘッド（図示せず）の照射方向をスキャン経路２０に沿って移動させて加工領域１１０をスキャンしてもよい。スキャン領域内に全ての（又は、全体の）加工領域１１０が含まれるようにスキャン経路２０を設定することにより、加工領域１１０を多数回にわたってスキャンしなくても、スキャン経路２０に沿った単一回のスキャンだけで全体の加工領域１１０の加工が終わるようにしてもよい。これにより、従来より問題視されていた、スキャン装置を用いて全体の加工領域を複数の分割領域に分けて加工することにより生じるスティッチング（ｓｔｉｔｃｈｉｎｇ）の発生の問題を払拭することができる。一方、場合によっては、同じスキャン経路２０のｎ回にわたってのスキャンにより全体の加工領域１１０の加工が終わるようにしてもよい。また、駆動部（図示せず）を用いて、レーザービーム１０の照射位置を移動させてもよく、加工孔１１の形成のために被加工対象物１００の表面上において、レーザービーム１０の照射位置を被加工対象物１００の表面の特定の位置に相対移動させてもよく、被加工対象物１００又はレーザービーム１０の照射位置（例えば、前記レーザーヘッドの位置）を移動させてもよい。例えば、前記駆動部（図示せず）は、一つ以上のガルバノミラーを有するスキャナーを備えて、停止された被加工対象物１００の上にレーザービーム１０の絶対位置を変更させるようにしてもよく、１軸以上の直線運動をする被加工対象物ステージ搬送装置（図示せず）又はロールツーロール（Ｒｏｌｌ−ｔｏ−Ｒｏｌｌ）搬送装置（図示せず）により形成されて、停止されたレーザービーム１０に対して被加工対象物１００の絶対位置を変更させてもよく、レーザービーム１０の絶対位置の変更及び被加工対象物１００の位置の変更の両方ともを連動させてもよい。すなわち、前記ガルバノミラーと、前記被加工対象物ステージ搬送装置及び／又は前記ロールツーロール搬送装置は、必要に応じて、組み合わせて用いてもよい。

【0051】

ここで、同じスキャン経路２０とは、加工領域１１０をスキャンする開始点と終点とが同じであり、開始点から終点までに進む経路が同じであることを意味する。この場合、レーザー加工の全ての過程（すなわち、前記レーザービームを１次照射する過程と、前記レーザービームを２次照射する過程）において、一本のスキャン経路２０でレーザービーム１０の照射位置を移動させるので、前記レーザービーム１０を１次照射する過程（Ｓ２００）と前記レーザービーム１０を２次照射する過程（Ｓ３００）との間、又はいずれか一つの被加工対象物１００のレーザー加工と他の被加工対象物１００のレーザー加工との間に生じるレーザービーム１０の照射位置の誤差を低減することができ、レーザー加工（例えば、加工孔の形成）の精密度を向上させることができる。

【0052】

このとき、前記レーザービーム１０を１次照射する過程（Ｓ２００）と、前記レーザービーム１０を２次照射する過程（Ｓ３００）とは、レーザービーム１０を活性化させる区間が異なってもよい。前記レーザービーム１０を２次照射する過程（Ｓ３００）においては、前記レーザービーム１０を１次照射する過程（Ｓ２００）におけるレーザービーム１０の活性化区間のうちの一部の区間においてレーザービーム１０を活性化させてもよい。すなわち、前記レーザービーム１０を１次照射する過程（Ｓ２００）においては、加工領域１１０のいずれか一つの境界（すなわち、前記１次加工領域の一つの境界）から、加工領域１１０の他の境界（すなわち、前記１次加工領域の他の境界）へと達するまでレーザービーム１０を活性化させてもよく、前記レーザービーム１０を２次照射する過程（Ｓ３００）においては、加工領域１１０の中央部１１１のいずれか一つの境界（すなわち、前記２次加工領域の一つの境界）から、加工領域１１０の中央部１１１の他の境界（すなわち、前記２次加工領域の他の境界）へと達するまでレーザービーム１０を活性化させてもよい。換言すれば、スキャン経路２０に沿って全ての加工領域１１０が含まれるスキャン領域（例えば、前記被加工対象物の一方の面の全体）をスキャンしながら、レーザービーム１０による加工が必要な加工領域１１０又は加工領域１１０のうちの一部の領域（例えば、中央部）にのみレーザービーム１０をオン（ｏｎ）にしてもよく、レーザービーム１０による加工が不要であるその他の領域には、レーザービーム１０をオフ（ｏｆｆ）にしてもよい。これにより、被加工対象物１００のうち、にレーザー加工が求められる部分にのみレーザービーム１０を照射することができるので、レーザービーム１０を照射する作業時間が短縮されて、レーザー加工にかかる時間及び費用を削減することができ、正確な位置に加工孔１１を形成することができるというメリットがある。

【0053】

例えば、前記レーザービーム１０を１次照射する過程（Ｓ２００）において、加工領域１１０のいずれか一つの境界に達すると、加工領域１１０の他の境界に達するまでレーザービーム１０をオン（ｏｎ）にしてもよく、加工領域１１０の他の境界に達すると、レーザービーム１０をオフ（ｏｆｆ）にしてもよい。また、前記レーザービーム１０を２次照射する過程（Ｓ３００）において、加工領域１１０の中央部１１１のいずれか一つの境界に達すると、加工領域１１０の中央部１１１の他の境界に達するまでレーザービーム１０をオン（ｏｎ）にしてもよく、加工領域１１０の中央部１１１の他の境界に達すると、レーザービーム１０をオフ（ｏｆｆ）にしてもよい。これにより、前記レーザービーム１０を１次照射する過程（Ｓ２００）において、加工領域１１０のいずれか一つの境界から、加工領域１１０の他の境界へと達するまでレーザービーム１０を活性化させ易くなり、前記レーザービーム１０を２次照射する過程（Ｓ３００）において、加工領域１１０の中央部１１１のいずれか一つの境界から、加工領域１１０の中央部１１１の他の境界へと達するまでレーザービーム１０を活性化させ易くなる。

【0054】

前記レーザービーム１０を１次照射する過程（Ｓ２００）においては、複数本のスキャンライン２１をスキャンして前記１次加工領域を加工してもよく、前記レーザービーム１０を２次照射する過程（Ｓ３００）においては、複数本のスキャンライン２１のうち、前記１次加工領域の中央部１１１を通過するスキャンライン２１のみをスキャンして前記２次加工領域を加工してもよい。前記１次加工領域は、加工領域１１０と略同じであるため、複数本のスキャンライン２１をスキャンして被加工対象物１００の一方の面の全体をスキャンしてもよく、前記２次加工領域は、加工領域１１０のうちの一部に相当するため、一部のスキャンライン２１のみをスキャンしてもよい。この場合、前記レーザービーム１０を２次照射する過程（Ｓ３００）において、加工が必要な部分のみをスキャンすることができて、スキャン時間が短縮され、これにより、レーザー加工にかかる全体的な時間を削減することができるだけではなく、スキャンのために用いられる前記駆動部（図示せず）などの駆動費用を削減することができる。

【0055】

スキャンライン２１は、単位時間当たりのレーザービーム１０の移動距離であるスキャンピッチ（ｓｃａｎ ｐｉｔｃｈ）を有してもよく、ステップライン２２は、スキャンライン２１同士の間隔であるステップピッチを有してもよい。ここで、前記スキャンピッチ及び前記ステップピッチは、レーザービーム１０の大きさ（ｓｉｚｅ）以下であってもよく、前記スキャンピッチ及び前記ステップピッチがレーザービーム１０の大きさよりも大きくなると、加工領域１１０のうち、未加工の部分が生じてしまう。例えば、レーザービーム１０の大きさ（ｓｉｚｅ）が１μｍである場合、前記スキャンピッチ及び前記ステップピッチは、０〜１μｍの範囲において調節されてもよく、好ましくは、前記スキャンピッチ及び前記ステップピッチは、０．１〜１μｍの範囲において調節される。ここで、前記スキャンピッチ及び／又は前記ステップピッチを調節して加工される面（又は、加工溝又は加工孔の内側面）の傾斜度（又は、勾配）を調節してもよく、前記スキャンピッチ及び／又は前記ステップピッチが小さくなるにつれて、前記加工される面の傾斜度は上がってもよい。このとき、前記スキャンピッチは、レーザービーム１０の移動速度及びレーザーソースのパルス振動数（例えば、パルス同士の間隔）を用いて調節してもよく、前記ステップピッチは、スキャンライン２１同士の間隔で調節してもよい。

【0056】

一方、前記スキャンピッチは、全てのスキャンライン２１において同じであってもよく、スキャンライン２１の位置に応じて異なってもよい。このとき、前記ステップピッチは一定していてもよく、スキャンライン２１同士の間隔に応じて決定されてもよい。例えば、レーザービーム１０の大きさ（ｓｉｚｅ）が１μｍである場合、前記ステップピッチが１μｍに固定されてもよく、前記ステップピッチが１μｍに固定されて一定になると、前記スキャンピッチは、スキャンライン２１の位置に応じて異なってもよく、これにより、ステップ方向に重なり合わなくても前記ステップ方向に傾斜するようできる。なお、前記スキャンピッチは、前記ステップピッチよりも小さくてもよく、前記スキャンピッチを小さくして、スキャン方向に加工される面にステップ方向に加工される面よりも平面に近い傾斜面を形成してもよい。

【0057】

そして、被加工対象物１００は、蒸着工程に用いられるマスクであってもよく、スキャンライン２１に沿うスキャン方向は、線形蒸着源（図示せず）のスキャン方向であってよよく、前記加工される面を、前記スキャン方向及び前記ステップ方向のうち、少なくとも前記スキャン方向に傾斜するように加工してもよい。線形蒸着源（図示せず）は、前記ステップ方向に延設されてもよく、前記スキャン方向に被加工対象物１００又は基板（図示せず）をスキャンしてもよい。このとき、前記線形蒸着源（図示せず）又は前記基板（図示せず）を移動させてスキャンしてもよく、被加工対象物１００は、前記線形蒸着源（図示せず）又は前記基板（図示せず）とともに移動してもよく、前記線形蒸着源（図示せず）又は前記基板（図示せず）とともに固定されてもよい。前記線形蒸着源（図示せず）又は前記基板（図示せず）は、前記スキャン方向に移動して前記基板（図示せず）の全面に蒸着物質（又は、蒸着粒子）が蒸着されるようにするため、前記ステップ方向よりは、前記スキャン方向にシャドウが生じ、これにより、前記スキャン方向を中心に傾斜するように（又は、テーパー状になるように）加工することができる。

【0058】

前記レーザービーム１０を２次照射する過程（Ｓ３００）においては、レーザービーム１０の強さが前記レーザービーム１０を１次照射する過程（Ｓ２００）よりも大きくてもよく、レーザービーム１０の移動速度及びスキャンライン２１におけるレーザービーム１０のスキャンピッチが前記レーザービーム１０を１次照射する過程（Ｓ２００）よりも小さくてもよい。

【0059】

前記レーザービーム１０を２次照射する過程（Ｓ３００）においては、レーザービーム１０の強さが前記レーザービーム１０を１次照射する過程（Ｓ２００）よりも大きくてもよい。レーザービーム１０による加工深さの設定は、レーザービーム１０の強さを調節して行ってもよい。このとき、スキャンライン２１別にエネルギー強さを設定してもよく、一本のスキャンライン２１内においてもレーザーソースのパルス別にエネルギー強さを設定してもよく、これらの両方の組み合わせによりレーザービーム１０の強さが決定されてもよい。すなわち、同じスキャンライン２１の上においてレーザービーム１０のエネルギー強さを調節して、エネルギー累積分布を制御することにより、加工深さを設定してもよい。具体的には、各スキャンライン２１に対してレーザービーム１０の移動速度及びパルス振動数の値を両方とも固定したままで（すなわち、スキャンピッチは一定している）、各スキャンライン２１に沿ってレーザービーム１０の照射位置が相対的に移動する最中にレーザーソースのパルス別にエネルギー強さを異ならせて設定してもよく、各スキャンライン２１別にエネルギー強さを異ならせて設定してもよい。

【0060】

前記レーザービーム１０を２次照射する過程（Ｓ３００）においては、加工される面（又は、内側面）が略垂直になるように（すなわち、前記基準厚さよりも厚い加工領域に形成される加工孔のうち、相対的に厚い厚さによる盛り上がり部の内側面が略垂直になるように）加工するために、加工される面が傾斜するように加工する前記レーザービーム１０を１次照射する過程（Ｓ２００）よりもレーザービーム１０の強さが大きくてもよい。すなわち、前記加工される面が略垂直になるように形成するためには、レーザービーム１０がオン（ｏｎ）になり始めてから、加工可能な深さが深くてレーザービーム１０の照射された位置が一気に開放（ｏｐｅｎ）されなければならないため、レーザービーム１０の強さを大きくしてレーザービーム１０の照射された位置が一気に開放されるようにしてもよく、前記レーザービーム１０を１次照射する過程（Ｓ２００）よりもレーザービーム１０の強さが大きくてもよい。

【0061】

前記レーザービーム１０を２次照射する過程（Ｓ３００）においては、レーザービーム１０の移動速度及びスキャンライン２１におけるレーザービーム１０のスキャンピッチが前記レーザービーム１０を１次照射する過程（Ｓ２００）よりも小さくてもよい。レーザービーム１０による加工深さを設定する別の方法としては、スキャンライン２１を移動するレーザービーム１０のオーバーラップ率（ｏｖｅｒｌａｐ ｒａｔｅ）［オーバーラップ率＝｛レーザービームの大きさ−スキャンピッチ／レーザービームの大きさ｝×１００、スキャンピッチ＝ｖ／ｆ、ｖ：レーザービームの移動速度、ｆ：レーザーソースのパルス振動数］を制御して設定する方法が挙げられる。レーザービーム１０のオーバーラップ率に応じて加工深さを設定する方法としては、レーザーソースのパルス振動数（ｐｕｌｓｅ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）の値を固定したままで、レーザービーム１０の移動速度（又は、前記被加工対象物及び前記レーザービームの相対速度）をスキャンライン２１別に異ならせて設定する方法と、レーザービーム１０の相対速度値を固定したままで、パルス振動数値をスキャンライン２１別に異ならせて設定する方法と、が挙げられる。すなわち、レーザービーム１０のオーバーラップ率は、レーザービーム１０の大きさに応じたスキャンピッチの制御により設定され得る。このとき、スキャンピッチ＝ｖ／ｆにおいて、レーザービーム１０の移動速度及びパルス振動数の値を調節して、各スキャンライン２１別にレーザービーム１０のオーバーラップされる度合いを制御することにより、加工深さを設定してもよく、レーザービーム１０のオーバーラップ率が大きくなるにつれてレーザービーム１０による加工深さが深くなる。

【0062】

前記レーザービーム１０を２次照射する過程（Ｓ３００）においては、前記加工される面が略垂直になるように加工するために、前記加工される面が傾斜するように加工する前記レーザービーム１０を１次照射する過程（Ｓ２００）よりもレーザービーム１０の移動速度及びスキャンライン２１におけるレーザービーム１０のスキャンピッチが小さくてもよい。すなわち、前記加工される面が略垂直になるように形成するためには、レーザービーム１０がオン（ｏｎ）になり始めてから、加工可能な深さが深くてレーザービーム１０の照射された位置が全て開放されなければならない。このため、レーザービーム１０の移動速度及びスキャンライン２１におけるレーザービーム１０のスキャンピッチを小さくして、レーザービーム１０のオーバーラップ率を上げることにより、レーザービーム１０の照射された位置が全て開放されるようにしてもよく、前記レーザービーム１０を１次照射する過程（Ｓ２００）よりもレーザービーム１０の移動速度及びスキャンライン２１におけるレーザービーム１０のスキャンピッチが小さくてもよい。

【0063】

一方、前記レーザービーム１０を２次照射する過程（Ｓ３００）においては、前記レーザービーム１０を１次照射する過程（Ｓ２００）よりもレーザービーム１０又はスキャン経路２０の重なり合い回数が多くてもよい。レーザービーム１０による加工深さを設定する更に別の方法としては、レーザービーム１０又はスキャン経路２０の重なり合い回数を制御して設定する方法が挙げられる。すなわち、同じスキャン経路２０上においてレーザービーム１０を何回移動させるかに応じたエネルギー累積分布を制御して、レーザービーム１０による加工深さを設定してもよい。具体的には、各スキャン経路２０に対して（すなわち、各スキャンライン及び／又は各ステップラインに対して）レーザービーム１０の移動速度及びパルス振動数の値を両方とも固定したままで（すなわち、スキャンピッチは一定している）、加工領域１１０内のスキャン経路２０に選択的にスキャン経路２０の重なり合い回数を制御してもよい。

【0064】

図６は、本発明の一実施形態に係る加工領域の領域別のエネルギー累積を説明するための概念図である。

【0065】

図６を参照すると、前記レーザービーム１０を１次照射する過程（Ｓ２００）において、前記１次加工領域の中央部１１１は、レーザービーム１０による領域別のエネルギー累積が一定していてもよく、前記１次加工領域の周縁部１１２は、レーザービーム１０による領域別のエネルギー累積が前記１次加工領域の中央部１１１に近づくにつれて大きくなってもよい。この場合、前記１次加工領域の周縁部１１２には前記１次加工領域の中央部１１１に近付くにつれて加工深さが深くなって前記１次加工領域の周縁部１１２が加工領域１１０の端縁から中央部１１１に向かって先細まりとなる形状に傾斜してもよく、前記１次加工領域の中央部１１１には、加工深さが一定していて加工孔１１又は平らな底面を形成してもよい。すなわち、前記１次加工領域の中央部１１１においては、加工孔１１を形成したり平らな底面を形成したりするために、レーザービーム１０による領域別のエネルギー累積が一定していてもよく、前記１次加工領域の周縁部１１２においては、テーパー状に傾斜するようにレーザービーム１０による領域別のエネルギー累積が前記１次加工領域の中央部１１１に近づくにつれて大きくなってもよい。

【0066】

前記レーザービーム１０を２次照射する過程（Ｓ３００）においては、前記２次加工領域のレーザービーム１０による領域別のエネルギー累積が一定していてもよい。すなわち、加工領域１１０の中央部１１１に前記加工される面が略垂直になるように加工孔１１を形成してもよい。換言すれば、加工領域１１０の中央部１１１に前記加工される面が略垂直である加工孔１１を形成するために、前記２次加工領域のレーザービーム１０による領域別のエネルギー累積が一定していてもよい。

【0067】

そして、レーザーエネルギー制御部（図示せず）を用いて、レーザービーム１０及び被加工対象物１００の（すなわち、前記被加工対象物の表面の）相対的な位置を制御してもよく、特定の加工領域１１０において、レーザービーム１０のパルスエネルギーの強さ、パルスのオン／オフの可否、レーザービーム１０のオーバーラップを制御して、合計のエネルギー累積分布を決定してもよい。

【0068】

一方、レーザー分岐手段（図示せず）を用いてレーザービーム１０を複数に分岐して、分岐された複数のレーザービーム１０による複数の加工領域１１０の同時加工を行ってもよい。すなわち、同時に複数のスキャン経路２０における加工工程が行えるようにして生産性を向上させることができる。ここで、前記レーザー分岐手段（図示せず）としては、回折光学系（Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｖｅ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｅｌｅｍｅｎｔ；ＤＯＥ）又はビームスプリット（ｂｅａｍ ｓｐｌｉｔ）光学系を用いることができる。なお、前記レーザーヘッド（図示せず）をマルチヘッダー（ｍｕｌｔｉ ｈｅａｄｅｒ）により構成してもよく、複数の加工領域１１０を当該ヘッダーの数に見合う分だけ分割させて、同時に複数の加工領域１１０の加工が行われるようにして、生産性を更に高めることもできる。

【0069】

本発明に係るレーザー加工方法は、加工領域１１０のうち、加工孔１１の形成有無を確認する過程（Ｓ２５０）を更に含んでいてもよい。

【0070】

前記レーザービーム１０を１次照射する過程（Ｓ２００）後に、加工領域１１０のうち、加工孔１１の形成有無を確認してもよい（Ｓ２５０）。加工領域１１０のうち、加工孔１１の形成有無が確認されれば、前記レーザービーム１０を２次照射する過程（Ｓ３００）においては、前記加工孔１１の形成有無を確認する過程（Ｓ２５０）において、加工孔１１が形成されていない加工領域１１０にレーザービーム１０を照射してもよい。これにより、前記レーザービーム１０を２次照射する過程（Ｓ３００）において、加工領域１１０のうち、レーザー加工が必ず求められる部分にのみレーザービーム１０を照射することができる。これにより、レーザービーム１０を照射する作業時間が短縮されてレーザー加工にかかる時間及び費用を削減することができ、既に形成された加工孔１１を通過するレーザービーム１０による被加工対象物支持部（図示せず）など、レーザー加工装置のうち他の構成要素の損傷を更に低減させることができる。

【0071】

前記加工孔１１の形成有無を確認する過程（Ｓ２５０）においては、高さセンサー、イメージセンサー、光センサー、レーザーセンサーのうちの少なくともいずれか一つを用いて、加工孔１１の形成有無を確認してもよい。前記高さセンサー（又は、ｚ軸測定センサー）は、被加工対象物１００に形成された溝又は孔の深さを測定してもよく、レーザー加工が行われる被加工対象物１００の一方の面の上に位置してもよく、光を照射した後に反射される光を受光して被加工対象物１００に形成された溝又は孔の深さを測定してもよい。

【0072】

前記イメージセンサーは、被加工対象物１００の上部又は下部において加工領域１１０のイメージを取得した後に解析して加工孔１１の形成有無を確認してもよく、加工孔１１が形成された加工領域１１０と、加工孔１１が形成されていない加工領域１１０のイメージの違いを区別して加工孔１１の形成有無を確認してもよい。

【0073】

前記光センサーは、受発光センサーであってもよく、加工領域１１０に光を照射した後に反射される光を受光して加工孔１１の形成有無を確認してもよい。ここで、光が受光される加工領域１１０は、加工孔１１が形成されていない加工領域１１０で判断してもよく、光が受光されない加工領域１１０は、加工孔１１が形成された加工領域１１０で判断してもよい。このとき、被加工対象物１００は、金属（ｍｅｔａｌ）など光が反射される素材により形成されてもよく、前記光センサーは、レーザービーム１０が照射される面と対向する被加工対象物１００の他方の面の上に位置してもよい。

【0074】

前記レーザーセンサーは、入射するレーザービーム１０を感知してもよく、加工孔１１が形成されて、加工孔１１を通過したレーザービーム１０を感知して、加工孔１１の形成有無を確認してもよい。ここで、レーザービーム１０が感知された加工領域１１０は、加工孔１１が形成された加工領域１１０で判断してもよく、レーザービーム１０が感知されなかった加工領域１１０は、加工孔１１が形成されていない加工領域１１０で判断してもよい。このとき、前記レーザーセンサーは、被加工対象物１００が支持される被加工対象物支持部（図示せず）の上に配設されてもよい。

【0075】

このように、本発明においては、互いに異なる照射条件の２段階にわたってレーザービームを加工領域に照射して被加工対象物を加工することで、被加工対象物の領域別の厚さの偏差による影響（又は、加工誤り）により被加工対象物に対する加工が不完全に行われる部分（すなわち、加工孔が形成されていない部分）ができてしまうという問題を解消することができる。また、２次加工領域の面積を１次加工領域の面積よりも小さく（すなわち、２回目のレーザービームを照射するときに、１回目のレーザービームを照射するときよりも被加工対象物の加工領域においてレーザービームが照射される面積を小さく）することで、２段階にわたっての加工にも拘わらず、加工孔の周りへの影響を無くすことができ、レーザービームを２次照射するとき（すなわち、レーザービームの２次照射時）、レーザービームの強さ、レーザービームの移動速度、レーザービームのスキャンピッチなどをレーザービームを１次照射するとき（すなわち、レーザービームの１次照射時）と異ならせて設定して、加工孔のうち相対的に厚い厚さによる盛り上がり部の内側面を垂直にできて、内側面が傾斜した盛り上がり部よりもシャドウ（Ｓｈａｄｏｗ）の発生を低減することができる。なお、被加工対象物の片面に対して２段階にわたっての加工が行われるので、両面加工による位置ずれ（ｍｉｓａｌｉｇｎ）を防ぐことができる。したがって、本発明においては、被加工対象物の領域別の厚さの偏差による加工誤りを低減することができ、被加工対象物に対する加工精密度を従来よりも向上させることができる。

【0076】

上記の説明において用いた「〜の上に」という文句は、直接的に接触する場合と、直接的に接触しないものの、上部又は下部に対向して位置する場合と、を含み、上部面又は下部面の全体に対向して位置することもできれば、部分的に対向して位置することもでき、位置上、離れて対向するか、あるいは、上部面又は下部面に直接的に接触するという意味として用いた。したがって、「被加工対象物の上に」は、被加工対象物の表面（上部面又は下部面）であってもよく、被加工対象物の表面に蒸着された膜の表面であってもよい。

【0077】

以上、本発明の好適な実施形態について図示しかつ説明したが、本発明は、上述した実施形態に何ら限定されるものではなく、特許請求の範囲において請求する本発明の要旨を逸脱することなく、当該本発明が属する分野において通常の知識を有する者であれば、これより様々な変形及び均等な他の実施形態が可能であるということが理解できる筈である。よって、本発明の技術的な保護範囲は、下記の特許請求の範囲によって定められるべきである。

【符号の説明】

【0078】

１０：レーザービーム
１１：加工孔
２０：スキャン経路
２１：スキャンライン
２２：ステップライン
１００：被加工対象物
１１０：加工領域
１１１：中央部
１１２：周縁部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】