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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】特開2020-13976(P2020-13976A)
(43)【公開日】2020年1月23日
(54)【発明の名称】プリント回路基板
(51)【国際特許分類】
H05K 3/46 20060101AFI20191220BHJP
H05K 1/02 20060101ALI20191220BHJP
H05K 3/28 20060101ALI20191220BHJP
H05K 3/18 20060101ALI20191220BHJP
H05K 3/38 20060101ALI20191220BHJP
【ＦＩ】
H05K3/46 T
H05K3/46 B
H05K3/46 Z
H05K1/02 D
H05K3/28 B
H05K3/18 H
H05K3/38 A
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
【全頁数】17
(21)【出願番号】特願2019-10618(P2019-10618)
(22)【出願日】2019年1月24日
(31)【優先権主張番号】10-2018-0081253
(32)【優先日】2018年7月12日
(33)【優先権主張国】KR
(71)【出願人】
【識別番号】594023722
【氏名又は名称】サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド．
(74)【代理人】
【識別番号】110000877
【氏名又は名称】龍華国際特許業務法人
(72)【発明者】
【氏名】チョイ、ジュン−ウー
(72)【発明者】
【氏名】ミン、テ−ホン
(72)【発明者】
【氏名】ジャン、ジュン−ヒョン
(72)【発明者】
【氏名】ソン、ヨ−ハン
【テーマコード（参考）】
5E314
5E316
5E338
5E343
【Ｆターム（参考）】
5E314AA24
5E314BB02
5E314BB03
5E314FF05
5E314FF17
5E314GG26
5E316AA02
5E316AA12
5E316AA38
5E316AA43
5E316CC05
5E316CC08
5E316CC09
5E316CC10
5E316CC32
5E316FF07
5E316FF13
5E316FF14
5E316GG15
5E316GG17
5E316HH06
5E338AA02
5E338AA03
5E338AA16
5E338BB23
5E338BB72
5E338EE11
5E343AA02
5E343AA16
5E343AA17
5E343AA18
5E343AA36
5E343BB24
5E343DD33
5E343DD43
5E343DD63
5E343FF16
5E343GG13
(57)【要約】 （修正有）
【課題】信号損失を低減する、プリント回路基板を提供する。【解決手段】プリント回路基板は、熱硬化性の第１樹脂層１１０と、第１樹脂層上に積層される熱可塑性の第２樹脂層１２０と、第１樹脂層の下面に形成される第１回路２１０と、第２樹脂層の上面に形成される第２回路２２０と、第１樹脂層及び第２樹脂層を一括貫通するビアホール３１０と、ビアホールの内部に形成され、第１回路と第２回路とを電気的に接続するメッキ層４１０と、を含む。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
熱硬化性の第１樹脂層と、
前記第１樹脂層上に積層される熱可塑性の第２樹脂層と、
前記第１樹脂層の下面に形成される第１回路と、
前記第２樹脂層の上面に形成される第２回路と、
前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層を一括貫通するビアホールと、
前記ビアホールの内部に形成され、前記第１回路と前記第２回路とを電気的に接続するメッキ層と、
を含むプリント回路基板。
前記第１樹脂層上に積層される熱可塑性の第２樹脂層と、
前記第１樹脂層の下面に形成される第１回路と、
前記第２樹脂層の上面に形成される第２回路と、
前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層を一括貫通するビアホールと、
前記ビアホールの内部に形成され、前記第１回路と前記第２回路とを電気的に接続するメッキ層と、
を含むプリント回路基板。
【請求項2】
前記第１回路は、前記第１樹脂層の下面に埋め込まれ、
前記第２回路は、前記第２樹脂層の上面から上側に突出する請求項１に記載のプリント回路基板。
前記第２回路は、前記第２樹脂層の上面から上側に突出する請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項3】
前記メッキ層は、前記ビアホールの内部全体に形成される請求項１または２に記載のプリント回路基板。
【請求項4】
前記ビアホールに露出される前記第１樹脂層の表面の粗度は、前記ビアホールに露出される前記第２樹脂層の表面の粗度よりも小さい請求項１から３のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
【請求項5】
前記メッキ層及び前記第２回路は、シード層を含む請求項１から４のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
【請求項6】
前記第１回路は、シード層を含まない請求項１から５のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
【請求項7】
前記第１樹脂層と前記第２樹脂層との界面は、粗度面を含む請求項１から６のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
【請求項8】
前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層の誘電正接は、０．００２以下である請求項１から７のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
【請求項9】
前記第１樹脂層の上面には、回路が形成されない請求項１から８のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
【請求項10】
前記ビアホールの横断面積は、前記第１樹脂層から前記第２樹脂層に行くほど大きくなる請求項１から９のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
【請求項11】
熱硬化性樹脂層及び熱可塑性樹脂層が交互に繰り返し積層されて形成される積層体と、
隣り合っている熱硬化性樹脂層と熱可塑性樹脂層とを一括貫通するビアホールと、
前記ビアホールの内部に形成されるメッキ層と、
を含むプリント回路基板。
隣り合っている熱硬化性樹脂層と熱可塑性樹脂層とを一括貫通するビアホールと、
前記ビアホールの内部に形成されるメッキ層と、
を含むプリント回路基板。
【請求項12】
前記ビアホールに露出される前記熱硬化性樹脂層の表面の粗度は、前記ビアホールに露出される前記熱可塑性樹脂層の表面の粗度よりも小さい請求項１１に記載のプリント回路基板。
【請求項13】
前記熱硬化性樹脂層と前記熱可塑性樹脂層との界面は、粗度面を含む請求項１１または１２に記載のプリント回路基板。
【請求項14】
前記熱硬化性樹脂層及び前記熱可塑性樹脂層のそれぞれの誘電正接は、０．００２以下である請求項１１から１３のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
【請求項15】
前記熱可塑性樹脂層の一面に形成され、前記熱硬化性樹脂層に埋め込まれる回路をさらに含む請求項１１から１４のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
【請求項16】
前記熱可塑性樹脂層の他面には回路が形成されない請求項１５に記載のプリント回路基板。
【請求項17】
前記ビアホールの前記熱硬化性樹脂層を貫通する部分の横断面積は、前記ビアホールの前記熱可塑性樹脂層を貫通する部分の横断面積より小さい請求項１１から１６のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
【請求項18】
前記積層体の両面に積層されるカバー層をさらに含む請求項１１から１７のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
【請求項19】
前記熱硬化性樹脂層及び前記熱可塑性樹脂層は、軟性素材からなり、
前記積層体の一部の領域に積層される硬性素材の絶縁層をさらに含む請求項１１から１８のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
前記積層体の一部の領域に積層される硬性素材の絶縁層をさらに含む請求項１１から１８のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
【請求項20】
前記絶縁層に積層される補強板をさらに含む請求項１９に記載のプリント回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、プリント回路基板（ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）に関する。
【背景技術】
【0002】
各国では全世界的に５Ｇの商用化のための技術開発に力を注いでいる。５Ｇ時代の１０ＧＨｚ以上の周波数帯域においての円滑な信号伝送のためには、従来存在する材料及び構造では対応しにくい場合もある。このため、受信された高周波信号を損失なくメインボードまで伝送するための新しい材料及び構造開発が行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】韓国公開特許第１０−２０１１−０００２１１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明は、信号損失が低減されるプリント回路基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の一側面によれば、熱硬化性の第１樹脂層と、上記第１樹脂層上に積層される熱可塑性の第２樹脂層と、上記第１樹脂層の下面に形成される第１回路と、上記第２樹脂層の上面に形成される第２回路と、上記第１樹脂層及び上記第２樹脂層を一括貫通するビアホールと、上記ビアホールの内部に形成され、上記第１回路と上記第２回路とを電気的に接続するメッキ層と、を含むプリント回路基板が提供される。
【0006】
本発明の他の側面によれば、熱硬化性樹脂層及び熱可塑性樹脂層が交互に繰り返し積層されて形成される積層体と、隣り合っている熱硬化性樹脂層と熱可塑性樹脂層とを一括貫通するビアホールと、上記ビアホールの内部に形成されるメッキ層と、を含むプリント回路基板が提供される。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】本発明の実施例に係るプリント回路基板を適用できる端末機を示す図である。
【図2】本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【図3】本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【図4】本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【図5】本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【図6】本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【図7】本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【図8】本発明の実施例に係るプリント回路基板を製造する方法を示す図である。
【図9】本発明の実施例に係るプリント回路基板を製造する方法を示す図である。
【図10】本発明の実施例に係るプリント回路基板を製造する方法を示す図である。
【図11】本発明の実施例に係るプリント回路基板を製造する方法を示す図である。
【図12】本発明の実施例に係るプリント回路基板を製造する方法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
本発明に係るプリント回路基板の実施例を添付図面を参照して詳細に説明し、添付図面を参照して説明するに当たって、同一または対応する構成要素には同一の図面符号を付し、これに対する重複説明を省略する。
【0009】
また、以下で使用する「第１」、「第２」等の用語は、同一または対応する構成要素を区別するための識別記号に過ぎず、同一または対応する構成要素が第１、第２等の用語により限定されることはない。
【0010】
また、「結合」とは、各構成要素間の接触関係において、各構成要素間に物理的に直接接触する場合のみを意味するものではなく、他の構成が各構成要素の間に介在され、その他の構成に構成要素がそれぞれ接触している場合まで包括する概念として使用される。
【0011】
図１は、本発明の実施例に係るプリント回路基板を適用できる端末機を示す図である。
【0012】
図１を参照すると、電子機器の端末機１には、メインボード２が装着され、メインボード２には、ＲＦ処理部（ＲＦモジュール）ＲＦ１、ＲＦ２、ＩＦ処理部（ＩＦチップ）ＩＦ、ベースバンドチップＢＢ等が実装できる。ＲＦ処理部ＲＦ１、ＲＦ２は、アンテナを介して受信される信号を減殺するためにＩＦ処理部ＩＦに信号を送信する。または、ＲＦ処理部ＲＦ１、ＲＦ２は、アンテナを介して信号を送信するために、ＩＦ処理部ＩＦで増幅された信号を受信する。ここで、ＲＦ処理部ＲＦ１、ＲＦ２とＩＦ処理部ＩＦとの交わす信号は、１０ＧＨｚ以上の高周波であり得る。
【0013】
図２から図７は、本発明の実施例に係るプリント回路基板を含むプリント回路基板を示す図である。本発明の実施例に係るプリント回路基板（図１の１０及び１０'）は、高周波信号を伝達することができ、メインボード（図１の２）上のＲＦ処理部（図１のＲＦ１、ＲＦ２）とＩＦ処理部（図１のＩＦ）とを接続することができる。
【0014】
図２を参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板は、第１樹脂層１１０、第２樹脂層１２０、第１回路２１０、第２回路２２０、及びビアを含むことができる。
【0015】
第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０は上下に積層される。例えば、第２樹脂層１２０は、第１樹脂層１１０の上に積層されることができる。
【0016】
第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０とは互いに異なる物性を有する。第１樹脂層１１０は、熱硬化性であり、第２樹脂層１２０は熱可塑性である。
【0017】
熱硬化性の第１樹脂層１１０としては、ＰＰＥ（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ ｅｔｈｅｒ）系樹脂、変性ポリイミド（ＰＩ）樹脂、変性エポキシ（Ｅｐｏｘｙ）系樹脂等を用いることができる。
【0018】
第１樹脂層１１０の樹脂の種類、樹脂に含有されるフィラーの種類、フィラーの含量等に応じて第１樹脂層１１０の誘電正接（Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｄｉｓｓｉｐａｔｉｏｎ ｆａｃｔｏｒ、Ｄｆ）を調整することができる。ここで、誘電正接とは、誘電損失に関する数値であって、誘電損失は、樹脂層（誘電体）に交流性電界が形成されたときに発生する損失電力を意味する。誘電正接は、誘電損失に比例し、誘電正接が小さいほど誘電損失は小さい。低誘電損失の特性を有する第１樹脂層１１０は、高周波信号伝達において損失低減の側面から有利である。
【0019】
第１樹脂層１１０の誘電正接は、０．００３以下であり、好ましくは０．００２以下である。また、第１樹脂層１１０の誘電定数（Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｃｏｎｓｔａｎｔ、Ｄｋ）は、３．５以下であることができる。
【0020】
一方、第１樹脂層１１０の厚さは、１０μｍ以上４０μｍ以下であることができる。また、第１樹脂層１１０のモジュラス（ｍｏｄｕｌｕｓ）は、１０Ｇｐａ以下であることができる。
【0021】
熱可塑性の第２樹脂層１２０としては、液晶ポリマー（ＬＣＰ；Ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｐｏｌｙｍｅｒ）、ＰＴＦＥ（Ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ＰＰＳ（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ Ｓｕｌｆｉｄｅ）、ＰＰＥ（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ Ｅｔｈｅｒ）、ポリイミド（ＰＩ）等を用いることができる。
【0022】
第２樹脂層１２０の誘電正接は、０．００３以下であり、好ましくは０．００２以下であることができる。また、第２樹脂層１２０の誘電定数は、３．５以下であることができる。
【0023】
一方、第２樹脂層１２０の厚さは、１０μｍ以上４０μｍ以下であることができる。第２樹脂層１２０の厚さは、第１樹脂層１１０の厚さと実質的に同一であることができるが、これに制限されない。また、第２樹脂層１２０のＣＴＥは、１８ｐｐｍ／℃以下であり、溶融点は、２６０℃以上であることができる。
【0024】
第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０との界面は、粗度面を含むことができる。粗度面とは、粗化処理されて凹凸を有する面を意味する。この粗度面により、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０とは互いに対する密着力を確保できる。
【0025】
回路は、電気信号を伝達する導体線であって、金属からなることができる。回路を なす金属には銅（Ｃｕ）等が挙げられる。回路は、高周波信号を伝達することができ、第１樹脂層１１０及び第２樹脂層１２０が低誘電損失の特性を有する場合は、回路が高周波信号を伝達するとき、第１樹脂層１１０及び第２樹脂層１２０による信号損失を低減できる。回路は、第１回路２１０及び第２回路２２０を含むことができる。
【0026】
第１回路２１０は、第１樹脂層１１０の下面に形成される回路であり、第２回路２２０は、第２樹脂層１２０の上面に形成される回路でる。
【0027】
具体的には、第１回路２１０は、第１樹脂層１１０の下面に埋め込まれる。すなわち、第１回路２１０は、第１樹脂層１１０の下面からは露出できるが、第１回路２１０の下面を除いた残りの面は、第１樹脂層１１０と接触する。
【0028】
また、第２回路２２０は、第２樹脂層１２０の上面から突出して形成される。すなわち、第２回路２２０は、第２樹脂層１２０の上面に接し、外側（上側）に突出する。
【0029】
第２回路２２０は、下部にシード層Ｓを含むことができる。シード層Ｓは、１〜２μｍの厚さを有することができる。シード層Ｓを含む第２回路２２０は、シード層Ｓとその以外の層とに区分できる。すなわち、第２回路２２０は、二重以上の層構造を有することができる。但し、シード層Ｓが複数層で構成される場合や、シード層Ｓの下に金属層がさらに含まれる場合は、第２回路２２０は、三重以上の層構造を有することもできる。
【0030】
第１回路２１０は、シード層を含まないことも可能である。この場合、第１回路２１０は、単一層で構成されることができる。
【0031】
一方、上述したように、回路は、第１樹脂層１１０の下面及び第２樹脂層１２０の上面に形成され、第１樹脂層１１０の上面（または第２樹脂層１２０の下面）には形成されない。すなわち、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０との境界面には回路が形成されない。
【0032】
ビアは、第１樹脂層１１０及び第２樹脂層１２０を一括貫通して形成され、第１回路２１０と第２回路２２０とを電気的に接続する。ビアは、ビアホール３１０と、その内部に形成されたメッキ層４１０とで構成されることができる。
【0033】
ビアホール３１０は、第１樹脂層１１０及び第２樹脂層１２０を一括貫通するホールである。ビアホール３１０により第１回路２１０が露出される。
【0034】
ビアホール３１０の横断面積は、第１樹脂層１１０から第２樹脂層１２０に行くほど大きくなることができる。この場合、ビアホール３１０の第１樹脂層１１０を貫通する部分の横断面積は、ビアホール３１０の第２樹脂層１２０を貫通する部分の横断面積より小さいことができる。
【0035】
メッキ層４１０は、ビアホール３１０の内部にメッキで形成された伝導性物質であって、第１回路２１０と第２回路２２０とを電気的に接続する。メッキ層４１０は、銅（Ｃｕ）等の金属からなることができる。
【0036】
メッキ層４１０の下面は、第１回路２１０と接触し、メッキ層４１０の上面は、第２回路２２０と接触することができる。第１回路２１０が端部に第１パッドを含む場合は、メッキ層４１０の下面は、第１パッドと接触することができる。第２回路２２０が端部に第２パッドを含む場合は、メッキ層４１０の上面は、第２パッドと接触することができる。第１パッドの幅は、第１回路２１０の幅よりも大きくて、横断面は円形や四角形に近い形状を有することができる。第２パッドの幅は、第２回路２２０の幅よりも大きくて、横断面は円形や四角形に近い形状を有することができる。
【0037】
メッキ層４１０は、ビアホール３１０の内部全体に形成されることができる。ビアホール３１０の内部全体がメッキ層４１０からなるビアは、フィル（ｆｉｌｌ）メッキビアと称することができる。
【0038】
メッキ層４１０は、シード層Ｓを含むことができる。シード層Ｓは、無電解メッキ方式により形成される無電解メッキ層であることができる。シード層Ｓは、メッキ層４１０の最も下の部分に位置することができる。また、メッキ層４１０は、シード層Ｓ上に形成される電解メッキ層を含むことができる。電解メッキ層は、電解メッキ方式により形成されるメッキ層である。
【0039】
メッキ層４１０及び第２回路２２０がシード層Ｓを含む場合、メッキ層４１０のシード層Ｓと第２回路２２０のシード層Ｓとが一体に形成される。これにより、第２パッドの下側のうちには、メッキ層４１０と接触しない一部にのみシード層Ｓが形成され、第２パッドのシード層Ｓは、メッキ層４１０の上面の外側に位置する。
【0040】
図３を参照すると、ビアホールは、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０を一括貫通しながら、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０とを露出させる。ここで、ビアホール３１０を介して露出される第１樹脂層１１０の表面の粗度Ａは、ビアホール３１０を介して露出される第２樹脂層１２０の表面の粗度Ｂよりも小さい。ビアホール３１０を介して露出される第１樹脂層１１０の表面の粗度Ｒａは、０．１以下であり、ビアホール３１０を介して露出される第２樹脂層１２０の表面の粗度Ｒａは、１以下であることができる。
【0041】
ビアホール３１０を介して露出される第１樹脂層１１０の表面の（相対的に）低い粗度は、回路を介する高周波信号の伝達時に信号損失を低減する。また、ビアホール３１０を介して露出される第２樹脂層１２０の表面の（相対的に）高い粗度は、ビアホール３１０内に形成されるメッキ層４１０と第１樹脂層１１０との間の密着力を向上させる。
【0042】
図４を参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板は、熱硬化性樹脂層及び熱可塑性樹脂層が交互に繰り返し積層されて形成される積層体と、隣り合っている熱硬化性樹脂層と熱可塑性樹脂層とを一括貫通するビアと、を含む。
【0043】
本発明の実施例に係るプリント回路基板は、熱硬化性の第１樹脂層１１０、熱可塑性の第２樹脂層１２０、熱硬化性の第３樹脂層１３０、熱可塑性の第４樹脂層１４０が順次積層された積層体を含むことができる。一方、第１樹脂層１１０の下には、さらに熱可塑性樹脂層が積層され、第４樹脂層１４０上には、さらに熱硬化性樹脂層が積層されることができる。
【0044】
熱硬化性の第１樹脂層１１０としては、ＰＰＥ（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ ｅｔｈｅｒ）系樹脂、変性ポリイミド（ＰＩ）樹脂、変性エポキシ（Ｅｐｏｘｙ）系樹脂等を用いることができる。
【0045】
第１樹脂層１１０の誘電正接は、０．００３以下であり、好ましくは、０．００２以下であることができる。また、第１樹脂層１１０の誘電定数（Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｃｏｎｓｔａｎｔ、Ｄｋ）は、３．５以下であることができる。
【0046】
一方、第１樹脂層１１０の厚さは、１０μｍ以上４０μｍ以下であることができる。また、第１樹脂層１１０のモジュラス（ｍｏｄｕｌｕｓ）は、１０Ｇｐａ以下であることができる。
【0047】
熱可塑性の第２樹脂層１２０としては、液晶ポリマー（ＬＣＰ；Ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｐｏｌｙｍｅｒ）、ＰＴＦＥ（Ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ＰＰＳ（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ Ｓｕｌｆｉｄｅ）、ＰＰＥ（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ Ｅｔｈｅｒ）、ポリイミド（ＰＩ）等を用いることができる。
【0048】
第２樹脂層１２０の誘電正接は、０．００３以下であり、好ましくは、０．００２以下であることができる。また、第２樹脂層１２０の誘電定数は、３．５以下であることができる。
【0049】
一方、第２樹脂層１２０の厚さは、１０μｍ以上４０μｍ以下であることができる。第２樹脂層１２０の厚さは、第１樹脂層１１０の厚さと実質的に同一であることができるが、これに制限されない。また、第２樹脂層１２０のＣＴＥは、１８ｐｐｍ／℃以下であり、 溶融点は、２６０℃以上であることができる。
【0050】
熱硬化性の第３樹脂層１３０としては、ＰＰＥ（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ ｅｔｈｅｒ）系樹脂、変性ポリイミド（ＰＩ）樹脂、変性エポキシ（Ｅｐｏｘｙ）系樹脂等を用いることができる。
【0051】
第３樹脂層１３０の誘電正接は、０．００３以下であり、好ましくは、０．００２以下であることができる。また、第３樹脂層１３０の誘電定数（Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｃｏｎｓｔａｎｔ、Ｄｋ）は、３．５以下であることができる。
【0052】
一方、第３樹脂層１３０の厚さは、１０μｍ以上４０μｍ以下であることができる。また、第３樹脂層１３０のモジュラス（ｍｏｄｕｌｕｓ）は、１０Ｇｐａ以下であることができる。
【0053】
第３樹脂層１３０は、第１樹脂層１１０と同一であることができる。
【0054】
熱可塑性の第４樹脂層１４０としては、液晶ポリマー（ＬＣＰ；Ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｐｏｌｙｍｅｒ）、ＰＴＦＥ（Ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ＰＰＳ（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ Ｓｕｌｆｉｄｅ）、ＰＰＥ（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ Ｅｔｈｅｒ）、ポリイミド（ＰＩ）等を用いることができる。
【0055】
第４樹脂層１４０の誘電正接は、０．００３以下であり、好ましくは、０．００２以下であることができる。また、第４樹脂層１４０の誘電定数は、３．５以下であることができる。
【0056】
一方、第４樹脂層１４０の厚さは、１０μｍ以上４０μｍ以下であることができる。第４樹脂層１４０の厚さは、第３樹脂層１３０の厚さと実質的に同一であることができるが、これに制限されない。また、第４樹脂層１４０のＣＴＥは、１８ｐｐｍ／℃以下であり、溶融点は、２６０℃以上であることができる。
【0057】
第４樹脂層１４０は、第２樹脂層１２０と同一であることができる。
【0058】
第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０との界面は、粗度面を含み、第３樹脂層１３０と第４樹脂層１４０との界面は、粗度面を含むことができる。
【0059】
本発明の実施例に係るプリント回路基板のビアは、隣り合っている熱硬化性樹脂層と熱可塑性樹脂層とを一括貫通する。ビアは、上記隣り合っている熱硬化性樹脂層と熱可塑性樹脂層とを一括貫通するビアホールと、上記ビアホールの内部に形成されるメッキ層とで構成されることができる。
【0060】
ビアは、第１ビア、第２ビア等を含むことができる。第１ビアは、第１ビアホール３１０と第１メッキ層４１０とで構成され、第２ビアは、第２ビアホール３２０と第２メッキ層４２０とで構成される。
【0061】
第１ビアホール３１０は、第１樹脂層１１０及び第２樹脂層１２０を一括貫通するホールである。第１ビアホール３１０により第１回路２１０が露出される。
【0062】
第１メッキ層４１０は、第１ビアホール３１０の内部にメッキで形成された伝導性物質であって、銅（Ｃｕ）等の金属からなることができる。
【0063】
第１メッキ層４１０は、第１ビアホール３１０の内部全体に形成されることができる。第１ビアホール３１０の内部全体が第１メッキ層４１０で形成されたビアは、フィル（ｆｉｌｌ）メッキビアと称することができる。
【0064】
第１メッキ層４１０は、シード層Ｓを含むことができる。シード層Ｓは、無電解メッキ方式により形成される無電解メッキ層であることができる。シード層Ｓは、第１メッキ層４１０の最も下の部分に位置することができる。また、第１メッキ層４１０は、シード層Ｓ上に形成される電解メッキ層を含むことができる。電解メッキ層は、電解メッキ方式により形成されるメッキ層である。
【0065】
第２ビアホール３２０は、第３樹脂層１３０及び第４樹脂層１４０を一括貫通するホールである。第２ビアホール３２０により第２回路２２０が露出される。
【0066】
第２メッキ層４２０は、第２ビアホール３２０の内部にメッキで形成された伝導性物質であって、銅（Ｃｕ）等の金属からなることができる。
【0067】
第２メッキ層４２０は、第２ビアホール３２０の内部全体に形成されることができる。第２ビアホール３２０に内部全体が第２メッキ層４２０で形成されたビアは、フィル（ｆｉｌｌ）メッキビアと称することができる。
【0068】
第２メッキ層４２０は、シード層Ｓを含むことができる。シード層Ｓは、無電解メッキ方式により形成される無電解メッキ層であることができる。シード層Ｓは、第２メッキ層４２０の最も下の部分に位置することができる。また、第２メッキ層４２０は、シード層Ｓ上に形成される電解メッキ層を含むことができる。電解メッキ層は、電解メッキ方式により形成されるメッキ層である。
【0069】
一方、隣り合っている熱硬化性樹脂層と熱可塑性樹脂層とを一括貫通するビアホールにおいて、上記ビアホールの上記熱硬化性樹脂層を貫通する部分の横断面積は、上記ビアホールの上記熱可塑性樹脂層を貫通する部分の横断面積より小さいことができる。
【0070】
第１ビアホール３１０の横断面積は、第１樹脂層１１０から第２樹脂層１２０に行くほど大きくなることができる。この場合、第１ビアホール３１０の第１樹脂層１１０を貫通する部分の横断面積は、第１ビアホール３１０の第２樹脂層１２０を貫通する部分の横断面積より小さいことができる。
【0071】
第２ビアホール３２０の横断面積は、第３樹脂層１３０から第４樹脂層１４０に行くほど大きくなることができる。この場合、第２ビアホール３２０の第３樹脂層１３０を貫通する部分の横断面積は、第２ビアホール３２０の第４樹脂層１４０を貫通する部分の横断面積より小さいことができる。
【0072】
図５を参照すると、ビアホールが、隣り合っている熱硬化性樹脂層と熱可塑性樹脂層とを一括貫通するとき、上記ビアホールに露出される上記熱硬化性樹脂層の表面の粗度は、上記ビアホールに露出される上記熱可塑性樹脂層の表面の粗度より小さいことができる。
【0073】
すなわち、第１ビアホール３１０は、第１樹脂層１１０及び第２樹脂層１２０を一括貫通しながら、第１樹脂層１１０及び第２樹脂層１２０を露出させる。ここで、第１ビアホール３１０を介して露出される第１樹脂層１１０の表面の粗度Ａは、第１ビアホール３１０を介して露出される第２樹脂層１２０の表面の粗度Ｂよりも小さい。第１ビアホール３１０を介して露出される第１樹脂層１１０の表面の粗度Ｒａは、０．１以下であり、第１ビアホール３１０を介して露出される第２樹脂層１２０の表面の粗度Ｒａは、１以下であることができる。
【0074】
同様に、第２ビアホール３２０は、第３樹脂層１３０と第４樹脂層１４０とを一括貫通しながら、第３樹脂層１３０及び第４樹脂層１４０を露出させる。ここで、第２ビアホール３２０を介して露出される第３樹脂層１３０の表面の粗度は、第２ビアホール３２０を介して露出される第４樹脂層１４０の表面の粗度よりも小さい。第２ビアホール３２０を介して露出される第３樹脂層１３０の表面の粗度Ｒａは、０．１以下であり、第２ビアホール３２０を介して露出される第４樹脂層１４０の表面の粗度Ｒａは、１以下であることができる。
【0075】
再び、図４を参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板は、上記熱可塑性樹脂層の一面に形成され、上記熱硬化性樹脂層に埋め込まれる回路をさらに含む。回路は、ビアホールが一括貫通する熱硬化性樹脂層及び熱可塑性樹脂層において、熱可塑性樹脂層の熱硬化性樹脂層と接しない一面に形成される。また、熱可塑性樹脂層の他面には回路が形成されない。
【0076】
回路は、第１回路２１０、第２回路２２０、第３回路２３０等を含むことができる。
【0077】
第１回路２１０は、第１樹脂層１１０の下面に形成される回路である。第１回路２１０は、第１樹脂層１１０の下に積層された熱可塑性樹脂層（図示せず）の上面に形成され、第１樹脂層１１０に埋め込まれる。第１回路２１０は、第１樹脂層１１０の下面からは露出できるが、第１樹脂層１１０の下面を除いた残りの面は第１樹脂層１１０と接触する。
【0078】
第２回路２２０は、第２樹脂層１２０の上面に形成され、第３樹脂層１３０に埋め込まれる回路である。
【0079】
第３回路２３０は、第４樹脂層１４０の上面に形成され、第４樹脂層１４０上に積層された熱硬化性樹脂層（図示せず）に埋め込まれる。
【0080】
第１回路２１０と第２回路２２０とは、第１ビアの第１メッキ層４１０を介して電気的に接続され、第２回路２２０と第３回路２３０とは、第２ビアの第２メッキ層４２０を介して電気的に接続されることができる。
【0081】
第１メッキ層４１０は、第１回路２１０の上面及び第２回路２２０の下面と接触することができる。さらに第１回路２１０は、端部に第１パッドを含み、第２回路２２０は、端部に第２パッドを含み、第１メッキ層４１０は、第１パッドと第２パッドとの間に介在され、第１パッド及び第２パッドのそれぞれと接触することができる。
【0082】
第２メッキ層４２０は、第２回路２２０の上面及び第３回路２３０の下面と接触することができる。さらに、第２回路２２０は、端部に第２パッドを含み、第３回路２３０は、端部に第３パッドを含み、第２メッキ層４２０は、第２パッドと第３パッドとの間に介在され、第２パッド及び第３パッドのそれぞれと接触することができる。
【0083】
第１パッドの幅は、第１回路２１０の幅よりも大きく、横断面が円形または四角形に近い形状を有することができる。第２パッドの幅は、第２回路２２０の幅よりも大きく、横断面が円形または四角形に近い形状を有することができる。第３パッドの幅は、第３回路２３０の幅よりも大きく、横断面が円形または四角形に近い形状を有することができる。
【0084】
また、回路は、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０との境界面、また第３樹脂層１３０と第４樹脂層１４０との境界面には形成されない。
【0085】
一方、回路は、積層体の最外層に形成される最外層回路を含み、最外層回路のうちの最上部回路は、積層体の最上層に位置する熱可塑性樹脂層の上面から外側に突出するように形成される。また、最外層回路のうちの最下部回路は、積層体の最下層に位置する熱硬化性樹脂層の下面に埋め込まれる。
【0086】
第１回路２１０、第２回路２２０及び第３回路２３０のそれぞれは、下部にシード層Ｓを含むことができる。シード層Ｓは、１〜２μｍの厚さを有することができる。
【0087】
上述した最外層回路のうちの最下部回路は、シード層を含まないことができる。
【0088】
また、第１メッキ層４１０及び第２回路２２０がシード層Ｓを含む場合、第１メッキ層４１０のシード層Ｓと第２回路２２０のシード層Ｓとは一体に形成される。これにより、第２パッドの下側のうちには、第１メッキ層４１０と接触しない一部にのみシード層Ｓが形成され、第２パッドのシード層Ｓは、第１メッキ層４１０の上面の外側に位置する。
【0089】
同様に、第２メッキ層４２０及び第３回路２３０がシード層Ｓを含む場合、第２メッキ層４２０のシード層Ｓと第３回路２３０のシード層Ｓとは一体に形成される。これにより、第３パッドの下側のうちには、第２メッキ層４２０と接触しない一部にのみシード層Ｓが形成され、第３パッドのシード層Ｓは、第２メッキ層４２０の上面の外側に位置する。
【0090】
図６を参照すると、プリント回路基板は、軟性基板であることができる。この場合、積層体を構成する熱硬化性樹脂層及び熱可塑性樹脂層がすべて軟性素材（屈曲性の高い素材）で形成されることができる。また、積層体の両面には最外層回路をカバーし保護するカバー層５００をさらに形成することができ、このカバー層５００は、軟性素材のカバーレイ（ｃｏｖｅｒｌａｙ）であることができる。また、カバー層５００がカバーしている最外層回路が高周波信号を伝達する回路である場合は、カバー層の誘電正接が０．００２以下等の比較的低い素材からなることができる。
【0091】
一方、カバー層５００の一部が除去されて露出する最外層回路は、外部との接続のためのパッド２４０として機能することができる。
【0092】
図７を参照すると、プリント回路基板は、硬軟性基板であることができる。積層体を構成する熱硬化性樹脂層と熱可塑性樹脂層とがすべて軟性素材（屈曲性の高い素材）で形成され、積層体の一部領域の両面（または一面）に硬性素材（屈曲性の低い素材）の絶縁層５１０が積層されることができる。
【0093】
硬性素材の絶縁層５１０には、積層体に形成された回路に電気的に接続する回路を形成することができる。硬性素材の絶縁層５１０の一部が除去されて露出する回路は、外部との接続のためのパッド２４０として機能することができる。
【0094】
一方、積層体と硬性素材の絶縁層５１０との間には、図６を参照して説明した軟性素材のカバー層５００が介在できる。
【0096】
図８の（ａ）を参照すると、ディタッチコアＤが設けられる。ディタッチコアＤは、プリント回路基板を製造するためのキャリア（ｃａｒｒｉｅｒ）であって、最終的には除去されることができる（ｄｅｔａｃｈａｂｌｅ）。ディタッチコアＤは、絶縁材Ｃ、絶縁材Ｃの両面に積層されたキャリア金属層Ｍ１、及びキャリア金属層Ｍ１に積層されたシード金属層Ｍ２で構成されることができる。キャリア金属層Ｍ１の厚さがシード金属層Ｍ２の厚さよりも大きいことが可能である。
【0098】
図８の（ｄ）を参照すると、パターニングされたレジストフィルムＦに対応してメッキが行われ、第１回路２１０が形成される。第１回路２１０の形成の後にレジストフィルムＦは剥離される。第１回路２１０は、ＳＡＰ法またはＭＳＡＰ法により形成可能である。この場合、４０ｐｉｔｃｈ以下の微細回路が形成可能となる。
【0099】
図９を参照すると、第１回路２１０をカバーするように、ディタッチコアＤ上に熱硬化性の第１樹脂層１１０が積層される。第１回路２１０は、第１樹脂層１１０内に埋め込まれる。
【0100】
第１樹脂層１１０の積層は、ロール（ｒｏｌｌ）ラミネーション方法、または真空ラミネーション方法により行われることができる。
【0101】
第１樹脂層１１０は、第１樹脂層１１０の最終硬化温度以下の温度下で積層される。また、上記温度は、第２樹脂層１２０の溶融点よりも低い。
【0102】
例えば、第２樹脂層１２０がＬＣＰであって、ＬＣＰの溶融点は２８０℃以上であり、第１樹脂層１１０は１６０℃以下で積層されることができる。
【0103】
図１０を参照すると、熱硬化性の第１樹脂層１１０上に熱可塑性の第２樹脂層１２０が積層される。第２樹脂層１２０は、Ｖ−ｐｒｅｓｓ工程により積層される。第２樹脂層１２０は、第１樹脂層１１０が十分に硬化できるように、第１樹脂層１１０の最終硬化温度以上で積層される。また、第２樹脂層１２０は、第２樹脂層１２０の溶融点よりも低い温度で加圧積層されることができる。例えば、第２樹脂層１２０がＬＣＰである場合、第２樹脂層１２０は２２０℃で積層されることができる。
【0104】
図１１の（ａ）を参照すると、第１樹脂層１１０及び第２樹脂層１２０を一括貫通する第１ビアホール３１０が形成される。第１ビアホール３１０は、レーザードリル等により形成可能であり、第１ビアホール３１０は、第１回路２１０を露出させる。
【0105】
図１１の（ｂ）を参照すると、シード層Ｓが形成される。シード層Ｓは、第１ビアホール３１０の内壁及び底面だけではなく、第２樹脂層１２０の表面まで延長される。シード層Ｓは、無電解メッキ方式により形成可能である。
【0106】
図１１の（ｃ）を参照すると、レジストフィルムＦが塗布された後にパターニングされ、パターニングされたレジストフィルムＦに対応して電解メッキ層が形成される。
【0107】
図１１の（ｄ）を参照すると、レジストフィルムＦが剥離され、不要なシード層Ｓが除去されることにより、第２回路２２０及び第１ビアが形成される。図１１の（ｄ）では、図１１の（ｂ）と図１１の（ｃ）で形成されたシード層Ｓ及び電解メッキ層は、第２回路２２０及び第１メッキ層４１０（第１ビア）となる。第２回路２２０は、ＳＡＰ法またはＭＳＡＰ法により形成可能である。この場合、４０ｐｉｔｃｈ以下の微細回路が形成可能となる。
【0108】
図１２の（ｂ）は、図１２の（ａ）以後に、図９から図１１の工程を繰り返して製造されたものを示す。図１２の（ｂ）には、図１２の（ａ）に比べて、第３樹脂層１３０、第４樹脂層１４０、第２ビア、及び第３回路２３０がさらに形成された。
【0109】
図１２の（ｃ）を参照すると、ディタッチコアＤのうちのシード金属層Ｍ２を除いた残りの部分が除去される。すなわち、キャリア金属層Ｍ１とシード金属層Ｍ２との界面が分離される。
【0110】
図１２の（ｄ）を参照すると、シード金属層Ｍ２がエッチングにより除去される。この場合、第１回路２１０がプリント回路基板の最下部回路となり、第１回路２１０はシード層Ｓを含まず、その他の第２回路２２０及び第３回路２３０はシード層Ｓを含むことができる。
【0111】
以上では、本発明の一実施例について説明したが、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された本発明の思想から逸脱しない範囲内で、構成要素の付加、変更、削除または追加などにより本発明を様々に修正及び変更することができ、これも本発明の権利範囲に含まれるものといえよう。
【符号の説明】
【0112】
１１０ 第１樹脂層１２０ 第２樹脂層
１３０ 第３樹脂層
１４０ 第４樹脂層
２１０ 第１回路
２２０ 第２回路
２３０ 第３回路
３１０ 第１ビアホール
３２０ 第２ビアホール
４１０ 第１メッキ層
４２０ 第２メッキ層
Ｓ シード層
５００ カバー層
６００ 補強板