(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】特開2020-144833(P2020-144833A)
(43)【公開日】2020年9月10日
(54)【発明の名称】インバーターのメモリー管理装置および方法
(51)【国際特許分類】
G06F 12/02 20060101AFI20200814BHJP
H02M 7/48 20070101ALI20200814BHJP
【FI】
G06F12/02 540
H02M7/48 Z
【審査請求】有
【請求項の数】10
【出願形態】OL
【全頁数】12
(21)【出願番号】特願2019-184554(P2019-184554)
(22)【出願日】2019年10月7日
(31)【優先権主張番号】10-2019-0024813
(32)【優先日】2019年3月4日
(33)【優先権主張国】KR
(71)【出願人】
【識別番号】593121379
【氏名又は名称】エルエス、エレクトリック、カンパニー、リミテッド
【氏名又は名称原語表記】LS ELECTRIC CO., LTD.
(74)【代理人】
【識別番号】100091982
【弁理士】
【氏名又は名称】永井 浩之
(74)【代理人】
【識別番号】100091487
【弁理士】
【氏名又は名称】中村 行孝
(74)【代理人】
【識別番号】100105153
【弁理士】
【氏名又は名称】朝倉 悟
(74)【代理人】
【識別番号】100107582
【弁理士】
【氏名又は名称】関根 毅
(74)【代理人】
【識別番号】100120385
【弁理士】
【氏名又は名称】鈴木 健之
(72)【発明者】
【氏名】ジョン、ミヨン
【テーマコード(参考)】
5B160
5H770
【Fターム(参考)】
5B160AA12
5H770GA19
(57)【要約】 (修正有)
【課題】メモリーバッファーに割り当てされた複数の割り当て領域に関する情報をメモリーマップに複数のエレメントに保存して管理するインバーターのメモリー管理装置及び方法を提供する。
【解決手段】インバーターのメモリー管理装置は、インデックス設定部、インデックス保存部およびエレメント検索部を含む。インデックス設定部は、メモリーマップに保存された複数のエレメントにマップインデックスをそれぞれ設定する。インデックス保存部は、メモリーバッファーに割り当てられた複数の割り当て領域にこれと対応するマップインデックスをそれぞれ保存する。エレメント検索部は、メモリーバッファーに保存されたマップインデックスを用いてメモリーマップでエレメントを検索する。
【選択図】
図4
【特許請求の範囲】
【請求項1】
メモリーバッファーに割り当てされた複数の割り当て領域に関する情報をメモリーマップに複数のエレメントに保存して管理するインバーターのメモリー管理装置であって、
前記メモリーマップに保存された複数のエレメントにマップインデックスをそれぞれ設定するインデックス設定部と、
前記メモリーバッファーに割り当てられた複数の割り当て領域にこれと対応する前記マップインデックスをそれぞれ保存するインデックス保存部と、
前記メモリーバッファーに保存された前記マップインデックスを用いて前記メモリーマップで前記エレメントを検索するエレメント検索部と、を含むインバーターのメモリー管理装置。
【請求項2】
前記エレメント検索部によって検索された前記エレメントの使用可否を「使用」から「不使用」に変更して前記メモリーバッファーに保存されたデータを削除するデータ削除部をさらに含む請求項1に記載のインバーターのメモリー管理装置。
【請求項3】
前記インデックス保存部は、
前記複数の割り当て領域の開始アドレスに前記マップインデックスを保存する請求項1または請求項2に記載のインバーターのメモリー管理装置。
【請求項4】
前記メモリーバッファーは、
前記マップインデックスが保存された前記開始アドレスの次のアドレスからデータを保存する請求項3に記載のインバーターのメモリー管理装置。
【請求項5】
前記エレメント検索部は、
削除しようとするデータが保存されたアドレスの直前のアドレスにアクセスして前記マップインデックスを判読し、判読された前記マップインデックスを有する前記エレメントにアクセスする請求項4に記載のインバーターのメモリー管理装置。
【請求項6】
前記メモリーマップは、
前記複数のエレメントごとに前記マップインデックスと、前記割り当て領域のサイズ、開始アドレスおよび使用可否を含む属性情報を保存する請求項1ないし請求項5のいずれか1項の記載のインバーターのメモリー管理装置。
【請求項7】
メモリーバッファーに割り当てされた複数の割り当て領域に関する情報をメモリーマップに複数のエレメントに保存して管理するインバーターのメモリー管理方法であって、
前記メモリーマップに保存された複数のエレメントにマップインデックスをそれぞれ設定するステップと、
前記メモリーバッファーに割り当てられた複数の割り当て領域にこれと対応する前記マップインデックスをそれぞれ保存するステップと、
前記メモリーバッファーに保存された前記マップインデックスを用いて前記メモリーマップで前記エレメントを検索するステップと、を含むインバーターのメモリー管理方法。
【請求項8】
検索された前記エレメントの使用可否を「使用」から「不使用」に変更して前記メモリーバッファーに保存されたデータを削除するステップをさらに含む請求項7に記載のインバーターのメモリー管理方法。
【請求項9】
前記マップインデックスを保存するステップは、
前記複数の割り当て領域の開始アドレスに前記マップインデックスを保存し、前記マップインデックスが保存された前記開始アドレスの次のアドレスからデータを保存するステップである請求項7または請求項8に記載のインバーターのメモリー管理方法。
【請求項10】
前記エレメントを検索するステップは、
削除しようとするデータが保存されたアドレスの直前のアドレスにアクセスして前記マップインデックスを判読し、判読された前記マップインデックスを有する前記エレメントにアクセスするステップである請求項9に記載のインバーターのメモリー管理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、メモリー管理装置および方法に関する。特に、インバーターのメモリー管理装置および方法に関する。
【背景技術】
【0002】
インバーターは、モーターを効率的に制御するための装置であって、モーターの消費電力を低減し、エネルギー効率を向上させる。
【0003】
これらのインバーターは、エンベデッドシステムでソフトウェアを開発する際、一般的に標準ライブラリ関数の代わりに性能を考慮してシステムに適した関数を作って使用する。
【0004】
また、メモリー管理システムも直接作って使用するが、この場合は、メモリーマップでのサーチング速度が重要である。
【0005】
図1は、従来のメモリーバッファーを示す図であり、
図2は、従来のメモリーマップを示す図であり、
図3は、
図2のメモリーマップに保存されたエレメントの情報を示す図である。
【0006】
図1を参照すると、メモリーバッファーは、複数の割り当て領域1ごとにメモリーバッファーアドレス2と、メモリーバッファーを使用するデータ3を保存する。
【0007】
メモリーマップは、メモリーバッファーの割り当て情報がエレメント形式に保存されて管理される。
【0008】
図2および
図3を参照すると、メモリーマップは、複数のエレメント10ごとに割り当て領域1のメモリーサイズ11、開始アドレス12および使用可否13を含む属性情報を保存する。
【0009】
一方、データの読み取りと書き込みは、メモリーバッファーのアドレスを用いて行い、これ以上使用されないデータの削除もメモリーバッファーから当該アドレスを見つけて削除するべきである。
【0010】
しかし、メモリマップから当該アドレスを見つけるには、メモリーマップに保存されたアドレスを順次比較しつつ見つけるため、時間がかかり、効率が低下する問題点がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0011】
本発明は、メモリーマップで特定のエレメントをより迅速かつ容易に検索できるインバーターのメモリー管理装置および方法を提供することを目的とする。
【0012】
また、本発明は、メモリーバッファーから当該の割り当て領域のデータを削除するとき、比較的迅速かつ効率的に動作でき、限定的な資源および低性能の部品を使用するエンベデッドシステムに効果的に適用できるインバーターのメモリー管理装置および方法を提供することを目的とする。
【0013】
本発明における技術的課題は、以上で言及した技術的課題に制限されず、言及しないまた他の技術的課題は、以下の記載から本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者に明確に理解されるであろう。
【課題を解決するための手段】
【0014】
これらの課題を解決するために、本発明は、メモリーバッファーに割り当てされた複数の割り当て領域に関する情報をメモリーマップに複数のエレメントで保存して管理するインバーターのメモリー管理装置であって、メモリーマップに保存された複数のエレメントにマップインデックスをそれぞれ設定するインデックス設定部と、メモリーバッファーに割り当てられた複数の割り当て領域にこれと対応するマップインデックスをそれぞれ保存するインデックス保存部と、メモリーバッファーに保存されたマップインデックスを用いてメモリーマップでエレメントを検索するエレメント検索部と、を含むインバーターのメモリー管理装置を提供する。
【0015】
また、インバーターのメモリー管理装置は、エレメント検索部によって検索されたエレメントの使用可否を「使用」から「不使用」に変更してメモリーバッファーに保存されたデータを削除するデータ削除部をさらに含み得る。
【0016】
ここで、インデックス保存部は、複数の割り当て領域の開始アドレスにマップインデックスを保存し得る。
【0017】
また、メモリーバッファーは、マップインデックスが保存された開始アドレスの次のアドレスからデータを保存し得る。
【0018】
また、エレメント検索部は、削除しようとするデータが保存されたアドレスの直前のアドレスにアクセスしてマップインデックスを判読し、判読されたマップインデックスを有するエレメントにアクセスし得る。
【0019】
また、メモリーマップは、複数のエレメントごとにマップインデックスと、割り当て領域のサイズ、開始アドレスおよび使用可否を含む属性情報を保存し得る。
【0020】
また、メモリーバッファーに割り当てされた複数の割り当て領域に関する情報をメモリーマップに複数のエレメントに保存して管理するインバーターのメモリー管理方法であって、メモリーマップに保存された複数のエレメントにマップインデックスをそれぞれ設定するステップと、メモリーバッファーに割り当てられた複数の割り当て領域にこれと対応するマップインデックスをそれぞれ保存するステップと、メモリーバッファーに保存されたマップインデックスを用いてメモリーマップでエレメントを検索するステップと、を含むインバーターのメモリー管理方法を提供する。
【0021】
また、インバーターのメモリー管理方法は、検索されたエレメントの使用可否を「使用」から「不使用」に変更してメモリーバッファーに保存されたデータを削除するステップをさらに含み得る。
【0022】
ここで、マップインデックスを保存するステップは、複数の割り当て領域の開始アドレスにマップインデックスを保存し、マップインデックスが保存された開始アドレスの次のアドレスからデータを保存するステップであり得る。
【0023】
また、エレメントを検索するステップは、削除しようとするデータが保存されたアドレスの直前のアドレスにアクセスしてマップインデックスを判読し、判読されたマップインデックスを有するエレメントにアクセスするステップであり得る。
【発明の効果】
【0024】
本発明によると、マップインデックスを用いてメモリーマップで特定のエレメントをより迅速かつ容易に検索できる長所がある。
【0025】
また、本発明によると、マップインデックスを用いてメモリーマップで特定のエレメントを比較的迅速に検索し、メモリーバッファーから当該の割り当て領域のデータを削除するとき、比較的迅速かつ効率的に動作できる。そして、限定的な資源および低性能の部品を使用するエンベデッドシステムに効果的に適用できる。
【0026】
本発明の効果は、以上で言及したものに限定されず、言及しない他の効果は、以下の記載から当該の技術分野における通常の知識を有する者が明確に理解できるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0027】
【
図3】
図2のメモリーマップに保存されたエレメントの情報を示す図である。
【
図4】本発明の実施例によるインバーターのメモリー管理装置のブロック図である。
【
図5】本発明の実施例によるメモリーマップを示す図である。
【
図6】
図5のメモリーマップに保存されたエレメントの情報を示す図である。
【
図7】本発明の実施例によるメモリーバッファーを示す図である。
【
図8】本発明の実施例によるインバーターのメモリー管理方法のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【0028】
本明細書および請求の範囲に使用される用語や単語は、通常的、辞書的な意味に限定して解釈されてはならず、発明者は、自分の発明を最も最善の方法で説明するために、用語の概念を適切に定義できるという原則に基づき、本発明の技術的思想に符合する意味と概念として解釈されるべきである。
【0029】
したがって、本明細書に記載された実施例と図面に図示された構成は、本発明の最も好ましい実施例に過ぎず、本発明の技術的思想をすべて代弁するものではないため、本出願の時点において、これらを代替できる様々な均等物と変形例があり得ることを理解するべきである。
【0030】
以下、添付された図面を参照して本発明の実施例について本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施するように具体的に説明する。
【0031】
まず、メモリーは、インバーターの動作を制御するための制御データとモーターパラメーターを保存し得る。
【0032】
これらのメモリーは、ロム(Read Only Memory)、イーピーロム(Erasable Programmable Read Only Memory:EPROM)、イーイーピーロム(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory:EEPROM )などの不揮発性メモリーを含み得る。
【0033】
不揮発性メモリーは、揮発性メモリーの補助記憶装置として動作でき、モーターパラメーターを具現するための制御プログラムおよび制御データを保存し得る。
【0034】
また、インバーターの電源がオフされても不揮発性メモリーに保存されたデータは保存される。
【0035】
モーターパラメーターは、通信インターフェースを介してあらかじめ定められた通信規約に基づいてデータバス(BUS)を介してインバーターに送信され得る。ここで、通信インターフェースは、I2C(Inter−Integrated Circuit)プロトコル、SPI(Serial Peripheral Interface)プロトコル、UART(Universal Asynchronous Receive−Transmit)プロトコルによってインバーターと通信し得る。
【0036】
特に、不揮発性メモリーからデータを読み取るか、または不揮発性メモリーにデータを書き込むためにI2Cプロトコルが広く利用される。I2Cプロトコルを利用する場合、通信インターフェースは、SCL(Serial Clock)ラインとSDA(Serial Data)ラインを介してデータを送受信し得る。
【0037】
本発明の実施例によるメモリー管理装置は、メモリーと通信インターフェースの動作を制御し、メモリーに保存されたモーターパラメーターを管理する。
【0038】
例えば、メモリー管理装置は、通信インターフェースを介して制御回路からモーターパラメーターを受信し、メモリーにモーターパラメーターを保存し得る。また、メモリーからモーターパラメーターをロードし、メモリーのモーターパラメーターを通信インターフェースを介して制御回路に送信し得る。
【0039】
以上では、メモリー、通信インターフェースおよびメモリー管理装置について別に説明したが、メモリー、通信インターフェースおよびメモリー管理装置は、1つのチップとして具現できる。つまり、1つのチップがモーターパラメーターの保存、制御回路と通信およびモーターパラメーターの管理などの機能をすべて行い得る。
【0040】
例えば、メモリーは、1つのチップに設けられた不揮発性ブロックによって具現できる。そして、メモリー管理装置と通信インターフェースは、FPGA(Field−Programmable Gate Array)または、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)のようなハードウェアによって具現されるか、またはメモリーに保存されたソフトウェアによって具現できる。
【0041】
前述したように、インバーターは、モーターを回転させるための駆動電力を供給し、モーターのモーターパラメーターを保存し得る。また、インバーターは、制御回路との通信を介してモーターパラメーターをやり取りできる。
【0042】
図4は、本発明の実施例によるインバーターのメモリー管理装置のブロック図であり、
図5は、本発明の実施例によるメモリーマップを示す図であり、
図6は、
図5のメモリーマップに保存されたエレメントの情報を示す図であり、
図7は、本発明の実施例によるメモリーバッファーを示す図である。
【0043】
本発明の実施例によるインバーターのメモリー管理装置は、メモリーバッファー120に割り当てられた複数の割り当て領域121に関する情報をメモリーマップ100に複数のエレメント110に保存して管理する。
【0044】
ここで、メモリーバッファー120には、インバーターの動作を制御するためのデータが保存される。
【0045】
図4に示すように、本発明の実施例によるインバーターのメモリー管理装置は、インデックス設定部210、インデックス保存部220、エレメント検索部230およびデータ削除部240を含んで構成できる。
【0046】
インデックス設定部210は、メモリーマップ100に保存された複数のエレメント110にマップインデックス111をそれぞれ設定する。
【0047】
インデックス保存部220は、メモリーバッファー120に割り当てられた複数の割り当て領域121にこれと対応するメモリーマップ100のマップインデックス111をそれぞれ保存する。
【0048】
図5および
図6を参照すると、メモリーマップ100は、複数のエレメント110ごとにマップインデックス111と、割り当て領域121のサイズ112、開始アドレス113および使用可否114を含む属性情報を保存する。
【0049】
そして、
図7を参照すると、メモリーバッファー120は、複数の割り当て領域121ごとにメモリーバッファーアドレス122と、メモリーマップ100の各エレメント110と対応するマップインデックス111と、メモリーバッファー120を使用するデータ124を保存する。
【0050】
インデックス保存部220は、複数の割り当て領域121の開始アドレスにマップインデックス111を保存する。
【0051】
これにより、メモリーバッファー120は、マップインデックス111が保存された開始アドレスの次のアドレスからデータ124を保存することになる。
【0052】
例えば、
図7に示すように、第1割り当て領域(Allocation1)121は、0〜3番のメモリーバッファーアドレス122が割り当てられ、第2割り当て領域(Allocation2)121は、4〜8番のメモリーバッファーアドレス122が割り当てられ得る。そして、第3割り当て領域(Allocation3)121は、9〜11番のメモリーバッファーアドレス122が割り当てられ、第4割り当て領域(Allocation4)121は、12〜16番のメモリーバッファーアドレス122が割り当てられ得る。
【0053】
そして、第1割り当て領域(Allocation1)121の開始アドレス(0番)にマップインデックス(Map Index0)111が保存され、この開始アドレス(0番)の次のアドレス(1〜3番)からデータ(Data)124が保存される。そして、第2割り当て領域(Allocation2)121の開始アドレス(4番)にマップインデックス(Map Index1)111が保存され、この開始アドレス(4番)の次のアドレス(5〜8番)からデータ(Data)124が保存される。そして、第3割り当て領域(Allocation3)121の開始アドレス(9番)にマップインデックス(Map Index2)111が保存され、この開始アドレス(9番)の次のアドレス(10〜11番)からデータ(Data)124が保存される。そして、第4割り当て領域(Allocation4)121の開始アドレス(12番)にマップインデックス(Map Index3)111が保存され、この開始アドレス(12番)の次のアドレス(13〜16番)からデータ(Data)124が保存される。
【0054】
また、
図5を参照すると、第1エレメント(Element1)には、マップインデックス(Index0)が設定され、メモリーバッファー120の第1割り当て領域(Allocation1)121に該当するメモリーサイズ(4)、開始アドレス(0番)および使用可否(使用:Y)が保存される。そして、第2エレメント(Element2)には、マップインデックス(Index1)が設定され、メモリーバッファー120の第2割り当て領域(Allocation2)121に該当するメモリーサイズ(5)、開始アドレス(4番)および使用可否(使用:Y)が保存される。第3エレメント(Element3)には、マップインデックス(Index2)が設定され、メモリーバッファー120の第3割り当て領域(Allocation1)121に該当するメモリーサイズ(3)、開始アドレス(9番)および使用可否(不使用:N)が保存される。そして、第4エレメント(Element4)には、マップインデックス(Index3)が設定され、メモリーバッファー120の第4割り当て領域(Allocation4)121に該当するメモリーサイズ(5)、開始アドレス(12番)および使用可否(使用:Y)が保存される。
【0055】
エレメント検索部230は、メモリーバッファー120に保存されたマップインデックス111を用いてメモリーマップ100でエレメント110を検索する。
【0056】
エレメント検索部230は、削除しようとするデータ124が保存されたアドレスの直前のアドレスにアクセスしてマップインデックス111を判読し、判読されたマップインデックス111を有するエレメント110にアクセスし得る。
【0057】
例えば、
図5および
図7を参照すると、第2割り当て領域(Allocation2)に保存されたデータを削除しようとする場合、エレメント検索部230は、このデータが保存された5〜8番アドレスの直前のアドレスである4番アドレスにアクセスしてマップインデックス(Map Index1)を判読し、メモリーマップ100で判読されたマップインデックス(Map Index1)を有する第2エレメント(Element2)にアクセスする。
【0058】
このように、本発明の実施例によるインバーターのメモリー管理装置は、マップインデックス111を用いてメモリーマップ100で特定のエレメントをより迅速かつ容易に検索できる長所がある。
【0059】
データ削除部240は、エレメント検索部230によって検索されたエレメント110の使用可否を「使用」から「不使用」に変更してメモリーバッファー120に保存されたデータを削除する。
【0060】
前述した例において、データ削除部240は、第2エレメント(Element2)の使用可否を「使用(Y)」から「不使用(N)」に変更してメモリーバッファー120に保存されたデータを削除できる。
【0061】
このように、本発明の実施例によるインバーターのメモリー管理装置は、マップインデックス111を用いてメモリーマップ100で特定のエレメントを比較的迅速に検索し、メモリーバッファー120から当該の割り当て領域のデータを削除するとき、比較的迅速かつ効率的に動作できる。そして、限定的な資源および低性能の部品を使用するエンベデッドシステムに効果的に適用できる。
【0062】
図8は、本発明の実施例によるインバーターのメモリー管理方法のフローチャートである。
【0063】
以下、
図1ないし
図8を参照して本発明の実施例によるインバーターのメモリー管理方法について説明するが、前述したインバーターのメモリー管理装置と同じ内容については省略する。
【0064】
本発明の実施例によるインバーターのメモリー管理方法は、メモリーバッファー120に割り当てられた複数の割り当て領域121に関する情報をメモリーマップ100に複数のエレメント110に保存して管理する方法である。
【0065】
ここで、メモリーバッファー120には、インバーターの動作を制御するためのデータが保存される。
【0066】
本発明の実施例によるインバーターのメモリー管理方法は、メモリーマップ100に保存された複数のエレメント110にマップインデックス111をそれぞれ設定するステップS10と、メモリーバッファー120に割り当てられた複数の割り当て領域121にこれと対応するマップインデックス111をそれぞれ保存するステップS20と、メモリーバッファー120に保存されたマップインデックス111を用いてメモリーマップ100でエレメント110を検索するステップS30を含んで構成され得る。
【0067】
このように、本発明の実施例によるインバーターのメモリー管理方法は、マップインデックス111を用いてメモリーマップ100で特定のエレメントをより迅速かつ容易に検索できる長所がある。
【0068】
マップインデックスを保存するステップS20は、複数の割り当て領域121の開始アドレスにマップインデックス111を保存し、マップインデックス111が保存された開始アドレスの次のアドレスからデータ124を保存する。
【0069】
また、本発明の実施例によるインバーターのメモリー管理方法は、検索されたエレメント110の使用可否を「使用」から「不使用」に変更してメモリーバッファー120に保存されたデータを削除するステップをさらに含み得る。
【0070】
エレメントを検索するステップS30は、削除しようとするデータ124が保存されたアドレスの直前のアドレスにアクセスしてマップインデックス111を判読し、判読されたマップインデックス111を有するエレメント110にアクセスする。
【0071】
このように、本発明の実施例によるインバーターのメモリー管理方法は、マップインデックス111を用いてメモリーマップ100で特定のエレメントを比較的迅速に検索し、メモリーバッファー120から当該の割り当て領域のデータを削除するとき、比較的迅速かつ効率的に動作できる。そして、限定的な資源および低性能の部品を使用するエンベデッドシステムに効果的に適用できる。
【0072】
以上の詳細な説明は、本発明を例示するものである。また、前述した内容は、本発明の好ましい実施形態を示して説明することに過ぎず、本発明は、様々な他の組み合わせ、変更および環境で使用し得る。すなわち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、著わした開示内容と均等な範囲および/または当業界の技術または知識の範囲内で変更または修正が可能である。前述した実施例は、本発明を実施することにおいて、最善の状態を説明するためのものであり、本発明のような他の発明を利用するために、当業界に知られた他の状態への実施、そして、発明の具体的な適用分野および用途で要求される様々な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は、開示された実施状態で本発明を制限しようとする意図ではない。また、添付された請求の範囲は、他の実施状態も含むものと解釈されるべきである。
【符号の説明】
【0073】
210: インデックス設定部
220: インデックス保存部
230: エレメント検索部
240: データ削除部