特開2020-161814(P2020-161814A)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特開2020-161814半導体構造、高電子移動度トランジスタ、および半導体構造の製造方法
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  • 特開2020161814-半導体構造、高電子移動度トランジスタ、および半導体構造の製造方法 図000003
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