発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

特許文献１におけるＤ_５０径とはいわゆる凝集粒子径であり、特許文献１の銀粒子の平均一次粒子径は、６００ｎｍより小さい３００ｎｍ程度と推測される。 近年、接合材を使用した接合においては、接合材から形成される金属接合層と、被接合部材との間のボイドの有無が重要であることが分かってきた。 ここにボイドが存在すると、接合体全体としての導電性や熱伝導性、更にサイクル特性（冷熱サイクルをかけても前記導電性等の特性が悪化しない又は悪化しにくいこと）が不十分となりうる。 本発明者は、特許文献１の接合材と同様の接合材を調製して、基板上に塗布して塗膜を形成し、その塗膜上に半導体素子を載置して接合を実施した。その結果得られた接合体の半導体素子と銀接合層との間のボイドについて評価したところ、特に半導体素子の銀接合層と接触する面（接触面）の輪郭を構成する部分及びその近傍（接触面の端部）においてボイド（剥離）が多く発生していた。そしてこの傾向は、接触面の面積が大きくなるとより顕著であった。 そこで本発明は、被接合部材の金属接合層との接触面が大きい場合であっても、接合を実施したときに、接触面の端部においてボイド（剥離）を生じ難い接合材を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、被接合部材の金属接合層との接触面が大きい場合であっても、接合を実施したときに、接触面の端部においてボイド（剥離）を生じ難い接合材が提供される。