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ＤＯＷＡエレクトロニクス株式会社

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ＤＯＷＡエレクトロニクス株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特許 7923154	ニオブ錯体およびリチウムを含む粉末および製造方法、並びに、ニオブ酸リチウムを含有する被覆層を有するリチウム二次電池正極活物質の製造方法	2026年 9月17日
特許 7920248	銀粉及び導電性ペースト	2026年 9月14日
特許 7919419	半導体受光素子及び半導体受光素子の製造方法	2026年 9月11日
特許 7916502	球状銀粉及び球状銀粉の製造方法、並びに導電性ペースト	2026年 9月 7日
特許 7915584	ボンド磁石用六方晶フェライト磁性粉とその製造方法、およびボンド磁石とその製造方法	2026年 9月 4日
特許 7912921	マグネトプランバイト型フェライト磁性粉及びその製造方法並びに電波吸収体及びその製造方法	2026年 8月31日
特許 7912427	リチウムおよびニオブを含む酸化物を含む固体電解質およびその製造方法、並びに、リチウムおよびニオブを含む酸化物を含む電極活物質	2026年 8月28日
特許 7895400	光半導体素子及び光半導体素子の製造方法	2026年 7月27日
特許 7877137	銀粉の製造方法	2026年 6月22日
特許 7876020	銀粉及び銀粉の製造方法、銀粉製造装置並びに樹脂硬化型導電性ペースト	2026年 6月18日
特許 7874151	半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法	2026年 6月15日
特許 7867926	マグネトプランバイト型六方晶フェライト磁性粉及びその製造方法並びに電波吸収体及びその製造方法	2026年 6月 1日
特許 7851765	六方晶バリウムフェライト磁性粉の製造方法	2026年 4月27日
特許 7848375	半導体発光素子の製造方法及び半導体発光素子	2026年 4月20日
特許 7837792	ＮＡＳＩＣＯＮ型結晶構造を主相として有している粉末、およびＮＡＳＩＣＯＮ型結晶構造を主相として有している粉末を成型した成型体	2026年 3月31日

21 件中 1-15 件を表示

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7923154 7920248 7919419 7916502 7915584 7912921 7912427 7895400 7877137 7876020 7874151 7867926 7851765 7848375 7837792

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