発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

ここで、図１４に記載のトレンチゲート構造の炭化珪素半導体装置の製造方法は、ｎ⁺型炭化珪素基板１０１上にｎ型炭化珪素エピタキシャル層１０２、電流拡散領域であるｎ型高濃度領域１０６およびｐ型炭化珪素エピタキシャル層１０３を順にエピタキシャル成長させ、イオン注入により、ｎ⁺型ソース領域１０７、ｐ⁺型コンタクト領域１０８を形成する。この後に、トレンチ１１８が形成される。 図１５は、従来の炭化珪素半導体装置のトレンチの製造方法を示すフローチャートである。まず、ドライエッチングによってｐ型炭化珪素エピタキシャル層１０３を貫通し、ｎ型高濃度領域１０６に達するトレンチ１１８を形成する（ステップＳ１０１）。次に、トレンチ形成用のマスク酸化膜を除去する（ステップＳ１０２）。 次に、トレンチ１１８の角を丸めるため、トレンチ１１８に対して水素アニールを行う（ステップＳ１０３）。例えば、１５００℃以上の水素ガス雰囲気でアニールすることにより、ＳｉＣ表面のエッチングと珪素、炭素（Ｃ）元素の表面拡散が同時に発生し、トレンチ１１８のラウンド形状が形成される。ここで、ラウンド形状を形成するときに、トレンチ１１８とｐ型炭化珪素エピタキシャル層１０３の界面(チャネル部)にｎ型領域が形成される。このｎ型領域は、炭化珪素半導体装置に逆電圧を印加したときにリークポイントとなる。 このため、熱酸化を行い、トレンチ１１８内に犠牲酸化膜を形成し（ステップＳ１０４）、犠牲酸化膜を除去する（ステップＳ１０５）ことで、トレンチ１１８の表面をエッチングしている。次に、トレンチ１１８の底部および側壁に沿ってゲート絶縁膜１０９を形成する（ステップＳ１０６）。次に、ゲート絶縁膜１０９上に、ゲート電極１１０を形成する（ステップＳ１０７）。また、他の手法として、フッ素（Ｆ）系ガスを用いた低ダメージエッチング等を用いることもできる。 しかしながら、熱酸化によりトレンチ１１８の表面をエッチングする方法では、チャネル部の抵抗が増加するという課題がある。これは、熱酸化の際に発生する余剰の炭素が、チャネル抵抗増加要因になると推定されている。また、フッ素系ガスを用いたエッチングの場合も同様の課題がある。この場合は、トレンチ１１８の表面にランダムにエッチングが進行するため、結晶配列が乱れ、この乱れがチャネル抵抗増加要因になると推定されている。 この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、チャネル抵抗を増加させることなく、ラウンドアニール後のリークを抑制することができる炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明にかかる炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、チャネル抵抗を増加させることなく、ラウンドアニール後のリークを抑制することができるという効果を奏する。