特開2020-188095IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】電極部分との密着性の高い保護層を備える半導体モジュールを提供する。
【解決手段】半導体モジュールは、半導体装置11と、ニッケル又は銅を含み、半導体装置11上に配置され、当該半導体装置11と電気的に接続する接合層14a、14bと、接合層14a、14b上に配置され、金を含むはんだ部17a、17bと、接合層14a、14bに直接配置され、接合層14a、14bの外周縁を覆う保護層16と、を備える。
【選択図】図1

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

上述した特許文献1及び2が提案する技術は、半導体装置の電極において、ポリイミドと接着する材料が、アルミニウム以外の場合には、ポリイミドの密着性が低下するおそれがある。 本明細書では、電極部分との接合強度の高い保護層を備える半導体モジュールを提供することを課題とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本明細書に開示する半導体モジュールの一形態によれば、半導体装置と、半導体装置上に配置され、ニッケル又は銅を含み、当該半導体装置と電気的に接続する接合層と、接合層上に配置され、金を含むはんだ部と、接合層に直接配置され、接合層の外周縁を覆う保護層と、を備える。
【発明の効果】
上述した本明細書に開示する半導体モジュールによれば、電極部分との接合強度の高い保護層を備える。 また、上述した本明細書に開示する半導体モジュールの製造方法によれば、電極部分との接合強度の高い保護層を備える半導体モジュールが得られる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】(A)は、本明細書に開示する半導体モジュールの一実施形態の平面図であり、(B)は、X−X’線断面図である。

【図2】接合層を説明する図である。

【図3】本明細書に開示する半導体モジュールの変形例を示す図である。

【図4】本明細書に開示する半導体モジュールの製造方法の一実施形態の工程を示す図(その1)である。

【図5】本明細書に開示する半導体モジュールの製造方法の一実施形態の工程を示す図(その2)である。

【図6】本明細書に開示する半導体モジュールの製造方法の一実施形態の工程を示す図(その3)である。

【図7】本明細書に開示する半導体モジュールの製造方法の一実施形態の工程を示す図(その4)である。

【図8】本明細書に開示する半導体モジュールの製造方法の一実施形態の工程を示す図(その5)である。

【図9】本明細書に開示する半導体モジュールの製造方法の一実施形態の工程を示す図(その6)である。

【図10】本明細書に開示する半導体モジュールの製造方法の一実施形態の工程を示す図(その7)である。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

10 半導体モジュール   10a 第1電極構造   10b 第2電極構造   11 半導体装置   11a 装置本体   11b ソース電極   11c ゲート電極   11d ドレイン電極   12 絶縁基板   12a 基板本体   12b 回路基板   12c 金属板   12d はんだ層   14a、14b 接合層   15 第1保護層   16 第2保護層   17a、17b はんだ部   18a、18b 酸化防止層   20a、20b 配線   30 基板構造体

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