技術分野
半導体装置
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】パワー半導体素子をターンオン制御しているときの制御信号の電圧がノイズ混入により急激に低下しても確実にターンオン制御を維持できるようにする。 【解決手段】パワー半導体素子14のしきい値を設定するしきい値設定部16は、入力端子11に入力された制御信号Vinの電圧を電圧信号Vsに減圧する抵抗16aと電圧信号Vsを動作電源とする遮断信号生成部16bの電源端子との接続部に、ダイオード16cがパワー半導体素子14のゲート容量に蓄積された電荷を供給するように構成される。制御信号Vinの電圧がパワー半導体素子のターンオン制御中に急激に低下しても、電圧信号Vsは、パワー半導体素子14のゲート容量に蓄積された電荷の供給を受けることで、電圧の低下が回避され、遮断信号生成部16bの誤動作が防止される。 【選択図】図1
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
しかしながら、ノイズ耐量を上げるには、ローパスフィルタの時定数を大きくする必要があるが、集積回路で容量の大きなコンデンサを実現するにはチップサイズを大きくしなければならず、コストアップに繋がるという問題点がある。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、チップサイズを大きくすることなくノイズ耐性を向上させた半導体装置を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明では、の課題を解決するために、1つの案では、出力端子と接地端子との間に接続され、ゲート電位に応じてターンオンまたはターンオフに制御されるパワー半導体素子と、入力端子に供給された制御信号を動作電源とし、パワー半導体素子のしきい値として設定される所定の電圧よりも制御信号の電圧が低いときに遮断信号を出力するしきい値設定部と、パワー半導体素子のゲート端子と接地端子との間に接続され、遮断信号・・・ 続きを
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【発明の効果】
構成の半導体装置は、パワー半導体素子がターンオン制御されているときに、制御信号の電圧が急激に低下しても、制御信号から作られたしきい値設定部の動作電源の電圧がパワー半導体素子のゲート容量に蓄積された電荷によって補われるので、しきい値設定部が誤動作することがないという利点がある。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】 第1の実施の形態に係る半導体装置を用いた点火システムの構成例を示す回路図である。
【図2】 遮断信号生成部の構成例を示す回路図である。
【図3】 遮断信号生成部の入出力特性を示す図である。
【図4】 第1の実施の形態に係る半導体装置を用いた点火システムの動作例を示すタイミングチャートであって、(A)は正常動作時の動作例を示し、(B)はノイズ混入時の動作例を示している。
【図5】 第2の実施の形態に係る半導体装置を用いた点火システムの構成例を示す回路図である。
【図6】 第3の実施の形態に係る半導体装置を用いた点火システムの構成例を示す回路図である。
【図7】 第4の実施の形態に係る半導体装置を用いた点火システムの構成例を示す回路図である。
【図8】 従来の半導体装置を用いた点火システムの構成例を示す回路図である。
【図9】 従来の半導体装置を用いた点火システムの動作例を示すタイミングチャートであって、(A)は正常動作時の動作例を示し、(B)はノイズ混入時の動作例を示している。
10,10a,10b,10c 半導体装置
11 入力端子
12 出力端子
13 接地端子
14 パワー半導体素子
15 抵抗(ゲート抵抗)
16 しきい値設定部
16a 抵抗
16b 遮断信号生成部
16c ダイオード(給電回路)
16d コンデンサ
16e MOSFET(給電回路)
17 MOSFET(遮断回路)
18 MOSFET(遮断回路)
19 抵抗
20 点火コイル
21 一次コイル
22 二次コイル
30 点火プラグ
40 バッテリ
50 エンジン制御ユニット
61 電源端子
62 接地端子
63 出力端子
64,65 抵抗(分圧回路)
66 インバータ
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