特開 2020-191377 回路基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】特開2020-191377(P2020-191377A)

(43)【公開日】2020年11月26日

(54)【発明の名称】回路基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20201030BHJP

   H05K 1/16 20060101ALI20201030BHJP

   H01G 4/40 20060101ALI20201030BHJP

【ＦＩ】

   H05K3/46 Q

   H05K1/16 D

   H01G4/40 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

【全頁数】10

(21)【出願番号】特願2019-95876(P2019-95876)

(22)【出願日】2019年5月22日

(71)【出願人】

【識別番号】301065892

【氏名又は名称】株式会社アドヴィックス

(74)【代理人】

【識別番号】100105957

【弁理士】

【氏名又は名称】恩田 誠

(74)【代理人】

【識別番号】100068755

【弁理士】

【氏名又は名称】恩田 博宣

(72)【発明者】

【氏名】太田 裕己

【テーマコード（参考）】

4E351

5E082

5E316

【Ｆターム（参考）】

4E351BB03

4E351BB22

4E351BB26

4E351GG20

5E082AB01

5E082CC02

5E316AA13

5E316AA33

5E316HH21

5E316JJ14

(57)【要約】

【課題】回路基板上に設置される電子部品の数の増大を抑制することができるようにすること。
【解決手段】回路基板１０は、一対の電極と、一対の電極の間に介在する誘電体とによって構成される複数のコンデンサ５１〜５５が内蔵されている。複数のコンデンサ５１〜５５のうちの第１コンデンサにおける一対の電極の間隔は、複数のコンデンサ５１〜５５のうちの第２コンデンサにおける一対の電極の間隔と異なっている。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

一対の電極と、一対の前記電極の間に介在する誘電体とによって構成される複数のコンデンサが内蔵されており、
複数の前記コンデンサのうちの第１コンデンサにおける一対の前記電極の間隔は、複数の前記コンデンサのうちの第２コンデンサにおける一対の前記電極の間隔と異なっている
回路基板。

【請求項2】

配線パターンが形成されている配線層と、誘電体で構成されている誘電層とが交互に積層されており、
前記第１コンデンサにおける一対の前記電極は、互いに異なる前記配線層に設けられているとともに、前記第２コンデンサにおける一対の前記電極は、互いに異なる前記配線層に設けられており、
前記第２コンデンサにおける一対の前記電極のうちの少なくとも１つの前記電極は、複数の前記配線層のうち、前記第１コンデンサにおける前記電極が設けられている前記配線層とは別の前記配線層に設けられている
請求項１に記載の回路基板。

【請求項3】

前記誘電層として、第１厚みの前記誘電層と、前記第１厚みよりも厚い第２厚みの前記誘電層とが設けられている
請求項２に記載の回路基板。

【請求項4】

前記配線層として、電源に接続される前記配線パターンが形成されている電源側配線層と、グランドに接地される前記配線パターンが形成されているグランド側配線層と、信号が流れる前記配線パターンが形成されている信号用配線層とが設けられており、
前記電源側配線層と前記グランド側配線層との間には、複数の前記誘電層のうちの１つの前記誘電層が配置されており、当該誘電層は、複数の前記誘電層のうち、前記信号用配線層に隣接する前記誘電層よりも厚い
請求項２又は請求項３に記載の回路基板。

【請求項5】

前記配線層として、電源に接続される前記配線パターンが形成されている電源側配線層と、グランドに接地される前記配線パターンが形成されているグランド側配線層と、信号が流れる前記配線パターンが形成されている信号用配線層とが設けられており、
複数の前記誘電層のうち、前記グランド側配線層に隣接する前記誘電層は、前記グランド側配線層に隣接していない前記誘電層よりも薄い
請求項２又は請求項３に記載の回路基板。

【請求項6】

前記配線層として、電源に接続される前記配線パターンが形成されている電源側配線層と、グランドに接地される前記配線パターンが形成されているグランド側配線層と、第１電流が信号として流れる前記配線パターンが形成されている第１信号用配線層と、前記第１電流よりも小さい第２電流が信号として流れる前記配線パターンが形成されている第２信号用配線層とが設けられており、
前記誘電層及び前記配線層が積層される方向を積層方向とした場合、
前記電源側配線層及び前記グランド側配線層は、前記積層方向において前記第１信号用配線層と前記第２信号用配線層との間にそれぞれ配置されており、
複数の前記誘電層のうち、前記第１信号用配線層に隣接する前記誘電層は、前記第２信号用配線層に隣接する前記誘電層よりも厚い
請求項２又は請求項３に記載の回路基板。

【請求項7】

前記誘電層において、前記コンデンサを構成する部分の厚みは、他の部分とは異なる
請求項２又は請求項３に記載の回路基板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、コンデンサが内蔵されている回路基板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、コンデンサが内蔵されている回路基板の一例が記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１０−２７９４８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

近年では、回路基板上に設置される電子部品の数の増大の抑制が求められている。

【課題を解決するための手段】

【0005】

上記課題を解決するための回路基板は、一対の電極と、一対の前記電極の間に介在する誘電体とによって構成される複数のコンデンサが内蔵されている。複数の前記コンデンサのうちの第１コンデンサにおける一対の前記電極の間隔は、複数の前記コンデンサのうちの第２コンデンサにおける一対の前記電極の間隔と異なっている。

【0006】

上記構成によれば、静電容量の異なる複数種類のコンデンサを回路基板内に設けることができるため、回路基板上に設置するコンデンサの数の増大を抑制することができる。したがって、回路基板上に設置されるコンデンサの数が減る分、当該回路基板上に設置される電子部品の数の増大を抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】第１実施形態の回路基板における分解斜視図。

【図2】第１実施形態の回路基板の模式的な断面図。

【図3】配線層を模式的に示す平面図。

【図4】配線層を模式的に示す平面図。

【図5】配線層を模式的に示す平面図。

【図6】配線層を模式的に示す平面図。

【図7】第２実施形態の回路基板の模式的な断面図。

【図8】第３実施形態の回路基板の模式的な断面図。

【図9】第４実施形態の回路基板の模式的な断面図。

【図10】変更例の回路基板の一部を模式的に示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

（第１実施形態）
以下、回路基板の第１実施形態を図１〜図６に従って説明する。
図１及び図２に示すように、本実施形態の回路基板１０は、配線パターンが形成されている配線層２１，２２，２３，２４と、誘電体で構成されている誘電層３１，３２，３３とが交互に積層された構成となっている。図１及び図２に示す回路基板１０は、４つの配線層２１〜２４と、３つの誘電層３１〜３３とを備えている。なお、配線層２１〜２４及び誘電層３１〜３３が積層される方向を「積層方向Ｘ」ともいう。

【0009】

図２及び図３に示すように、配線層２１は、第１電流Ｓ１が信号として流れる配線パターンＰ１を有している。また、図２及び図６に示すように、配線層２４は、第２電流Ｓ２が信号として流れる配線パターンＰ４を有している。すなわち、本実施形態では、配線層２１及び配線層２４が、「信号用配線層」に相当する。

【0010】

図２に示すように、積層方向Ｘにおける配線層２１と配線層２４との間に、配線層２２及び配線層２３が配置されている。配線層２２は、積層方向Ｘにおいて配線層２３と配線層２１との間に配置されている。そして、図４に示すように、配線層２２は、電源１５に接続される配線パターンＰ２を有している。また、図５に示すように、配線層２３は、グランドに接地される配線パターンＰ３を有している。すなわち、本実施形態では、配線層２２が「電源側配線層」に相当し、配線層２３が「グランド側配線層」に相当する。

【0011】

図１及び図２に示すように、誘電層３１〜３３のうちの誘電層３１は、配線層２１と配線層２２との間に介在している。誘電層３２は、配線層２２と配線層２３との間に介在している。誘電層３３は、配線層２３と配線層２４との間に介在している。そして、誘電層３１の厚みを「Ｄ１」とし、誘電層３２の厚みを「Ｄ２」とし、誘電層３３の厚みを「Ｄ３」とした場合、誘電層３２の厚みＤ２は、誘電層３１の厚みＤ１及び誘電層３３の厚みＤ３よりも厚い。すなわち、本実施形態では、誘電層３１を「第１厚みの第１誘電層」とした場合、誘電層３２が「第２厚みの第２誘電層」に該当する。

【0012】

本実施形態の回路基板１０には、複数のコンデンサ５１，５２，５３，５４，５５が内蔵されている。図２に示すように、複数のコンデンサ５１〜５５のうちのコンデンサ５１は、配線層２１に設けられている電極５１１と、配線層２２に設けられている電極５１２とを有している。すなわち、コンデンサ５１は、一対の電極５１１，５１２と、誘電層３１のうち、電極５１１と電極５１２との間に介在する部分の誘電体とで構成されている。

【0013】

コンデンサ５２は、配線層２１に設けられている電極５２１と、配線層２３に設けられている電極５２２とを有している。配線層２２のうちのコンデンサ５２の構成部分には貫通孔５２３が形成されており、貫通孔５２３内には、誘電層３１を構成する誘電体と、誘電層３２を構成する誘電体とを繋ぐように誘電体が収容されている。そのため、コンデンサ５２は、電極５２１と、電極５２２と、積層方向Ｘにおいて電極５２１と電極５２２との間に介在する誘電体とによって構成されている。すなわち、コンデンサ５２における一対の電極５２１，５２２のうちの電極５２２は、コンデンサ５１における電極５１１，５１２が設けられている配線層２１，２２とは別の配線層２３に設けられている。

【0014】

コンデンサ５３は、配線層２１に設けられている電極５３１と、配線層２４に設けられている電極５３２とを有している。配線層２２のうちのコンデンサ５３の構成部分には貫通孔５３３が形成されており、貫通孔５３３内には、誘電層３１を構成する誘電体と、誘電層３２を構成する誘電体とを繋ぐように誘電体が収容されている。同様に、配線層２３のうちのコンデンサ５３の構成部分には貫通孔５３４が形成されており、貫通孔５３４内には、誘電層３２を構成する誘電体と、誘電層３３を構成する誘電体とを繋ぐように誘電体が収容されている。そのため、コンデンサ５３は、電極５３１と、電極５３２と、積層方向Ｘにおいて電極５３１と電極５３２との間に介在する誘電体とによって構成されている。すなわち、コンデンサ５３における一対の電極５３１，５３２のうちの電極５３２は、コンデンサ５１における電極５１１，５１２が設けられている配線層２１，２２とは別の配線層２４に設けられている。

【0015】

コンデンサ５４は、配線層２２に設けられている電極５４１と、配線層２３に設けられている電極５４２とを有している。すなわち、コンデンサ５４は、一対の電極５４１，５４２と、誘電層３２のうち、電極５４１と電極５４２との間に介在する部分の誘電体とで構成されている。すなわち、コンデンサ５４における一対の電極５４１，５４２のうちの電極５４２は、コンデンサ５１における５１１，５１２が設けられている配線層２１，２２とは別の配線層２３に設けられている。

【0016】

コンデンサ５５は、配線層２２に設けられている電極５５１と、配線層２４に設けられている電極５５２とを有している。配線層２３のうちのコンデンサ５５の構成部分には貫通孔５５３が形成されており、貫通孔５５３内には、誘電層３２を構成する誘電体と、誘電層３３を構成する誘電体とを繋ぐように誘電体が収容されている。そのため、コンデンサ５５は、電極５５１と、電極５５２と、積層方向Ｘにおいて電極５５１と電極５５２との間に介在する誘電体とによって構成されている。すなわち、コンデンサ５５における一対の電極５５１，５５２のうちの電極５５２は、コンデンサ５１における５１１，５１２が設けられている配線層２１，２２とは別の配線層２４に設けられている。

【0017】

コンデンサ５１の電極５１１、コンデンサ５２の電極５２１、及びコンデンサ５３の電極５３１は、配線層２１の配線パターンＰ１にそれぞれ接続されている。コンデンサ５１の電極５１２、コンデンサ５４の電極５４１、及びコンデンサ５５の電極５５１は、配線層２２の配線パターンＰ２にそれぞれ接続されている。コンデンサ５２の電極５２２、及びコンデンサ５４の電極５４２は、配線層２３の配線パターンＰ３にそれぞれ接続されている。コンデンサ５３の電極５３２、及びコンデンサ５５の電極５５２は、配線層２４の配線パターンＰ４にそれぞれ接続されている。

【0018】

ここで、コンデンサの静電容量Ｃは、以下の関係式（式１）のように表すことができる。関係式（式１）において、「Ｓ」は電極の面積であり、「Ｄ」は一対の電極の間隔、「ε」は誘電体の誘電率である。

【0019】

Ｃ＝ε・Ｓ／Ｄ ・・・（式１）
関係式（式１）によれば、一対の電極の間隔Ｄを変えることにより、コンデンサの静電容量Ｃを調整することができる。例えば、図２に示した各コンデンサ５１〜５５については、互いに間隔Ｄが異なっている。すなわち、回路基板１０には、静電容量Ｃの異なる複数種類のコンデンサが内蔵されているということができる。

【0020】

なお、間隔Ｄが異なっていても電極の面積Ｓを調整することによって、各コンデンサ５１〜５５の静電容量Ｃの相違を小さくすることもできる。
本実施形態の作用及び効果について説明する。

【0021】

（１−１）静電容量Ｃの異なる複数種類のコンデンサ５１〜５５を回路基板１０内に設けることができるため、回路基板１０上に設置するコンデンサの数の増大を抑制することができる。したがって、回路基板１０上へのコンデンサの設置数を減らすことができる分、当該回路基板１０上に設置される電子部品の数の増大を抑制することができる。ここでいうコンデンサ以外の電子部品としては、例えば、抵抗、コイル及び集積回路を挙げることができる。

【0022】

（１−２）回路基板１０は、厚みの異なる複数の誘電層を有している。そのため、全ての誘電層３１〜３３の厚みが同じである場合と比較し、回路基板１０に内蔵できるコンデンサのバリエーションを増やすことができる。ここでいうコンデンサのバリエーションとは、静電容量Ｃの異なるコンデンサの種類のことである。

【0023】

（１−３）本実施形態では、電源側配線層として機能する配線層２２とグランド側配線層として機能する配線層２３の間に介在する誘電層３２の厚みＤ２は、他の誘電層３１，３２の厚みＤ１，Ｄ３よりも厚い。そのため、配線層２２に設けられている配線と、配線層２３に設けられている配線との短絡を抑制することができる。

【0024】

（第２実施形態）
次に、回路基板の第２実施形態を図７に従って説明する。以下の説明においては、上記第１実施形態と相違している部分について主に説明するものとし、上記第１実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。

【0025】

図７に示すように、本実施形態の回路基板１０Ａは、５つの配線層２１Ａ，２２Ａ，２３Ａ，２４Ａ，２５Ａと、４つの誘電層３１Ａ，３２Ａ，３３Ａ，３４Ａとを備えている。複数の配線層２１Ａ〜２５Ａのうちの配線層２１Ａは、第１電流Ｓ１が信号として流れる配線パターンを有している。また、配線層２５Ａは、第２電流Ｓ２が信号として流れる配線パターンを有している。すなわち、本実施形態では、配線層２１Ａが「第１信号用配線層」に相当し、配線層２５Ａが「第２信号用配線層」に相当する。

【0026】

残りの配線層２２Ａ，２３Ａ，２４Ａは、積層方向Ｘにおいて配線層２１Ａと配線層２５Ａとの間に配置されている。配線層２２Ａ，２３Ａ，２４Ａのうち、配線層２１Ａの最も近くに位置する配線層２２Ａ、及び、配線層２５Ａの最も近くに位置する配線層２４Ａは、グランドに接地される配線パターンをそれぞれ有している。また、積層方向Ｘにおいて配線層２２Ａ及び配線層２４Ａの間に位置する配線層２３Ａは、電源１５に接続される配線パターンを有している。すなわち、本実施形態では、配線層２２Ａ，２４Ａが「グランド側配線層」に相当し、配線層２３Ａが「電源側配線層」に相当する。

【0027】

複数の誘電層３１Ａ〜３４Ａのうちの誘電層３１Ａは、配線層２１Ａと配線層２２Ａとの間に介在している。また、誘電層３２Ａは、配線層２２Ａと配線層２３Ａとの間に介在している。また、誘電層３３Ａは、配線層２３Ａと配線層２４Ａとの間に介在している。また、誘電層３４Ａは、配線層２４Ａと配線層２５Ａとの間に介在している。

【0028】

誘電層３１Ａの厚みＤ１１と誘電層３４Ａの厚みＤ１４は、誘電層３２Ａの厚みＤ１２と誘電層３３Ａの厚みＤ１３よりも厚い。すなわち、電源側配線層である配線層２３Ａに隣接する誘電層３２Ａ，３３Ａの厚みＤ１２，Ｄ１３は、他の誘電層３１Ａ，３４Ａの厚みＤ１１，Ｄ１４よりも薄い。したがって、誘電層３２Ａ，３３Ａを「第１厚みの誘電層」とした場合、誘電層３１Ａ，３４Ａが「第２厚みの誘電層」に該当する。

【0029】

本実施形態の回路基板１０Ａ内には、複数のコンデンサ５１Ａ，５２Ａ，５３Ａが設けられている。複数のコンデンサ５１Ａ〜５３Ａのうちのコンデンサ５１Ａは、配線層２１Ａに設けられている電極５１１Ａと、配線層２２Ａに設けられている電極５１２Ａとを有している。そして、コンデンサ５１Ａは、電極５１１Ａと、電極５１２Ａと、電極５１１Ａと電極５１２Ａとの間に介在する誘電体とによって構成されている。

【0030】

コンデンサ５２Ａは、配線層２４Ａに設けられている電極５２１Ａと、配線層２５Ａに設けられている電極５２２Ａとを有している。そして、コンデンサ５２Ａは、電極５２１Ａと、電極５２２Ａと、電極５２１Ａと電極５２２Ａとの間に介在する誘電体とによって構成されている。すなわち、コンデンサ５２Ａにおける一対の電極５２１Ａ，５２２Ａは、コンデンサ５１Ａにおける５２１Ａ，５２２Ａが設けられている配線層２１Ａ，２２Ａとは別の配線層２４Ａ，２５Ａに設けられている。

【0031】

コンデンサ５３Ａは、配線層２１Ａに設けられている電極５３１Ａと、配線層２３Ａに設けられている電極５３２Ａとを有している。そして、コンデンサ５３Ａは、電極５３１Ａと、電極５３２Ａと、電極５３１Ａと電極５３２Ａとの間に介在する誘電体とによって構成されている。すなわち、コンデンサ５３Ａにおける一対の電極５３１Ａ，５３２Ａのうちの電極５３２Ａは、コンデンサ５１Ａにおける５２１Ａ，５２２Ａが設けられている配線層２１Ａ，２２Ａとは別の配線層２３Ａに設けられている。

【0032】

本実施形態では、上記第１実施形態の効果（１−１），（１−２）と同等の効果に加え、以下に示す効果をさらに得ることができる。
（２−１）本実施形態では、第１信号用配線層として機能する配線層２１Ａと配線層２２Ａとの間に介在する誘電層３１Ａの厚みＤ１１は、配線層２２Ａと配線層２３Ａとの間に介在する誘電層３２Ａの厚みＤ１２よりも厚い。そのため、厚みＤ１１を厚みＤ１２と同等とする場合と比較し、配線層２１Ａに設けられている配線と、配線層２２Ａに設けられている配線との短絡を抑制することができる。

【0033】

同様に、本実施形態では、第２信号用配線層として機能する配線層２５Ａと配線層２４Ａとの間に介在する誘電層３４Ａの厚みＤ１４は、配線層２３Ａと配線層２４Ａとの間に介在する誘電層３３Ａの厚みＤ１３よりも厚い。そのため、厚みＤ１４を厚みＤ１３と同等とする場合と比較し、配線層２５Ａに設けられている配線と、配線層２４Ａに設けられている配線との短絡を抑制することができる。

【0034】

（第３実施形態）
次に、回路基板の第３実施形態を図８に従って説明する。本実施形態では、各誘電層３１Ａ〜３４Ａの厚みの関係が第２実施形態と異なっている。そこで、以下の説明においては、上記第２実施形態と相違している部分について主に説明するものとし、上記第２実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。

【0035】

図８に示すように、誘電層３１Ａの厚みＤ２１と誘電層３４Ａの厚みＤ２４は、誘電層３２Ａの厚みＤ２２と誘電層３３Ａの厚みＤ２３よりも厚い。さらに、誘電層３１Ａの厚みＤ２１は、誘電層３４Ａの厚みＤ２４よりも厚い。

【0036】

なお、配線層２５Ａには、第２電流Ｓ２が流れる配線パターンが形成されている。配線層２１Ａには、第１電流Ｓ１が流れる配線パターンが形成されている。本実施形態では、第２電流Ｓ２は、第１電流Ｓ１よりも小さい。

【0037】

本実施形態では、上記各実施形態の効果（１−１），（１−２），（２−１）と同等の効果に加え、以下に示す効果をさらに得ることができる。
（３−１）配線層２１Ａの配線には、配線層２５Ａの配線よりも大電流が流れる。そのため、配線層２１Ａに隣接する誘電層３１Ａを、配線層２５Ａに隣接する誘電層３４Ａよりも厚くすることにより、配線層２１Ａに設けられている配線と、配線層２２Ａに設けられている配線との短絡の抑制効果を高めることができる。

【0038】

（第４実施形態）
次に、回路基板の第４実施形態を図９に従って説明する。以下の説明においては、上記各実施形態と相違している部分について主に説明するものとし、上記各実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。

【0039】

図９に示すように、本実施形態の回路基板１０Ｂは、４つの配線層２１Ｂ，２２Ｂ，２３Ｂ，２４Ｂと、３つの誘電層３１Ｂ，３２Ｂ，３３Ｂとを備えている。複数の配線層２１Ｂ〜２４Ｂのうちの配線層２１Ｂは、第１電流Ｓ１が信号として流れる配線パターンを有している。また、配線層２４Ｂは、第２電流Ｓ２が信号として流れる配線パターンを有している。すなわち、本実施形態では、配線層２１Ｂが「第１信号用配線層」に相当し、配線層２４Ｂが「第２信号用配線層」に相当する。

【0040】

残りの配線層２２Ｂ，２３Ｂは、配線層２１Ｂと配線層２４Ｂとの間に配置されている。配線層２２Ｂ，２３Ｂのうち、配線層２１Ｂの最も近くに位置する配線層２２Ｂは、グランドに接地される配線パターンを有している。また、配線層２３Ｂは、電源１５に接続される配線パターンを有している。すなわち、本実施形態では、配線層２２Ｂが「グランド側配線層」に相当し、配線層２３Ｂが「電源側配線層」に相当する。

【0041】

複数の誘電層３１Ｂ〜３３Ｂのうちの誘電層３１Ｂは、配線層２１Ｂと配線層２２Ｂとの間に介在している。また、誘電層３２Ｂは、配線層２２Ｂと配線層２３Ｂとの間に介在している。また、誘電層３３Ｂは、配線層２３Ｂと配線層２４Ｂとの間に介在している。

【0042】

誘電層３１Ｂの厚みＤ３１と誘電層３２Ｂの厚みＤ３２は、誘電層３３Ｂの厚みＤ３３よりも薄い。すなわち、グランド側配線層である配線層２２Ｂに隣接する誘電層３１Ｂ，３２Ｂの厚みＤ３１，Ｄ３２は、他の誘電層３３Ｂの厚みＤ３３よりも薄い。したがって、誘電層３３Ｂを「第２厚みの誘電層」とした場合、誘電層３１Ｂ，３２Ｂが「第１厚みの誘電層」に相当する。

【0043】

本実施形態の回路基板１０Ｂ内には、複数のコンデンサ５１Ｂ，５２Ｂ，５３Ｂが設けられている。複数のコンデンサ５１Ｂ〜５３Ｂのうちのコンデンサ５１Ｂは、配線層２１Ｂに設けられている電極５１１Ｂと、配線層２２Ｂに設けられている電極５１２Ｂとを有している。そして、コンデンサ５１Ｂは、電極５１１Ｂと、電極５１２Ｂと、電極５１１Ｂと電極５１２Ｂとの間に介在する誘電体とによって構成されている。

【0044】

コンデンサ５２Ｂは、配線層２３Ｂに設けられている電極５２１Ｂと、配線層２４Ｂに設けられている電極５２２Ｂとを有している。そして、コンデンサ５２Ｂは、電極５２１Ｂと、電極５２２Ｂと、電極５２１Ｂと電極５２２Ｂとの間に介在する誘電体とによって構成されている。すなわち、コンデンサ５２Ｂにおける電極５２１Ｂ，５２２Ｂは、コンデンサ５１Ｂにおける電極５１１Ｂ，５１２Ｂが設けられている配線層２１Ｂ，２２Ｂとは別の配線層２３Ｂ，２４Ｂに設けられている。

【0045】

コンデンサ５３Ｂは、配線層２１Ｂに設けられている電極５３１Ｂと、配線層２３Ｂに設けられている電極５３２Ｂとを有している。そして、コンデンサ５３Ｂは、電極５３１Ｂと、電極５３２Ｂと、電極５３１Ｂと電極５３２Ｂとの間に介在する誘電体とによって構成されている。すなわち、コンデンサ５３Ｂにおける一対の電極５３１Ｂ，５３２Ｂのうちの電極５３２Ｂは、コンデンサ５１Ｂにおける電極５１１Ｂ，５１２Ｂが設けられている配線層２１Ｂ，２２Ｂとは別の配線層２３Ｂに設けられている。

【0046】

本実施形態では、上記第１実施形態の効果（１−１），（１−２）と同等の効果を得ることができる。
（変更例）
上記各実施形態は、以下のように変更して実施することができる。上記各実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。

【0047】

・１つの誘電層において、コンデンサを構成する部分の厚みを他の部分とは異ならせてもよい。例えば図１０に示すように、コンデンサ５１Ｃの電極５１１Ｃの厚みを配線層２１Ｃの他の部分の厚みよりも薄くすることにより、誘電層３１Ｃにおいてコンデンサ５１Ｃを構成する部分の厚みを他の部分よりも厚くすることができる。この場合、コンデンサ５１Ｃの電極５１２Ｃの厚みを配線層２２Ｃの他の部分の厚みよりも薄くすることにより、誘電層３１Ｃにおいてコンデンサ５１Ｃを構成する部分の厚みをさらに厚くすることもできる。

【0048】

反対に、コンデンサ５２Ｃの電極５２１Ｃの厚みを配線層２１Ｃの他の部分の厚みよりも厚くすることにより、誘電層３１Ｃにおいてコンデンサ５２Ｃを構成する部分の厚みを他の部分よりも薄くすることもできる。

【0049】

・回路基板における誘電層及び配線層の積層数は、上記各実施形態で説明した数とは異なっていてもよい。
・回路基板を構成する複数の誘電層の厚みを全て同じとしてもよい。

【0050】

・例えば図１０に示したようにすることで誘電体の厚みの異なる複数種類のコンデンサを回路基板に内蔵させることができるのであれば、回路基板は、複数の配線層と複数の誘電層とを積層した構成でなくてもよい。

【符号の説明】

【0051】

１０，１０Ａ，１０Ｂ…回路基板、１５…電源、２１〜２４，２１Ａ〜２５Ａ，２１Ｂ〜２４Ｂ，２１Ｃ，２２Ｃ…配線層、３１〜３３，３１Ａ〜３４Ａ，３１Ｂ〜３３Ｂ，３１Ｃ…誘電層、５１〜５５，５１Ａ〜５３Ａ，５１Ｂ〜５３Ｂ，５１Ｃ，５２Ｃ…コンデンサ、５１１，５１１Ａ〜５１１Ｃ，５１２，５１２Ａ〜５１２Ｃ，５２１，５２１Ａ〜５２１Ｃ，５２２，５２２Ａ，５２２Ｂ，５３１，５３１Ａ，５３１Ｂ，５３２，５３２Ａ，５３２Ｂ，５４１，５４２，５５１，５５２…電極、Ｐ１〜Ｐ４…配線パターン。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】