公報発行日 2020年12月10
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【図1】本発明の第1の実施の形態に係る位置検出装置の斜視図である。
【図2】本発明の第1の実施の形態に係る位置検出装置の断面図である。
【図3】本発明の第1の実施の形態における磁気センサの構成の一例を示す斜視図である。
【図4】本発明の第1の実施の形態における磁気センサの回路構成の一例を示す回路図である。
【図5】本発明の第1の実施の形態における磁気抵抗効果素子の一部を示す斜視図である。
【図6】本発明の第1の実施の形態における磁石の位置と検出対象磁界との関係を説明するための説明図である。
【図7】本発明の第1の実施の形態における磁石の位置と検出対象磁界との関係を説明するための説明図である。
【図8】本発明の第1の実施の形態における第1の平面と第2の平面を説明するための説明図である。
【図9】本発明の第1の実施の形態における第1の平面と第2の平面を説明するための説明図である。
【図10】本発明の第1の実施の形態における第1の方向と第1の角度を説明するための説明図である。
【図11】本発明の第1の実施の形態における第2の方向と第2の角度を説明するための説明図である。
【図12】本発明の第1の実施の形態における第2の方向と第2の角度を説明するための説明図である。
【図13】シミュレーションの結果を示す特性図である。
【図14】シミュレーションの結果を示す特性図である。
【図15】本発明の第2の実施の形態に係る位置検出装置の斜視図である。
【図16】本発明の第2の実施の形態に係る位置検出装置の断面図である。
【図17】本発明の第3の実施の形態に係る位置検出装置の斜視図である。
【図18】本発明の第3の実施の形態に係る位置検出装置の断面図である。
【図19】本発明の第4の実施の形態に係る位置検出装置の斜視図である。
【図20】本発明の第4の実施の形態に係る位置検出装置の断面図である。
【図21】本発明の第5の実施の形態に係る位置検出装置を含むハプティクスデバイスの概略の構成を示す斜視図である。
【図22】図21に示したハプティクスデバイスの概略の構成を示す断面図である。
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