特開2020-198430(P2020-198430A)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特開2020-198430エッチング組成物、これを用いた絶縁膜エッチング方法及び半導体素子の製造方法、並びに新規化合物
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  • 特開2020198430-エッチング組成物、これを用いた絶縁膜エッチング方法及び半導体素子の製造方法、並びに新規化合物 図000106
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