特開2020-202222IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

発光素子及びその製造方法

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】配光特性を制御することができる発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】一実施形態において、発光素子は、第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、第1半導体層と第2半導体層との間に設けられた発光層と、を含む半導体積層体と、第1半導体層と接する誘電体部材と、を含む。発光層からの光の波長に対する第1半導体層の屈折率は、波長に対する誘電体部材の屈折率と異なる。誘電体部材は、第1誘電体部分及び第2誘電体部分を含む。第2半導体層から第1半導体層に向かう第1方向に対して垂直な第2方向において、第1半導体層の一部は、第1誘電体部分と第2誘電体部分との間にある。第1誘電体部分は、第1面及び第2面を含む。第1方向において、第1面は、第2面と第1半導体層との間にある。第1面は、第1方向に対して傾斜している。
【選択図】図1

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一配光特性を簡易的に制御することができる発光素子及びその製造方法を提供する。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一実施形態において、発光素子は、第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、を含む半導体積層体と、前記第1半導体層と接して設けられた誘電体部材と、を含む。前記発光層からの光の波長に対する前記第1半導体層の屈折率は、前記波長に対する前記誘電体部材の屈折率と異なる。前記誘電体部材は、第1誘電体部分及び第2誘電体部分・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
【発明の効果】
本発明の一実施形態によれば、配光特性を簡易的に制御することができる発光素子及びその製造方法が提供される。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】図1は、第1発光素子を例示する模式的断面図である。

【図2】図2は、第1発光素子を例示する模式的平面図である。

【図3】図3は、第1発光素子を例示する模式的断面図である。

【図4】図4は、第1発光素子を例示する模式的断面図である。

【図5】図5は、第1発光素子を例示する模式的断面図である。

【図6】図6は、第1発光素子を例示する模式的断面図である。

【図7】図7は、第2発光素子の製造方法を例示するフローチャート図である。

【図8】図8は、第2発光素子の製造方法を例示する模式的断面図である。

【図9】図9は、第2発光素子の製造方法を例示する模式的断面図である。

【図10】図10は、第2発光素子の製造方法を例示する模式的断面図である。

【図11】図11は、第2発光素子の製造方法を例示する模式的断面図である。

【図12】図12は、第2発光素子の製造方法を例示する模式的断面図である。

【図13】図13は、第2発光素子の製造方法を例示する模式的断面図である。

【図14】図14は、第2発光素子の製造方法を例示する模式的断面図である。

【図15】図15は、第2発光素子の製造方法を例示する模式的断面図である。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

10A…構造体、 10s…基板、 11…第1半導体層、 11a、11b…第1、第2半導体領域、 11p…一部、 11pa、11pb…第1、第2部分領域、 12…第2半導体層、 13…発光層、 14…半導体部材、 14f…表面、 15…半導体積層体、 40…誘電体部材、 40f…誘電体層、 41〜44…第1〜第4誘電体部分、 41a…第1面、 41b…第2面、 42c…第3面、 42d…第4面、 43e…第5面、 43f…第6面、 44g…第7面、 44h…第8面、 51、52…第1、第2電極、 51C、52C…接続部材、 61…マスク層、 61f…マスク膜、 61o…開口部、 65…実装基板、 65a、65b…第1、第2基板電極、 66…実装部材、 110〜112…発光素子、 212…発光装置、 AA…矢印、 L0、L1、L2…光、 R1、R2…第1、第2領域、 d1、d2…距離

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