発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

図１７は、従来の半導体装置の終端構造部の構成を示す断面図である。従来の終端構造部１０１においてメサ部のように活性領域（活性部）１０２と高さが異なる領域でパターニングを実施する際に、フォトリソグラフィの焦点深度が異なるためにプロセス難易度が向上してしまう。このため、終端構造部１０１は活性部１０２と同じ高さにする方が好ましい。図１７の半導体装置は、ｎ⁺型炭化珪素基板２上に形成されたｎ^-型炭化珪素エピタキシャル層１のおもて面側に形成されたｐ⁺型ベース層３、ｎ⁺型チャネルストッパ領域４、層間絶縁膜５、第１ＪＴＥ領域（ｐ型層）６、第２ＪＴＥ領域（ｐ^-型層）７を有している。 図１８は、従来のメサ部を形成しない場合の半導体装置の終端構造部の構成を示す断面図である。終端構造部１０１と活性部１０２を同じ高さにした場合、活性部１０２端に形成されるｐ⁺型ベース層３のコーナー部に電界集中が生じて耐圧低下を招いてしまう。 図１９は、従来の終端構造部のシミュレーションによる耐圧計算結果を示す図である。図１９（ａ）は、１２００Ｖ耐圧クラスの図１７の終端構造部１０１の耐圧、図１９（ｂ）は、１２００Ｖ耐圧クラスの図１８の終端構造部１０１の耐圧を示す。図１７の構造よりも図１８の構造の方が耐圧低下していることがわかる。 また、終端構造部１０１を短くする目的においては、縦方向のｐ型層６，７ドーズ量を活性部１０２の端から素子端部に向けて濃度が低くなるように次第にグラデーションを設けることが好ましい。しかしながら、従来の終端構造部１０１で横方向グラデーションを実現する例として、空間変調構造を用いるとパターニング精度の関係でプロセスバラつきが生じやすくプロセス難易度が高くなる問題が生じる。 この発明は上述した従来技術による問題点を解消するため、簡単な構造で耐圧を向上させることができ、かつ終端構造部の長さを短縮できる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明にかかる半導体装置および半導体装置の製造方法によれば、メサ部を設けない終端構造部の耐圧を向上させることができ、かつ終端構造部の横方向長さを短くできる効果を有する。