特開2020-203866ワープドナノグラフェン薄膜及びその製造方法及びその導電性の評価方法

発明の名称　ワープドナノグラフェン薄膜及びその製造方法及びその導電性の評価方法

出願人　矢崎総業株式会社　（識別番号 6895）

　　　　特許公開件数ランキング 15 位（359件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 41 位（186件）（共同出願を含む）

公報番号　特開-2020-203866

公報発行日　2020年12月24

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-A-2020-203866

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