特開 2020-205491出願番号 特願 2019-111198
集積回路、半導体装置
公報発行日 2020年12月24
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-A-2020-205491 ログイン済みの方はこのURLへ
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技術分野
集積回路及び半導体装置
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】ノイズを抑制しつつスイッチング素子をスイッチングする集積回路を提供する。【解決手段】直列接続される電源側の第１スイッチング素子及び接地側の第２スイッチング素子と、前記第１スイッチング素子に並列接続される第１還流ダイオードと、前記第２スイッチング素子に並列接続される第２還流ダイオードとを、含むスイッチ回路の前記第２スイッチング素子をスイッチングする集積回路であって、前記スイッチ回路の負荷に流れる負荷電流を検出する検出回路と、駆動信号が一方の論理レベルの時、前記負荷電流の大きさに応じて前記第２スイッチング素子のゲート容量を充電する電流の大きさを制御し、前記駆動信号が他方の論理レベルの時、前記第２スイッチング素子をオフする駆動回路と、を含む。
【選択図】図６
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
ところで、下アームのスイッチング素子がオンとなると、上アームのスイッチング素子の還流ダイオードに逆バイアス電圧が発生する。そして、一般に、逆バイアス電圧の変化率は、上アームの還流ダイオードに流れる電流が小さい程、大きくなる。この結果、上アームの還流ダイオードに流れる電流が小さくなると、下アームのスイッチング素子をオンする際に大きなノイズが発生してしまう。 本発明は、のような従来の問題に鑑みてなされたものであって、その目的は、ノイズを抑制しつつスイッチング素子をスイッチングする集積回路を提供することにある。課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
前述した課題を解決する主たる本発明は、直列接続される電源側の第１スイッチング素子及び接地側の第２スイッチング素子と、前記第１スイッチング素子に並列接続される第１還流ダイオードと、前記第２スイッチング素子に並列接続される第２還流ダイオードとを、含むスイッチ回路の前記第２スイッチング素子をスイッチングする集積回路であって、前記スイッチ回路の負荷に流れる負荷電流を検出する検出回路と、駆動信号が一方・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
【発明の効果】
本発明によれば、ノイズを抑制しつつスイッチング素子をスイッチングする集積回路を提供することができる。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】パワーモジュール１０の一例を示す図である。
【図2】電圧ＶＲと電流ＩＦの波形の一例を示す図である。
【図3】電圧ＶＲと電流ＩＦの波形の一例を示す図である。
【図4】ＬＶＩＣ２５の一例を示す図である。
【図5】インダクタ電流ＩＬと電圧ＶＲの変化率との関係を示す図である。
【図6】ＬＶＩＣ２２の一例を示す図である。
【図7】検出回路５１の一例を示す図である。
【図8】検出回路５１の動作を説明するための図である。
【図9】ＩＧＢＴ３１がオンとなる際のパワーモジュール１０の主要な波形を示す図である。
【図10】インダクタ電流ＩＬと電圧ＶＲの変化率との関係を示す図である。
【図11】検出回路５１と設定回路７０ｂの一例を示す図である。
【図12】パワーモジュール２００の一例を示す図である。
【図13】パワーモジュール２１０の一例を示す図であるである。
選択図 図6出願人が指定した本件の代表的な図
１０，２００，２１０ パワーモジュール
１１ インダクタ
１２，６３，２２１ コンデンサ
１３，３６，１２０〜１２２，Ｒｕ，Ｒｖ，Ｒｗ 抵抗
２０ ハーフブリッジ回路
２１，３０１〜３０３ ＨＶＩＣ
２２，２５，３０４ ＬＶＩＣ
３０，３１，３５，４００〜４０５ ＩＧＢＴ
３２，３３，４１０〜４１５ ＦＷＤ
５０ フィルタ
５１ 検出回路
５２ 駆動回路
６０ 遅延回路
６１，１５０ エッジ検出回路
６２，７２，１１０〜１１２，ＳＷ１，ＳＷ２ スイッチ
６４ ユニティゲインバッファ
７０ 設定回路
７１ 電流生成回路
７３ ＮＭＯＳトランジスタ
１００ 電流源
１０１〜１０４ ＰＮＰトランジスタ
１５１ コンパレータ
１５２ Ｄフリップフロップ
１５３ カウンタ
２２０ 三相モータ
３００ ブリッジ回路
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