特開 2020-4938 高反射バックライト用配線板構造及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】特開2020-4938(P2020-4938A)

(43)【公開日】2020年1月9日

(54)【発明の名称】高反射バックライト用配線板構造及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/28 20060101AFI20191206BHJP

   H05K 1/18 20060101ALI20191206BHJP

   H01L 33/62 20100101ALI20191206BHJP

   F21V 19/00 20060101ALI20191206BHJP

   F21Y 115/10 20160101ALN20191206BHJP

【ＦＩ】

   H05K3/28 B

   H05K1/18 K

   H01L33/62

   F21V19/00 170

   F21V19/00 150

   F21Y115:10

【審査請求】有

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

【全頁数】11

(21)【出願番号】特願2018-157125(P2018-157125)

(22)【出願日】2018年8月24日

(11)【特許番号】特許第6595059号(P6595059)

(45)【特許公報発行日】2019年10月23日

(31)【優先権主張番号】107122698

(32)【優先日】2018年6月29日

(33)【優先権主張国】TW

(71)【出願人】

【識別番号】518088288

【氏名又は名称】同泰電子科技股▲分▼有限公司

(74)【代理人】

【識別番号】110000660

【氏名又は名称】Ｋｎｏｗｌｅｄｇｅ Ｐａｒｔｎｅｒｓ 特許業務法人

(74)【代理人】

【識別番号】100117466

【弁理士】

【氏名又は名称】岩上 渉

(72)【発明者】

【氏名】李 遠智

(72)【発明者】

【氏名】李 家銘

【テーマコード（参考）】

3K013

5E314

5E336

5F142

【Ｆターム（参考）】

3K013BA01

3K013CA05

3K013CA16

5E314AA24

5E314BB05

5E314BB10

5E314FF01

5E314GG26

5E336BC34

5E336CC31

5E336CC57

5E336GG25

5E336GG30

5F142AA04

5F142BA32

5F142CA11

5F142CD02

5F142CD24

5F142CD25

5F142CE06

5F142GA11

(57)【要約】

【課題】 本発明は、高反射バックライト用配線板構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 高反射バックライト用配線板構造は基板、少なくとも一つの発光部材、少なくとも一つの金属ベース層、ソルダーレジスト層及び反射用めっき層を含む。発光部材は基板表面の接続端子に電気的に接続し、金属ベース層は基板表面に形成し、ソルダーレジスト層は基板表面に形成し、且つ接続端子の位置に対応する第１開口及び金属ベース層の位置に対応する第２開口を備える。反射用めっき層は金属ベース層の表面に形成し、発光部材から生じる光線を反射するのに用いる。
【選択図】 図２Ｃ

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の接続端子を備えた基板と、
前記接続端子に電気的に接続される少なくとも一つの発光部材と、
前記基板表面に形成される少なくとも一つの金属ベース層と、
前記基板表面に形成され、且つ前記接続端子の位置に対応する第１開口及び前記金属ベース層の位置に対応する第２開口を備えるソルダーレジスト層と、
前記金属ベース層の表面に形成されて、前記発光部材から生じる光線を反射するのに用いられる反射用めっき層と、を含み、且つ前記発光部材から生じる光線に対する前記反射用めっき層の反射率は８０％より大きいことを特徴とする、高反射バックライト用配線板構造。

【請求項2】

前記ソルダーレジスト層の一部は前記金属ベース層を被覆していることを特徴とする、請求項１に記載の高反射バックライト用配線板構造。

【請求項3】

前記反射用めっき層の材質はニッケル、銀、カドミウム又はその合金であることを特徴とする、請求項１に記載の高反射バックライト用配線板構造。

【請求項4】

前記金属ベース層の材質は銅であることを特徴とする、請求項１に記載の高反射バックライト用配線板構造。

【請求項5】

前記接続端子の表面は導電性めっき層を備えていることを特徴とする、請求項１に記載の高反射バックライト用配線板構造。

【請求項6】

前記導電性めっき層の材質はニッケル、銀、カドミウム又はその合金であることを特徴とする、請求項５に記載の高反射バックライト用配線板構造。

【請求項7】

（ａ）基板を提供するステップと、
（ｂ）複数の接続端子及び少なくとも一つの金属ベース層を前記基板表面に形成するステップと、
（ｃ）前記接続端子及び前記金属ベース層を被覆するソルダーレジスト層を形成するステップと、
（ｄ）前記ソルダーレジスト層に、前記接続端子の位置に対応する第１開口及び前記金属ベース層の位置に対応する第２開口を形成するステップと、
（ｅ）前記接続端子の表面に導電性めっき層を形成し、また前記金属ベース層の表面に反射用めっき層を形成するステップと、
（ｆ）少なくとも一つの発光部材を前記接続端子に電気的に接続するステップと、を含み、そのうち、前記発光部材から生じる光線に対する前記反射用めっき層の反射率は８０％より大きいことを特徴とする、高反射バックライト用配線板構造の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、プリント配線板の構造及びその製造方法に関し、特に高反射バックライト用配線板構造及びその製造方法に関するものである。

【背景技術】

【0002】

発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ，ＬＥＤ）が最初に登場したのは１９６５年であるが、ＬＥＤのパッケージング技術や発光効率の向上に伴い、小体積、低消費電力、長寿命及び操作反応の速いＬＥＤも登場するようになった。また、省エネ・ＣＯ２削減のニーズや環境保護意識の台頭に対応し、現在では信号灯、広告灯、自動車用光源、室外又は屋内用照明装置、ディスプレイ又はコンピュータ周辺装置などの電子製品のバックライト光源においてＬＥＤが広く使用されている。

【0003】

従来技術において、多くの電子製品ではＬＥＤがバックライト用配線板上に設置され、バックライト用配線板全体の輝度を向上させるために、通常はアルミ箔などの反射材をＬＥＤ周囲のソルダーレジスト層上に貼り付け、アルミ箔の反射光線を利用してバックライト用配線板全体の輝度を向上させている。しかしながら、アルミ箔を貼り付ける方法は製造過程が複雑なだけでなく、バックライト用配線板全体の厚みを増加させてしまう。また、アルミ箔の貼り付け過程において、配線板上に配置済みの他の電子部材の損傷が生じ易く、バックライト用配線板製造の歩留まり低下を招いてしまう。

【0004】

従って、バックライト用配線板の製造工程を如何に簡略化し、同時にバックライト用配線板全体の厚みを低減させるかが、本発明の解決しようとする技術課題である。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明は、これに鑑み、製造が簡易な高反射バックライト用配線板構造及びその製造方法を提供する事を主な目的としている。

【0006】

上記目的を達成するために、本発明は、基板、少なくとも一つの発光部材、少なくとも一つの金属ベース層、ソルダーレジスト層及び反射用めっき層が含まれた、高反射バックライト用配線板構造を提供する。そのうち、基板は複数の接続端子を備え、且つ発光部材が接続端子に電気的に接続され、金属ベース層は基板表面に形成される。ソルダーレジスト層は基板表面に形成され、且つ接続端子の位置に対応する第１開口及び金属ベース層の位置に対応する第２開口を備える。そのうち、反射用めっき層は金属ベース層の表面に形成されて、発光部材から生じる光線を反射するのに用いられ、且つ発光部材から生じる光線に対する反射用めっき層の反射率は８０％より大きい。

【0007】

ソルダーレジスト層の一部は金属ベース層を被覆している。

【0008】

反射用めっき層の材質はニッケル、銀、カドミウム又はその合金であり、金属ベース層の材質は銅である。

【0009】

接続端子の表面は導電性めっき層を備え、且つ導電性めっき層の材質はニッケル、銀、カドミウム又はその合金である。

【0010】

本発明はまた、高反射バックライト用配線板構造の製造方法を提供するが、それには次のステップが含まれる。
（ａ）基板を提供する。
（ｂ）複数の接続端子及び少なくとも一つの金属ベース層を基板表面に形成する。
（ｃ）接続端子及び金属ベース層を被覆するソルダーレジスト層を形成する。
（ｄ）ソルダーレジスト層に、接続端子の位置に対応する第１開口及び金属ベース層の位置に対応する第２開口を形成する。
（ｅ）接続端子の表面に導電性めっき層を形成し、また金属ベース層の表面に反射用めっき層を形成する。
（ｆ）少なくとも一つの発光部材を接続端子に電気的に接続する。
そのうち、発光部材から生じる光線に対する反射用めっき層の反射率は８０％より大きい。

【発明の効果】

【0011】

金属ベース層の表面に形成された反射用めっき層により光が反射され、且つ発光部材から生じる光線に対する反射用めっき層の反射率は８０％より大きく、より良好な場合は９０％よりさらに大きく、高反射バックライト用配線板構造全体の輝度を効果的に向上させて、アルミ箔を貼り付ける従来の製造工程が簡略化され、且つ高反射バックライト用配線板構造全体の厚み低減に資することができる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1A】本発明の実施例が提供するソルダーレジスト層を備えた基板の製造工程断面図である。

【図1B】本発明の実施例が提供するソルダーレジスト層を備えた基板の製造工程断面図である。

【図1C】本発明の実施例が提供するソルダーレジスト層を備えた基板の製造工程断面図である。

【図2A】本発明の第１実施例の高反射バックライト用配線板構造の製造工程断面図である。

【図2B】本発明の第１実施例の高反射バックライト用配線板構造の製造工程断面図である。

【図2C】本発明の第１実施例の高反射バックライト用配線板構造の製造工程断面図である。

【図3A】本発明の第２実施例の高反射バックライト用配線板構造の製造工程断面図である。

【図3B】本発明の第２実施例の高反射バックライト用配線板構造の製造工程断面図である。

【図3C】本発明の第２実施例の高反射バックライト用配線板構造の製造工程断面図である。

【図4A】本発明の実施例の高反射バックライト用配線板構造の製造工程断面図である。

【図4B】本発明の実施例の高反射バックライト用配線板構造の製造工程断面図である。

【図4C】本発明の実施例の高反射バックライト用配線板構造の製造工程断面図である。

【図5】本発明の第４実施例の高反射バックライト用配線板構造の断面図である。

【図6A】本発明の第５実施例の高反射バックライト用配線板構造の平面図である。

【図6B】本発明の第６実施例の高反射バックライト用配線板構造の平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

まず、図１Ａ〜図１Ｃを参照すると、図１Ａ〜図１Ｃは本発明の実施例が提供するソルダーレジスト層を備えた基板の製造工程断面図である。まず、基板１０を提供するが、基板１０は第１表面１０１及び第２表面１０２を備え、基板１０は単層構造又は多層の積層基板構造でよく、且つ基板１０はフレキシブルプリント配線板（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ，ＦＰＣ）の基板又はプリント配線板（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ，ＰＣＢ）の基板でよい。本実施例において、第１表面１０１には薄い銅箔（図示なし）が積層されており、銅めっきを行うことで基板１０の第１表面１０１に銅面１１を形成することができる（図１Ａの通り）。次に、パターン転写技術を用いて銅面１１をパターン化することにより、基板１０の表面に接続端子１１１と金属ベース層１１２を形成し（図１Ｂの通り）、且つパターン化を経た後、複数の接続端子１１１同士及び接続端子１１１と金属ベース層１１２との間は間隔を有している。そのうち、接続端子１１１は、配線板構造中の表面実装用部品（ｓｕｒｆａｃｅ−ｍｏｕｎｔｅｄ ｄｅｖｉｃｅ）と接続する部分であり、金属ベース層１１２は表面実装用部品と原則的に接触することはなく、接続端子１１１及び金属ベース層１１２の製造には銅がよく用いられているが、これに限らない。

【0014】

図１Ｃを参照して、次に、ソルダーレジスト材料を基板１０の第１表面１０１に塗布して、基板１０、接続端子１１１及び金属ベース層１１２を被覆するソルダーレジスト層１２を形成する。ソルダーレジスト層１２は絶縁層であり、且つソルダーレジスト材料は、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、二酸化ケイ素又は酸化アルミニウムでよい。

【実施例1】

【0015】

図２Ａ〜図２Ｃが図示する高反射バックライト用配線板構造の第１実施例の製造工程断面図を参照されたい。図１Ｃに続き、図２Ａにおいて、ソルダーレジスト層１２上に接続端子１１１の位置に対応する第１開口１２１を開けて形成し、且つソルダーレジスト層１２は接続端子１１１を被覆しておらず、さらにソルダーレジスト層１２上に金属ベース層１１２の位置に対応する第２開口１２２を開けて形成し、且つソルダーレジスト層１２の一部は接続端子１１１を被覆している。その後、化学めっき（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｐｌａｔｉｎｇ）又は電気めっき法を用いて、接続端子１１１の表面及び金属ベース層１１２の表面に金属めっき層１３を形成することができるが、そのうち、金属めっき層１３は、接続端子１１１の表面に形成された導電性めっき層１３１及び金属ベース層１１２の表面に形成された反射用めっき層１３２を含み（図２Ｂの通り）、且つ金属めっき層１３の材質はニッケル、銀、カドミウム又はその合金でよい。

【0016】

続けて図２Ｃを参照して、その後、発光部材１４を接続端子１１１の位置に設置して、接続端子１１１と電気的に接続することにより、高反射バックライト用配線板構造１を形成する。図２Ｃにおいて、発光部材１４は、ＬＥＤウェハ１４１、Ｐ極接続パッド１４２及びＮ極接続パッド１４３を含む。そのうち、Ｐ極接続パッド１４２及びＮ極接続パッド１４３は、ＬＥＤウェハ１４１の底面に位置し、それぞれは表面に導電性めっき層１３１を備えた接続端子１１１と電気的に接続される。このようにして、高反射バックライト用配線板構造１の発光部材１４が作動する際に、基板１０又はソルダーレジスト層１２に投射された一部の光線を反射用めっき層１３２が反射し、これにより高反射バックライト用配線板構造１全体の輝度を向上させることができる。本実施例では、基板１０の第１表面１０１に接続端子１１１、金属ベース層１１２、ソルダーレジスト層１２、金属めっき層１３及び発光部材１４を形成する実施方法だけを提出しているが、実際の応用においては、上述の部材を第１表面１０１及び第２表面１０２上に同時に形成してもよく、本実施例が提出する実施方法に限らない。

【実施例2】

【0017】

図３Ａ〜図３Ｃが図示する高反射バックライト用配線板構造の第２実施例の製造工程断面図を参照して、それは第１実施例と似通っており、異なるのは、ソルダーレジスト層１２がどれも接続端子１１１及び金属ベース層１１２を被覆していないという点である。

【実施例3】

【0018】

図４Ａ〜図４Ｃが図示する高反射バックライト用配線板構造の第３実施例の製造工程断面図を参照して、それは第１実施例と似通っており、異なるのは、ソルダーレジスト層１２の一部が接続端子１１１を被覆しているが、金属ベース層１１２は被覆していないという点である。

【実施例4】

【0019】

図５が図示する高反射バックライト用配線板構造の第４実施例の断面図を参照して、それは第３実施例と似通っており、異なるのは、ソルダーレジスト層１２上にそれぞれが単一の接続端子１１１に対応する２つの第１開口１２１が形成されるという点である。本実施例において、隣り合う接続端子１１１の間にも一部のソルダーレジスト層１２が残されており、隣り合う導電性めっき層１３１が近すぎることで電気回路のショートが生じる問題を効果的に防止することができる。

【実施例5】

【0020】

図６Ａが図示する高反射バックライト用配線板構造の第５実施例の平面図を参照して、ＬＥＤウェハ１４１の周囲には孤形状の反射用めっき層１３２が形成され、これによりＬＥＤウェハ１４１が基板１０又はソルダーレジスト層１２に投射した一部の光線を反射させて、高反射バックライト用配線板構造１全体の輝度を向上させている。

【実施例6】

【0021】

図６Ｂが図示する高反射バックライト用配線板構造の第６実施例の平面図を参照して、ＬＥＤウェハ１４１の周囲には環状の外観をした反射用めっき層１３２が形成され、これによりＬＥＤウェハ１４１が基板１０又はソルダーレジスト層１２に投射した一部の光線を反射させて、高反射バックライト用配線板構造１全体の輝度を向上させている。その他の可能な実施方法では、発光部材の配置及び全体輝度のニーズに基づき、パターン転写技術を利用して各種の様々な形状又は高さの金属ベース層を製造した上で、金属ベース層の表面に反射用めっき層を施すことができる。

【0022】

本発明は、金属ベース層１１２の表面に形成された反射用めっき層１３２により光が反射され、且つ発光部材１４から生じる光線に対する反射用めっき層１３２の反射率は８０％より大きく、より良好な場合は９０％よりさらに大きく、高反射バックライト用配線板構造１全体の輝度を効果的に向上させて、アルミ箔を貼り付ける従来の製造工程が簡略化され、且つ高反射バックライト用配線板構造１全体の厚み低減に資することができる。

【符号の説明】

【0023】

１ 高反射バックライト用配線板構造
１０ 基板
１０１ 第１表面
１０２ 第２表面
１１ 銅面
１１１ 接続端子
１１２ 金属ベース層
１２ ソルダーレジスト層
１２１ 第１開口
１２２ 第２開口
１３ 金属めっき層
１３１ 導電性めっき層
１３２ 反射用めっき層
１４ 発光部材
１４１ ＬＥＤウェハ
１４２ Ｐ極接続パッド
１４３ Ｎ極接続パッド

【図1A】

【図1B】

【図1C】

【図2A】

【図2B】

【図2C】

【図3A】

【図3B】

【図3C】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図5】

【図6A】

【図6B】

【手続補正書】

【提出日】2019年7月5日

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の接続端子を備えた基板と、
前記接続端子に電気的に接続される少なくとも一つの発光部材と、
前記基板表面の前記接続端子と異なる位置に形成される少なくとも一つの金属ベース層と、
前記基板表面に形成され、且つ前記接続端子の位置に対応する第１開口及び前記金属ベース層の位置に対応する第２開口を備えるソルダーレジスト層と、
前記第２開口の内部にて露出している前記金属ベース層の表面に形成されて、前記発光部材から生じる光線を反射するのに用いられる反射用めっき層と、を含み、且つ前記発光部材から生じる光線に対する前記反射用めっき層の反射率は８０％より大きく、前記反射用めっき層の前記基板表面からの高さは前記ソルダーレジスト層の前記基板表面からの高さより高くないことを特徴とする、高反射バックライト用配線板構造。

【請求項2】

前記ソルダーレジスト層の一部は前記金属ベース層を被覆していることを特徴とする、請求項１に記載の高反射バックライト用配線板構造。

【請求項3】

前記反射用めっき層の材質はニッケル、銀、カドミウム又はその合金であることを特徴とする、請求項１に記載の高反射バックライト用配線板構造。

【請求項4】

前記金属ベース層の材質は銅であることを特徴とする、請求項１に記載の高反射バックライト用配線板構造。

【請求項5】

前記接続端子の表面は導電性めっき層を備えていることを特徴とする、請求項１に記載の高反射バックライト用配線板構造。

【請求項6】

前記導電性めっき層の材質はニッケル、銀、カドミウム又はその合金であることを特徴とする、請求項５に記載の高反射バックライト用配線板構造。

【請求項7】

（ａ）基板を提供するステップと、
（ｂ）複数の接続端子及び少なくとも一つの金属ベース層を前記基板表面の互いに異なる位置に形成するステップと、
（ｃ）前記接続端子及び前記金属ベース層を被覆するソルダーレジスト層を形成するステップと、
（ｄ）前記ソルダーレジスト層に、前記接続端子の位置に対応する第１開口及び前記金属ベース層の位置に対応する第２開口を形成するステップと、
（ｅ）前記第１開口の内部にて露出している前記接続端子の表面に導電性めっき層を形成し、また前記第２開口の内部にて露出している前記金属ベース層の表面に反射用めっき層を形成するステップと、
（ｆ）少なくとも一つの発光部材を前記接続端子に電気的に接続するステップと、を含み、そのうち、前記発光部材から生じる光線に対する前記反射用めっき層の反射率は８０％より大きく、前記反射用めっき層の前記基板表面からの高さは前記ソルダーレジスト層の前記基板表面からの高さより高くないことを特徴とする、高反射バックライト用配線板構造の製造方法。