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特開 2020-83692出願番号 特願 2018-219200
炭素材料膜及びその製造方法
出願人 国立大学法人 千葉大学（識別番号 304021831）
2026年 特許公開件数ランキング 540位 53件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 849位 30件（※）
出願人 株式会社日本触媒（識別番号 4628）
2026年 特許公開件数ランキング 447位 53件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 223位 101件（※）
公報発行日 2020年6月4
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-A-2020-83692 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
炭素材料膜及びその製造方法に関する。より詳しくは、半導体材料、電極材料、水素貯蔵材料、触媒等として好適に用いることができる炭素材料膜及びその製造方法
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】 炭素材料の構造を制御する方法を提供する。【解決手段】 炭素材料からなる膜であって、該炭素材料は、ラマンスペクトルにおいて、１５８０〜１６２０ｃｍ−１にＧバンドのピークを有し、かつ１４４０〜１４８０ｃｍ−１に５員環の骨格部分に由来するピークを有することを特徴とする炭素材料膜。または炭素材料からなる膜であって、該炭素材料は、ＦＴ−ＩＲスペクトルにおいて、１５８０〜１６２０ｃｍ−１にＣ＝Ｃ伸縮振動に由来するピークを有し、かつ１４００〜１４６０ｃｍ−１に５員環の骨格部分に由来するピークを有することを特徴とする炭素材料膜。
炭素材料からなる膜を製造する方法であって、該製造方法は、５員環の骨格部分を有する芳香族炭化水素を加熱する工程を含むことを特徴とする炭素材料膜の製造方法。
【選択図】図１
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
のとおり、炭素化後の構造が制御された炭素材料についていくつかの報告例があるが、上述したように、制御された構造を有する炭素材料を製造する方法が充分に確立されているとはいえないのが現状である。グラフェンにヘテロ原子をドープしたり、欠陥構造を導入したりした構造の炭素材料を製造する場合は、更に、大掛かりな装置や操作が必要なものであった。 本発明は、現状に鑑みてなされたものであり、炭素材料の構造を制御する方法を提供することを目的とする。課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明者は、炭素材料の構造を制御する方法について種々検討したところ、５員環の骨格部分を有する芳香族炭化水素を加熱する工程を含む製造方法とすると、ラマンスペクトルにおいて、Ｇバンドのピーク及び５員環の骨格部分に由来するピークを有する、炭素化後の構造が制御された炭素材料、又は、ＦＴ−ＩＲ（フーリエ変換型赤外分光）スペクトルにおいて、Ｃ＝Ｃ伸縮振動及び５員環の骨格部分に由来するピークを有する、炭素化後・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
【発明の効果】
本発明の炭素材料膜は、半導体材料、電極材料、水素貯蔵材料、触媒等の用途に好適に用いることができる構造が制御されたものであり、特に半導体材料として好適な物理的特性・形状を有する。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】実施例１〜３、比較例１で得られた加熱物についてそれぞれ測定したラマンスペクトルを示した図である。
【図2】実施例１〜３、比較例１で得られた加熱物についてそれぞれ測定したＦＴ−ＩＲスペクトルを示した図である。
選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図
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