特開2021-113136(P2021-113136A)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特開2021-113136SiC被膜を有する半導体製造用部材及びこの半導体製造用部材の製造方法、並びに半導体製造用部材上に堆積したポリ炭化珪素の剥離方法
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  • 特開2021113136-SiC被膜を有する半導体製造用部材及びこの半導体製造用部材の製造方法、並びに半導体製造用部材上に堆積したポリ炭化珪素の剥離方法 図000002
  • 特開2021113136-SiC被膜を有する半導体製造用部材及びこの半導体製造用部材の製造方法、並びに半導体製造用部材上に堆積したポリ炭化珪素の剥離方法 図000003
  • 特開2021113136-SiC被膜を有する半導体製造用部材及びこの半導体製造用部材の製造方法、並びに半導体製造用部材上に堆積したポリ炭化珪素の剥離方法 図000004
  • 特開2021113136-SiC被膜を有する半導体製造用部材及びこの半導体製造用部材の製造方法、並びに半導体製造用部材上に堆積したポリ炭化珪素の剥離方法 図000005
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