特開2021-128814(P2021-128814A)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

ホーム > 特許ランキング > 国立大学法人東京工業大学

このエントリーをはてなブックマークに追加

知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」

▶ 国立大学法人東京工業大学の特許一覧 ▶ ウェスタン　デジタル　テクノロジーズ　インコーポレーテッドの特許一覧

特開2021-128814ＳＯＴ（スピン軌道トルク）ＭＴＪ（磁気トンネル接合）デバイス、ＭＡＭＲ（マイクロ波アシスト磁気記録）書き込みヘッド、ＭＲＡＭ（磁気抵抗ランダムアクセスメモリ）デバイス
<>
  • 特開2021128814-ＳＯＴ（スピン軌道トルク）ＭＴＪ（磁気トンネル接合）デバイス、ＭＡＭＲ（マイクロ波アシスト磁気記録）書き込みヘッド、ＭＲＡＭ（磁気抵抗ランダムアクセスメモリ）デバイス 図000005
  • 特開2021128814-ＳＯＴ（スピン軌道トルク）ＭＴＪ（磁気トンネル接合）デバイス、ＭＡＭＲ（マイクロ波アシスト磁気記録）書き込みヘッド、ＭＲＡＭ（磁気抵抗ランダムアクセスメモリ）デバイス 図000006
  • 特開2021128814-ＳＯＴ（スピン軌道トルク）ＭＴＪ（磁気トンネル接合）デバイス、ＭＡＭＲ（マイクロ波アシスト磁気記録）書き込みヘッド、ＭＲＡＭ（磁気抵抗ランダムアクセスメモリ）デバイス 図000007
  • 特開2021128814-ＳＯＴ（スピン軌道トルク）ＭＴＪ（磁気トンネル接合）デバイス、ＭＡＭＲ（マイクロ波アシスト磁気記録）書き込みヘッド、ＭＲＡＭ（磁気抵抗ランダムアクセスメモリ）デバイス 図000008
  • 特開2021128814-ＳＯＴ（スピン軌道トルク）ＭＴＪ（磁気トンネル接合）デバイス、ＭＡＭＲ（マイクロ波アシスト磁気記録）書き込みヘッド、ＭＲＡＭ（磁気抵抗ランダムアクセスメモリ）デバイス 図000009
  • 特開2021128814-ＳＯＴ（スピン軌道トルク）ＭＴＪ（磁気トンネル接合）デバイス、ＭＡＭＲ（マイクロ波アシスト磁気記録）書き込みヘッド、ＭＲＡＭ（磁気抵抗ランダムアクセスメモリ）デバイス 図000010
  • 特開2021128814-ＳＯＴ（スピン軌道トルク）ＭＴＪ（磁気トンネル接合）デバイス、ＭＡＭＲ（マイクロ波アシスト磁気記録）書き込みヘッド、ＭＲＡＭ（磁気抵抗ランダムアクセスメモリ）デバイス 図000011
  • 特開2021128814-ＳＯＴ（スピン軌道トルク）ＭＴＪ（磁気トンネル接合）デバイス、ＭＡＭＲ（マイクロ波アシスト磁気記録）書き込みヘッド、ＭＲＡＭ（磁気抵抗ランダムアクセスメモリ）デバイス 図000012
  • 特開2021128814-ＳＯＴ（スピン軌道トルク）ＭＴＪ（磁気トンネル接合）デバイス、ＭＡＭＲ（マイクロ波アシスト磁気記録）書き込みヘッド、ＭＲＡＭ（磁気抵抗ランダムアクセスメモリ）デバイス 図000013
  • 特開2021128814-ＳＯＴ（スピン軌道トルク）ＭＴＪ（磁気トンネル接合）デバイス、ＭＡＭＲ（マイクロ波アシスト磁気記録）書き込みヘッド、ＭＲＡＭ（磁気抵抗ランダムアクセスメモリ）デバイス 図000014
  • 特開2021128814-ＳＯＴ（スピン軌道トルク）ＭＴＪ（磁気トンネル接合）デバイス、ＭＡＭＲ（マイクロ波アシスト磁気記録）書き込みヘッド、ＭＲＡＭ（磁気抵抗ランダムアクセスメモリ）デバイス 図000015
< >
Copyright © 2010-2025 Science Impact Inc. All Rights Reserved.